1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
刘明 女 博导 中国科学院微电子研究所
电子邮件： liuming@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码： 100029
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向新型纳米器件与集成技术

教育背景1998-06--1999-11 中科院半导体研究所/微电子中心 博士后
1995-09--1998-05 北京航空航天大学 博士
1985-09--1988-06 合肥工业大学 硕士
1981-09--1985-07 合肥工业大学 学士


学历

学位
工作经历

工作简历2000-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
1998-06~1999-11,中科院半导体研究所/微电子中心, 博士后
1995-09~1998-05,北京航空航天大学, 博士
1985-09~1988-06,合肥工业大学, 硕士
1981-09~1985-07,合肥工业大学, 学士


社会兼职2010-12-01-今,无锡华润微电子有限公司掩模工厂技术顾问,
2008-06-06-今,中科院科学院科学出版社基金,
2008-04-01-今,“纳米科学技术大系”编委会,
2007-01-01-今,中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室学术委员会,
2006-09-01-今,中国仪器仪表学会微纳器件与系统技术分会, 第一届理事会名誉理事长
2002-11-01-今,中国材料研究学会青年委员会,

教授课程
专利与奖励

奖励信息（1）极大规模集成电路关键技术研究集体,院级,2014
（2）阻变存储器及集成的基础研究,部委级,2014
（3）高精度微纳结构掩模制造核心技术,部委级,2013
（4）中国真空学会“中国真空科技成就奖(莱宝奖)”,院级,2012
（5）2011年度中国科学院“优秀研究生指导教师”,院级,2011
（6）2011年度中国科学院“朱李月华优秀教师”,院级,2011
（7）微纳结构‘自上而下’制备核心技术与集成应用,国家级,2010
（8）移动通讯用滤波器关键技术及产业化,部委级,2009
（9）中高频声表面波关键材料与器件研究,部委级,2007
（10）中高频声表面波关键材料与器件研究,国家级,2006
（11）亚30nm CMOS器件及其关键技术,部委级,2005
（12）27nm CMOS器件,国家级,2004
（13）0.18um的集成电路工艺技术,部委级,2002
（14）纳米硅薄膜微结构与物性研究,省级,1999


专利成果（ 1 ）光存储单元、光存储器及其制备方法,2011,第 1 作者,专利号: **0.4
（ 2 ）铁电型存储单元、存储器及其制备方法,2011,第 1 作者,专利号: **4.9
（ 3 ）一种光学传感器及其内部的成像器件,2011,第 1 作者,专利号: **7.5
（ 4 ）一种SixNy基电阻型存储器及其制备方法和应用,2011,第 1 作者,专利号: **3.3
（ 5 ）具有忆阻器特性的半导体器件及其实现多级存储的方法,2011,第 1 作者,专利号: **9.3
（ 6 ）有机阻变型存储单元、存储器及其制备方法,2011,第 1 作者,专利号: **1.0
（ 7 ）一种阻变存储器单元的编程或擦除方法及装置 ,2015,第 1 作者,专利号: **8.5
（ 8 ）纳米晶浮栅存储器及其制备方法 ,2011,第 1 作者,专利号: **9.8
（ 9 ）非挥发性电阻转变存储器,2011,第 1 作者,专利号: **7.2
（ 10 ）提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法,2011,第 1 作者,专利号: **0.5
（ 11 ）一种多值非挥发存储器及其制备方法 ,2011,第 1 作者,专利号: **0.5
（ 12 ）一种具有忆阻器特性的半导体器件及其制备方法,2014,第 1 作者,专利号: **6.0
（ 13 ）一种基于TiOx结构的忆阻器及其制备方法,2014,第 1 作者,专利号: **4.2
（ 14 ）复合存储单元和存储器,2011,第 1 作者,专利号: **7.9
（ 15 ）基于有机场效应晶体管的存储单元、存储器及其制备方法,2011,第 1 作者,专利号: **3.X
（ 16 ）编程电阻存储单元的方法和装置,2011,第 1 作者,专利号: **7.6
（ 17 ）有机场效应晶体管存储器的编程方法,2011,第 1 作者,专利号: **0.9
（ 18 ）用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法,2011,第 2 作者,专利号: **0.2
（ 19 ）一种存储器器件及其阵列,2012,第 1 作者,专利号: **9.X
（ 20 ）一种降低阻变存储器器件Reset电流的方法,2012,第 1 作者,专利号: **3.6
（ 21 ）双栅电荷俘获存储器及其制作方法,2012,第 1 作者,专利号: **2.0
（ 22 ）隧穿二极管整流器件及其制造方法,2012,第 1 作者,专利号: **0.5
（ 23 ）一种CTS2电荷泵,2012,第 1 作者,专利号: **9.1
（ 24 ）一种有机薄膜晶体管及其制备方法,2012,第 1 作者,专利号: **2.3
（ 25 ）一种非易失性存储器及其制备方法,2012,第 1 作者,专利号: **3.6
（ 26 ）一种去除硅纳米晶的方法,2012,第 1 作者,专利号: **0.5
（ 27 ）一种用负性化学放大抗蚀剂曝光亚50nm图形的方法,2008,第 1 作者,专利号: ZL**8.3
（ 28 ）电子束和光学混合和匹配曝光套准标记的制备方法,2008,第 1 作者,专利号: ZL**9.6
（ 29 ）全透明无铬移相掩模实现100纳米图形加工的方法,2009,第 1 作者,专利号: ZL**0.9
（ 30 ）一种在LEdit中绘制矢量字符的方法,2011,第 1 作者,专利号: ZL **4.8
（ 31 ）用电子束大小电流混合一次曝光制备X射线掩模的方法,2010,第 1 作者,专利号: ZL **9.8
（ 32 ）一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法,2011,第 1 作者,专利号: ZL **9.1
（ 33 ）钨钛合金纳米晶浮栅结构及其制备方法,2010,第 1 作者,专利号: ZL **8.5
（ 34 ）一种在线检测硅纳米晶形态的方法,2012,第 1 作者,专利号: ZL **6.1
（ 35 ）浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的制备方法,2012,第 1 作者,专利号: ZL **5.X
（ 36 ）一种对电阻存储器进行编程的电路,2014,第 1 作者,专利号: ZL **3.1
（ 37 ）驱动电阻转变型存储器实现多值存储的电路及方法,2014,第 1 作者,专利号: ZL **6.9
（ 38 ）一种电荷俘获非挥发存储器的制造方法,2014,第 1 作者,专利号: ZL**4.5
（ 39 ）一种有机薄膜晶体管及其制备方法,2014,第 1 作者,专利号: ZL**2.3

出版信息

发表论文（1） Evolution of conductive filament and its impact on the reliability issues in oxide-electrolyte based resistive random access memory, Scientific Reports, 2015, 第 5 作者
（2） Gate bias dependence of complex random telegraph noise behavior in 65-nm NOR flash memory, IEEE Electron Device Letters, 2015, 第 5 作者
（3） Improving resistance uniformity and endurance of resistive switching memory by accurately controlling the stress time of pulse program operation, Applied Physics Letters, 2015, 第 5 作者
（4） Direct observation of conversion between threshold switching and memory switching induced by conductive filament morphology, Advanced Functional Materirals, 2014, 第 5 作者
（5） Thermoelectric Seebeck effect in oxide based resistive switching memory, Nature Communications, 2014, 第 5 作者
（6） Metal floating gate memory device with SiO2/HfO2 dual-layer as engineered tunneling barrier, IEEE Electron Device Letters, 2014, 第 5 作者
（7） Low temperature atomic layer deposited HfO2 film for high performance charge trapping flash memory application, Semiconductor Science and Technology, 2014, 第 5 作者
（8） Field effect mobility model in oxide semiconductor thin film transistors with arbitrary energy distribution of traps, IEEE Electron Device Letters, 2014, 第 5 作者
（9） In situ electron holography study of charge distribution in high-k charge-trapping memory, Nature Communications, 2013, 第 4 作者
（10） Effect of damage in source and drain on the endurance of a 65-nm-node NOR Flash memory, IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 第 5 作者
（11） Voltage and power-controlled regimes in the progressive unipolar RESET transition of HfO2-based RRAM, Scientific Reports, 2013, 第 5 作者
（12） Modified transmission line model for bottom-contact organic transistors, IEEE Electron Device Letters, 2013, 第 5 作者
（13） Bipolar one diode–one resistor integration for high-density resistive memory applications, Nanoscale, 2013, 第 5 作者
（14） Real-Time Observation on Dynamic Growth /Dissolution of Conductive Filaments in Oxide-Electrolyte-Based ReRAM, Adv. Mater., 2012, 第 5 作者
（15） Investigation on interface related charge trap and loss characteristics of high-k based trapping structures by electrostatic force microscopy, Appl. Phys. Lett., 2011, 第 5 作者
（16） Reset Instability in Cu/ZrO2:Cu/Pt RRAM Device, IEEE Electron Device Lett., 2011, 第 5 作者
（17） A study of cycling induced degradation mechanisms in Si nanocrystal memory devices, Nanotechnology, 2011, 第 5 作者
（18） Improvement of resistive switching characteristics in ZrO2 film by embedding a thin TiOx layer, Nanotechnology, 2011, 第 5 作者
（19） Enhanced DNA sequencing performance through edge-hydrogenation of graphene electrodes, Adv. Funct. Mater., 2011, 第 5 作者
（20） Threshold Voltage Tuning of Low-Voltage Organic Thin-Film Transistors, IEEE T. Electron Dev., 2011, 第 5 作者
（21） “Controllable growth of nanoscale conductive filaments in solid-electrolyte-based ReRAM by using metal nanocrystal cover bottom electrode, ACS Nano, 2010, 第 5 作者
（22） Fully room-temperature-fabricated nonvolatile resistive memory for ultrafast and high-density memory application, Nano Lett., 2009, 第 4 作者
（23） “Multilevel resistive switching with ionic and metallic filaments, Appl. Phys. Lett., 2009, 第 1 作者
（24） Nonpolar nonvolatile resistive switching in Cu doped ZrO2, IEEE Electron Devices Lett., 2008, 第 5 作者
（25） Resistive switching memory effect of ZrO2 films with Zr+ implanted, Appl. Phys. Lett., 2008, 第 5 作者
（26） On the resistive switching mechanisms of Cu/ZrO2:Cu/Pt,, Applied Physics Letters, 2008, 第 5 作者
（27） Modeling of retention characteristics for metal and semiconductor nanocrystal memories, Solid-State Electronics, 2007, 第 5 作者
（28） Fabrication and charging characteristics of MOS capacitor structure with metal nanocrystals embedded in gate oxide, Journal of Physics D: Applied Physics, 2007, 第 5 作者
（29） Nonvolatile resistive switching memory utilizing gold nanocrystals embedded in zirconium oxide, Appl. Phys. Lett., 2007, 第 5 作者


发表著作（ 1 ）集成电路制造技术, IC manufacturing technology, 化学工业出版社, 2006-03, 第 2 作者
（ 2 ）半导体科学与技术 第九章, Semiconductor Science and Technology;Chapter 9, 科学出版社, 2007-09, 第 1 作者
（ 3 ）纳米结构表面, Nanostructured Surface, Wiley-VCH, 2010-07, 第 1 作者
（ 4 ）纳米半导体器件与技术, nano-semiconductors: devices and technology, 国防工业出版社, 2013-12, 第 1 作者
（ 5 ）新型阻变存储技术, resistive random access memory, 科学出版社, 2014-10, 第 1 作者

科研活动

科研项目（ 1 ）32nm新型存储器关键工艺解决方案, 主持, 国家级, 2009-01--2011-12
（ 2 ）纳米加工与新型半导体器件研究, 主持, 国家级, 2009-01--2012-12
（ 3 ）纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究, 主持, 国家级, 2010-01--2014-08
（ 4 ）分子电子学的基础研究, 主持, 国家级, 2006-01--2011-12
（ 5 ）纳米晶浮栅存储器存储材料及关键技术, 主持, 国家级, 2008-01--2010-12
（ 6 ）新型微电子器件集成的基础研究, 主持, 国家级, 2013-01--2015-12
（ 7 ）超高密度存储器三维集成关键技术研究, 主持, 国家级, 2014-01--2018-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生