基本信息
刘虹越 男 博导 苏州纳米技术与纳米仿生研究所
电子邮件：hyliu2010@sinano.ac.cn
通信地址：苏州市园区独墅湖高教区若水路398号
邮政编码：215123


研究领域
招生信息

招生专业 材料学
微电子学与固体电子学


招生方向 电子信息
固态硬盘

教育背景 1991-08--1996-08 美国宾西法尼亚州立大学 材料系博士
1986-08--1991-07 清华大学 应用物理系学士


学历

学位
工作经历

工作简历 2010-02--2011-07 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 研究员，博士生导师
2007-02--2010-01 美国希捷公司存储器事业部 工程总监
1996-08--2007-01 美国霍尼维尔公司固态电子器件中心 高级工程师，总工程师，经理


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果 （1） Temperature dependent system for reading ST-RAM，发明，2010，第1作者，专利号：7,755,965
（2） SRAM split write control for a delay element，发明，2010，第3作者，专利号：7,693,001
（3） Memory array with read reference voltage cells ，发明，2010，第2作者，专利号：7,755,923
（4） Method and apparatus for regulating photo currents induced by dose rate events，发明，2009，第1作者，专利号：7,589,308
（5） 存储器、固态缓存系统及缓存数据管理方法，发明，2010，第1作者，专利号：**3.6

出版信息

发表论文 （1） 1，“Spin Torque Random Access Memory Down to 22nm Technology”，Magnetics IEEE Trans，2008，第5作者
（2） 1，“The Effect of Active Delay Element Resistance on Limiting Heavy Ion SEU Upset Cross-sections of SOI ADE/SRAMs”，IEEE Trans，2007，第1作者


发表著作
科研活动

科研项目

参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生