基本信息
刘喆 女 硕导 半导体研究所
电子邮件：liuzhe@semi.ac.cn
通信地址：北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码：100083


研究领域
招生信息

招生专业 材料物理与化学



招生方向 氮化物材料外延与器件结构
基于高In组分的氮化物光电材料研究

教育背景 2003-09--2006-06 中国科学院半导体研究所 博士
2000-09--2003-08 山东大学 硕士
1996-09--2000-08 山东大学 学士


学历

学位
工作经历

工作简历 2015-01--2015-09 中国科学院半导体研究所 研究员
2009-01--2013-06 中国科学院半导体研究所 副研究员
2006-07--2009-01 中国科学院半导体研究所 助理研究员


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息 （1） 深紫外LED关键材料与器件技术，院级级，2013
（2） 高效大功率GaN LED 外延及芯片技术，院级级，2013
（3） 高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术，一等奖，省级，2012
（4） 高效半导体照明产业化集成技术研究与开发，一等奖，其他级，2012


专利成果 （1） 具有空气桥结构发光二极管的制作方法，发明，2012，第4作者，专利号：**2.2
（2） 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置，发明，2006，第1作者，专利号：ZL **5.9
（3） 在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法，发明，2009，第1作者，专利号：**9.4
（4） 一种Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法，发明，2012，第2作者，专利号：**3.6
（5） 蓝宝石纳米碗阵列图形衬底的制作方法，发明，2012，第4作者，专利号：**3.9
（6） 在低位错GaN纳米柱上外延LED的方法，发明，2011，第3作者，专利号：**1.1
（7） 一种提高紫外LED输出功率的方法，发明，2011，第2作者，专利号：**7.8
（8） 具有应力释放层的绿光LED外延结构及制作法，发明，2013，第2作者，专利号：**3.8
（9） 一种提高发光效率的LED结构，发明，2014，第2作者，专利号：**0.8
（10） 一种控制半导体LED外延片内应力的装置，发明，2014，第2作者，专利号：**7.X
（11） 提高Si衬底LED出光效率的外延结构，发明，2014，第3作者，专利号：**5.X

出版信息

发表论文 （1） Promotion of electron confinement and hole injection in GaN-based green light-emitting diodes with a hybrid electron blocking layer，Journal of Physics D-Applied Physics，2015，第3作者
（2） The Effects of Mg Back Diffusion Capping Layers on the Performance Enhancement of Blue Light Emitting Diodes With a p-InGaN Last Barrier，JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY，2015，第4作者
（3） Influence of AlGaN Electron Blocking Layer on Modulation Bandwidth of GaN-Based Light Emitting Diodes，Ecs Solid State Letters，2015，第5作者
（4） The Effect of Growth Pressure and Growth Rate on the Properties of Mg-doped GaN，Journal of Electronic Materials，2014，第5作者
（5） Enhanced performance of InGaN-based light emitting diodes through a special etch and regrown process in n-GaN layer，OPTICS EXPRESS，2014，第5作者
（6） Advantages of InGaN/GaN light emitting diodes with p-GaN grown under high pressure，Journal of Semiconductors ，2014，第3作者
（7） Elimination of Defects in In-Mg Codoped GaN Layers Probed by Strain Analysis，Japanese Journal of Applied Physics. ，2014，第2作者
（8） Competition between polarization field and defects，Chinese physics letter，2013，第2作者
（9） Reduction of Efficiency Droop and Modification of Polarization Fields of InGaN-Based Green Light-Emitting diodes via Mg-doping in the barriers ，Chin. Phys. Lett，2013，第2作者
（10） Modification of Carrier Distribution in Dual-wavelength Lighting-emitting Diodes by Specified Mg Doped Barrier，Photonics Technology Letters，2013，第5作者
（11） Thermal Management forLED Application，Springer，2013，第3作者
（12） Improved hole distribution in InGaN/GaN dual wavelength light emitting diodes with Mg doped quantum-wells，Phys. Status Solidi A，2012，第4作者
（13） Effect of the graded electron blocking layer on the emission properties of ，APPLIED PHYSICS LETTERS，2012，第2作者


发表著作 （1） LED热行为的物理基础，Solid state physics fundamentals of LED thermal behavior，Springer，2013-06，第3作者

科研活动

科研项目 （1） 高铟组分氮化镓基绿光半导体固态光源外延技术开发，主持，国家级，2014-01--2016-12
（2） 半导体照明高级研修，主持，部委级，2012-06--2013-07
（3） 半导体照明产品检测与质量认证平台建设，主持，国家级，2011-09--2013-09
（4） 高效氮化物LED异质结构设计与量子效率提升研究，参与，国家级，2011-06--2015-07


参与会议 （1） Morphology evolution of GaN nanorods by selective area growth from randomly distributed openings，2015-08，liuzhe
（2） Research on efficiency improvement of InGaN-based LEDs，2015-06，Zhe Liu
（3） Color Shift of LED，2014-04，zhe liu
（4） Green LEDs ，2013-05，liuzhe

合作情况

项目协作单位
指导学生现指导学生

冯梁森 硕士研究生 080501-材料物理与化学

杨杰 硕士研究生 080501-材料物理与化学