1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
刘剑 男 博导 中国科学院半导体研究所
电子邮件: liujian@semi.ac.cn
通信地址: 海淀区清华东路甲35号
邮政编码: 100083
研究领域
招生信息
招生专业080903
招生方向高速智能图像传感器芯片设计
教育背景1998-05--2003-06 德国亚琛工业大学、维尔兹堡大学物理系 博士1997-03--1998-04 英国伯明翰大学物理系 硕士1984-09--1988-06 吉林大学电子科学系 学士
学历
学位
工作经历
工作简历2005-03~现在, 中国科学院半导体所, 研究员2003-07~2005-02,德国维尔兹堡大学物理系, 博士后1998-05~2003-06,德国亚琛工业大学、维尔兹堡大学物理系, 博士1997-03~1998-04,英国伯明翰大学物理系, 硕士1995-05~1997-02,奥地利维也纳技术大学固态电子学研究所, 访问学者1988-08~1995-04,中国科学院半导体研究所, 研究实习员,助理研究员1984-09~1988-06,吉林大学电子科学系, 学士
社会兼职
教授课程
专利与奖励
奖励信息
专利成果
出版信息
发表论文(1) Tuning of Fano resonances in terahertz metamaterials, Journal of Applied Physics 117, 063107 , 2015, 第 4 作者(2) Polarization-Sensitive Coupling and Transmission Dip Shift in Asymmetric Metamaterials, The Journal of Physical Chemistry. C, 119, 6204-6210;, 2015, 第 4 作者(3) Pixel-parallel feature detection on vision chip, Electronics Letters,Vol. 50 (Issue 24), 1839-1841 , 2014, 第 4 作者(4) Fabrication and characterization of implantable silicon neural probe with microfluidic channels, SCIENCE CHINA: Technological Sciences,Vol.55, No.1, 1-5, 2012, 第 5 作者(5) Intercalation of Few-Layer Graphite Flakes with FeCl3: Raman Determination of Fermi Level, Layer by Layer Decoupling and Stability, Journal of the American Chemical Society, Vol.133, 5941-5946, 2011, 第 3 作者(6) Influence of magnetocrystalline anisotropy on magneto-optics in GaMnAs/ InGaAs epilayer, Journal of Infrared and Millimeter Waves, Vol. 30, 91-95, 2011, 第 5 作者(7) Spin injection in the multiple quantum well LED structure with the Fe-AlOx injector, SCIENCE CHINA: Physics, Mechanics and Astronomy, Vol.53 No.4: 649–653, 2010, 第 3 作者(8) Transport properties in a gated heterostructure with a trapezoidal AlxGa1-xAs barrier layer, Physica E, Vol. 41, 1379-1381, 2009, 第 3 作者(9) Analytical model of spin filtering effect and its experimental verification in a forward-biased iron- metal-Al2O3-n-type GaAs tunneling structure under optical spin orientation, Europhysics Letters, Vol. 82, 37003, 2008, 第 3 作者(10) Fabrication of nanoscale metallic air-bridges by introducing a SiO2 sacrificial layer, Materials Science in Semiconductor Processing, Vol. 10, 194-199, 2007, 第 5 作者(11) New type of Fano resonant tunneling via Anderson impurities in superlattice, Europhysics Letters, Vol. 74, 875-881, 2006, 第 3 作者(12) Fabrication of metallic air-bridges using multiple dose electron beam lithography, Applied Physics Letters, Vol. 88, 202103, 2006, 第 2 作者
发表著作
科研活动
科研项目( 1 )新型图像传感器及并行图像处理芯片的研究与集成, 参与, 国家级, 2011-01--2015-12( 2 )硅基太赫兹集成电路, 参与, 国家级, 2014-01--2018-12( 3 )硅基CMOS 太赫兹波成像芯片研究, 参与, 国家级, 2015-01--2018-12
参与会议
合作情况
项目协作单位
指导学生
删除或更新信息,请邮件至freekaoyan#163.com(#换成@)
中国科学院大学研究生导师简介-刘剑
中国科学院大学 免费考研网/2016-05-09
相关话题/物理系 奖励 研究所 信息 中国科学院
2016年北京大学电子与信息领域工程博士生复试安排
经专家组对申请人的报名材料进行审核和学术素质评定,确定以下人员参加电子与信息领域工程博士生复试。有关事宜通知如下:一、复试时间1、电子与信息领域(软件工程方向)笔试时间:2016年4月17日 9:00-11:30地点:北京大学理科一号楼1544室面试时间:2016年4月17日 13:00-17:00地点:北京大学理科一号楼1504室复试名单: ...北京大学复试录取 本站小编 免费考研网 2016-05-102016年北京大学软件与微电子学院软件工程一级学科工学博士、电子与信息领域工程博士研究生拟录取名单公示
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一、组织管理: 我院成立复试与录取领导小组,由学院主管领导任组长,各专业负责人为小组成员。 各专业(或方向)成立5人专家复试小组,每一小组设组长一名、秘书一人,负责复试记录以及协调安排相关事宜。 二、复试规则: 1.复试规模:差额复试; 2.权重:初试成绩占总成绩的50%,复试成绩占总成 ...北京大学复试录取 本站小编 免费考研网 2016-05-10北京大学信息科学技术学院2016年全国硕士研究生入学考试初取名单公示
北京大学信息科学技术学院2016年全国硕士研究生入学考试初取名单现在开始公示,公示时间为2016年4月7日4月20日,公示期内如有异议,请联系eecsgrs@pku.edu.cn 或62757465。 序号 准考证号 姓名 录取专业 初试成绩 ...北京大学复试录取 本站小编 免费考研网 2016-05-10北京大学信息科学技术学院2016年推荐免试研究生名单公示
2016年推荐免试研究生名单现在开始公示,公示时间为2015年10月13日至2015年10月23日。如有异议请联系:eecsgrs@pku.edu.cn。 名单如下: 姓 名 推荐学校 推荐专业 拟录取专业 复试成绩 拟接收层次 ...北京大学复试录取 本站小编 免费考研网 2016-05-10