1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
刘建平 男 硕导 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
电子邮件： jpliu2010@sinano.ac.cn
通信地址： 江苏苏州2工业园区若水路398
邮政编码：
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向半导体材料与器件

教育背景2001-09--2004-06 中科院半导体所 博士
1998-09--2001-06 武汉理工大学 硕士
1994-09--1998-06 武汉理工大学 本科


学历

学位
工作经历

工作简历2010-05~现在, 中科院苏州纳米技术与纳米仿生所, 研究员
2006-10~2010-04,佐治亚理工学院, 博士后
2004-07~2006-09,北京工业大学, 助理研究员
2001-09~2004-06,中科院半导体所, 博士
1998-09~2001-06,武汉理工大学, 硕士
1994-09~1998-06,武汉理工大学, 本科


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果
出版信息

发表论文（1） Influence of substrate surface defects on the homoepitaxial growth of GaN (0001) by metalorganic vapor phase epitaxy, Journal of Crystal Growth, 2015, 第 5 作者
（2） Abnormal InGaN growth behavior in indium-desorption regime in metalorganic chemical vapor deposition, Journal of Crystal Growth, 2015, 第 3 作者
（3） Realization of InGaN laser diodes above 500 nm by growth optimization of the InGaN/GaN active region, Applied Physics Express, 2014, 第 1 作者
（4） Remarkably reduced efficiency droop by using staircase thin InGaN quantum barriers in InGaN based blue light emitting diodes, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 5 作者
（5） Identification of Degradation Mechanisms Based on Thermal Characteristics of InGaN/GaN Laser Diodes, IEEE J. Sel Topics in Quantum Electronics, 2014, 第 4 作者
（6） Characteristics of InGaN-Based superluminescent diodes with one sided oblique cavity facet, Chinese Science Bulletin, 2014, 第 3 作者
（7） Characteristics of InGaN-Based superluminescent diodes with one sided oblique cavity facet, Chinese Science Bulletin, 2014, 第 3 作者
（8） Hillock Formation and Suppression on Homoepitaxial GaN Layers Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, J Crystal Growth, 2013, 第 5 作者
（9） Effects of matrix layer composition on the structural and optical properties of self-organized InGaN quantum dots, J Appl. Phys., 2013, 第 5 作者
（10） Performance enhancement of GaN-based laser diodes with prestrained growth, IEEE Photon. Technol. Lett., 2013, 第 5 作者
（11） Suppression of thermal degradation of InGaN/GaN quantum wells in green laser diode structures during the epitaxial growth, Appl. Phys. Lett., 2013, 第 5 作者
（12） Saturation of the junction voltage in GaN-based laser diodes, Appl. Phys. Lett., 2013, 第 5 作者
（13） High efficient GaN-based laser diodes with tunnel junction, Appl.Phys.Lett., 2013, 第 5 作者
（14） Design considerations for GaN-based blue laser diodes with InGaN upper waveguide layer, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 2013, 第 5 作者
（15） Improvement of InGaN-LED Performance by Optimizing the Patterned Sapphire Substrate Shapes, Chinese Physics B, 2012, 第 2 作者
（16） Formation of Low-Resistant and Thermally Stable Nonalloyed Ohmic Contact to N-Face n-GaN, Chinese Physics Letter, 2012, 第 4 作者
（17） Performance characteristics of InAlGaN laser diodes depending on electron blocking layer and waveguiding layer design grown by metalorganic chemical vapor deposition, Journal of Crystal Growth, 2011, 第 1 作者
（18） High-efficiency InGaN-based LEDs grown on patterned sapphire substrates, Optics express, 2011, 第 2 作者
（19） Effect of Patterned Sapphire Substrate Shape on Light Output Power of GaN-Based LEDs, IEEE Photonics Technology Letter, 2011, 第 2 作者
（20） Effects of a step-graded AlxGa1-xN electron blocking layer in InGaN-based laser diodes, Journal of AppliedPhysics , 2011, 第 3 作者
（21） Green light-emitting diodes with p-InGaN:Mg grown on c-plane sapphire and GaN substrates, phys. stat. sol., 2009, 第 1 作者
（22） Barrier effect on hole transport and carrier distribution in InGaN/GaN multiple quantum well visible light-emitting diodes, Applied Physics Letter, 2008, 第 1 作者
（23） Blue light-emitting diodes grown on free-standing a-plane GaN substrates, Applied Physics Letter, 2008, 第 1 作者
（24） III-nitride heterostructure field effect transistors grown on semi-insulating GaN substrate without interface charge, Applied Physics Letter, 2008, 第 1 作者
（25） Surface morphology control of green LEDs with p-InGaN layers grown by metalorganic chemical vapor deposition, Journal of Crystal Growth, 2008, 第 1 作者
（26） Structural and optical properties of violet InGaN/AlInGaN light-emitting diodes grown by MOCVD, Journal of Crystal Growth, 2006, 第 1 作者
（27） Structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers grown by MOCVD with various TMGa flows, Journal of Crystal Growth, 2004, 第 1 作者
（28） Investigations on V-defects in quaternary AlInGaN epilayers, Applied Physics Letter, 2004, 第 1 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）大功率InGaN基LED新型外延结构研究, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12
（ 2 ）高性能微型激光引擎产业化关键技术研发, 主持, 国家级, 2013-01--2015-12
（ 3 ）基于半导体激光器的下一代微投影显示全产业链关键技术开发, 主持, 省级, 2013-04--2016-04


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生