1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
刘键 男 硕导 中国科学院微电子研究所
电子邮件： liuj_12222@yahoo.com
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码： 100029
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向集成电路先导工艺与仪器装备技术

教育背景1993-09--1997-09 北京科技大学 博士学位
1984-09--1987-06 南开大学电子科学系 硕士学位
1980-09--1984-07 南开大学物理系 学士学位


学历

学位
工作经历

工作简历2002-05~现在, 中科院微电子所, 研究员
2000-04~2002-04,美国纽约洲立大学, 访问学者
1997-10~1999-10,中科院高能物理研究所, 博士后
1993-09~1997-09,北京科技大学, 博士学位
1987-09~1993-07,机电部13所, 工程师
1984-09~1987-06,南开大学电子科学系, 硕士学位
1980-09~1984-07,南开大学物理系, 学士学位


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果（ 1 ）一种用于氮化碳薄膜制备的化学吸附方法,2010,第 1 作者,专利号: **8.x
（ 2 ）一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法,2010,第 3 作者,专利号: **2.9,
（ 3 ）具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法,2009,第 3 作者,专利号: **4.5
（ 4 ）一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法,2010,第 3 作者,专利号: **4.8
（ 5 ）一种用于原子层沉积制备石墨烯薄膜的碳化学吸附方法,2010,第 3 作者,专利号: **4.8
（ 6 ）一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法,2009,第 2 作者,专利号: **5.3
（ 7 ）一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法,2010,第 1 作者,专利号: **9.4
（ 8 ）一种单晶立方型氮化碳薄膜的制备方法,2010,第 1 作者,专利号: **1.2,

出版信息

发表论文（1） 紫外日盲焦平面探测器成像处理系统研制, 《红外与激光工程》, 2010, 第 4 作者
（2） 焦平面阵列BP神经网络非均匀性校正及其算法改进, 《红外技术》, 2010, 第 4 作者
（3） 三维物体的重建方法 , 《微纳电子技术》 , 2010, 第 2 作者
（4） 具有低欧姆接触电阻的高性能AlGaN/GaN HEMT器件研制, 半导体学报, 2006, 第 1 作者
（5） 基于Flip－Chip技术的AlGaN/GaN HEMTs, 半导体学报, 2005, 第 4 作者
（6） 高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制, 半导体学报, 2005, 第 4 作者
（7） Co-implantation of carbon and nitrogen into silicon dioxide for synthesis of carbon nitride materials, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2002, 第 2 作者
（8） Investigation of SiC Films Deposited onto Stainless Steel and Their Retarding Effects on Tritium Permeation”, Surface and coating technology,, 2000, 第 2 作者
（9） A Rapid Annealing Study of Neutron-Irradiated GaAs by Rutherford Backscattering Spectrometry/Channeling, J. of Vacuum Science and Technology B, 2000, 第 1 作者
（10） A Photoluminescence Study of the Defects Induced by Neutron Irradiation and Rapid Annealing in SI-GaAs, Journal of Applied Physics, 2000, 第 1 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）大功率LED 模组生产工艺及成套设备, 主持, 省级, 2011-01--2013-12
（ 2 ）新型三维成像与三维微显示技术及器件基础研究, 主持, 国家级, 2010-01--2014-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生