1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
刘毛 女 硕导 中国科学院合肥物质科学研究院
电子邮件: mliu@issp.ac.cn
通信地址: 安徽省合肥市合肥物质科学研究院固体物理研究所
邮政编码: 230031
研究领域
招生信息
招生专业070205
招生方向宏观体系纳米材料制备及红外探测性能研究
教育背景2002-09--2007-07 中国科学院合肥物质科学研究院 博士研究生1998-09--2002-07 安徽大学物理系 学士
学历
学位
工作经历
工作简历2011-03~现在, 中国科学院合肥物质科学研究院, 副研究员2007-07~2011-02,中国科学院合肥物质科学研究院, 助理研究员2002-09~2007-07,中国科学院合肥物质科学研究院, 博士研究生1998-09~2002-07,安徽大学物理系, 学士
社会兼职
教授课程
专利与奖励
奖励信息
专利成果
出版信息
发表论文(1) Temperature dependence of chemical states and band alignments in ultrathin HfOxNy/Si gate stacks, J. Phys. D: Appl. Phys, 2012, 第 2 作者(2) Preliminary investigation of high-k materials -TiO2 doped Ta2O5 Films by remote plasma ALD, Physics Procedia, 2012, 第 3 作者(3) Low-temperature synthesis of Mn3O4 hollow-tetrakaidecahedrons and their application in electrochemical capacitors, CrystEngComm, 2011, 第 3 作者(4) Interfacial, optical properties and band offsets of HfTiON thin films with, J. Appl. Phys., 2011, 第 1 作者(5) HfO2–GaAs metal-oxide-semiconductor capacitor using dimethylaluminumhydride-derived aluminum oxynitride interfacial passivation layer, Appl. Phys. Lett., 2010, 第 3 作者(6) Nitrogen dependence of band alignment and electrical properties of HfTiON gate dielectrics metal-oxide-semiconductor capacitor, Appl. Phys. Lett., 2010, 第 3 作者(7) Effect of Ti incorporation on the interfacial and optical properties of HfTiO thin films, J. Appl. Phys., 2010, 第 1 作者(8) Thermal nitridation passivation dependent band offset and electrical properties of AlOxNy /GaAs gate stacks, Appl. Phys. Lett., 2009, 第 3 作者(9) Thickness-modulated optical dielectric constants and band alignments of HfOxNy gate dielectrics, J. Appl. Phys., 2009, 第 3 作者(10) Effect of thermal treatment on the band offsets and interfacial properties of HfOxNy gate dielectrics, J Phys D: Appl Phys., 2009, 第 1 作者(11) Effects of nitrogen atom doping on optical properties and dielectric constant of HfO2 gate oxides, Appl. Phys. Lett., 2008, 第 3 作者(12) The effect of nitrogen concentration on the band gap and band offsets of HfOxNy gate dielectrics, Appl. Phys. Lett., 2008, 第 3 作者(13) Hf1-xSixOy dielectric films deposited by UV-photo-induced chemical vapoure deposition (UV-CVD), Appl. Surf. Sci., 2007, 第 1 作者(14) Characteristics of HfOxNy thin films by rf reactive sputtering at different deposition temperatures, J. Appl. Phys., 2007, 第 1 作者(15) Effect of post deposition annealing on the optical properties of HfOxNy films, Appl. Phys. Lett., 2006, 第 1 作者(16) Microstructure and interfacial properties of HfO2-Al2O3 composite films grown by sputtering, Appl. Surf. Sci., 2006, 第 1 作者(17) Characterization of HfOxNy gate dielectrics using a hafnium oxide as target, Appl. Surf. Sci., 2006, 第 1 作者(18) Chemical compositions and optical properties of HfOxNy thin films at different substrate temperatures, Mater. Sci. Semicond. Process., 2006, 第 1 作者
发表著作
科研活动
科研项目( 1 )Ti3+增强TiO2薄膜光催化降解有机染料的机理研究, 主持, 部委级, 2010-03--2012-02( 2 )HfTiON/TaON叠层高k栅介质薄膜的制备及其在锗场效应晶体管中的应用探索, 主持, 国家级, 2012-01--2014-12( 3 )纳米材料功能化宏观体系的构筑和性能研究, 参与, 国家级, 2011-12--2016-12
参与会议
合作情况
项目协作单位
指导学生
删除或更新信息,请邮件至freekaoyan#163.com(#换成@)
中国科学院大学研究生导师简介-刘毛
中国科学院大学 免费考研网/2016-05-09
相关话题/合肥物质科学研究院 中国科学院 信息 奖励 安徽大学
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经专家组对申请人的报名材料进行审核和学术素质评定,确定以下人员参加电子与信息领域工程博士生复试。有关事宜通知如下:一、复试时间1、电子与信息领域(软件工程方向)笔试时间:2016年4月17日 9:00-11:30地点:北京大学理科一号楼1544室面试时间:2016年4月17日 13:00-17:00地点:北京大学理科一号楼1504室复试名单: ...北京大学复试录取 本站小编 免费考研网 2016-05-102016年北京大学软件与微电子学院软件工程一级学科工学博士、电子与信息领域工程博士研究生拟录取名单公示
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