删除或更新信息,请邮件至freekaoyan#163.com(#换成@)

中国科学院大学研究生导师简介-刘洪刚

中国科学院大学 免费考研网/2016-05-09

1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
刘洪刚 男 博导 微电子研究所
电子邮件:liuhonggang@ime.ac.cn
通信地址:北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码:100029


研究领域高迁移率CMOS器件;射频/微波集成电路;绿色光电子器件
招生信息

招生专业 微电子学与固体电子学



招生方向 微波器件与集成电路
高性能CMOS技术
高效率光伏器件
教育背景 2003-09--今 Simon Fraser University 博士后
2000-09--2003-07 中科院微电子所 博士学位


学历 中国科学院微电子研究所 -- 研究生


学位 中国科学院微电子研究所 -- 博士

工作经历

工作简历 2009-09--今 中科院微电子所 研究员
2006-02--今 瑞士联邦理工学院 副研究员


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果 (1) 一种硅基III-V族半导体材料的集成方法,发明,2009,第1作者,专利号:**0.9
(2) 高迁移率III-V族半导体MOS界面结构,发明,2010,第1作者,专利号:**6.5
(3) 一种高迁移率CMOS集成单元,发明,2010,第2作者,专利号:**4.7
(4) 一种高迁移率衬底结构及其制备方法,发明,2011,第2作者,专利号:**2.1
(5) 一种硅基张应变衬底结构及其制备方法,发明,2011,第2作者,专利号:**9.5
(6) 一种III-V族半导体MOS界面结构,发明,2011,第1作者,专利号:**3.2

出版信息

发表论文 (1) Extrinsic Base Surface Passivation in Terahertz GaAsSb/InP DHBTs Using InGaAsP Ledge Structures,IEEE Transaction on Electron Devices,2011,第1作者
(2) Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed Type-II GaAsSb/InP DHBTs Using an InGaAsP Ledge Structure,Chinese Physics Letters,2010,第1作者
(3) Emitter Size Effects and Ultimate Scalability of InP: GaInP/GaAsSb/InP DHBTs,IEEE Electron Device Letters,2008,第1作者
(4) High-current-gain InP/GaInP/GaAsSb/InP DHBTs with fT = 436 GHz,IEEE Electron Device Letters,2007,第1作者
(5) Extraction of the Average Collector Velocity in High Speed “Type-II” InP-GaAsSb-InP DHBTs,IEEE Electron Device Letters,2004,第1作者


发表著作
科研活动

科研项目 (1) 高迁移率CMOS新结构器件与工艺集成研究,主持,国家级,2011-01--2014-12
(2) 毫米波III-V器件与电路,主持,院级级,2010-01--2012-12
(3) 超高频化合物基CMOS器件和电路研究,主持,国家级,2010-01--2014-12


参与会议 (1) 基于MBE外延材料的增强型InGaAs MOSFETs,第九届全国分子束外延学术会议,2011-07,常虎东
(2) 硅基高迁移率III-V族半导体材料与MOS器件研究,2011中国材料研讨会,2011-05,刘洪刚
(3) A Multi-band THz Regime Metameterial Design Using a Paired MetallicCircular-strip Structure,2010-05,Xudong Cui, Honggang Liu
(4) 600 GHz InP-GaAsSb DHBTs grown by MOCVD with a GaAsSb graded-base and fTXBVCEO higher than 2.5 THz-V at room temperature,2007-12,HG Liu
(5) The InP/GaAsSb type II heterostructure system and its application to high-speed DHBTs and photodetectors: physics, surprises, and opportunities,2005-12,HG Liu

合作情况

项目协作单位
指导学生已指导学生

卢力 硕士研究生 430110-集成电路工程

现指导学生

薛百清 硕士研究生 430109-电子与通信工程

王虹 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学

常虎东 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学

相关话题/结构 奖励 微电子研究所 信息 集成电路