1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
马骁宇 男 博导 中国科学院半导体研究所
电子邮件： maxy@semi.ac.cn
通信地址： 海淀区清华东路甲35号
邮政编码： 100083
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向大功率半导体激光器

教育背景1984-09--1987-06 吉林大学 理学硕士
1979-09--1984-06 吉林大学 理学学士


学历

学位
工作经历

工作简历2007-12~现在, 中国科学院半导体研究所, 二级研究员
1997-11~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
1993-10~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
1987-07~现在, 中国科学院半导体研究所, 助理研究员
1984-09~1987-06,吉林大学, 理学硕士
1979-09~1984-06,吉林大学, 理学学士


社会兼职2010-08-01-今,中国光学学会第四届激光专业委员会委员, 委员
2007-11-10-今,电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室学术委员会委员, 委员
2003-05-30-今,光电子专业组成员, 成员
2002-03-30-今,高功率半导体激光国防科技重点实验室学术委员会委员, 委员

教授课程
专利与奖励

奖励信息（1）大功率激光二极管及组件,省级,2012
（2）超辐射发光二极管模块,部委级,2009
（3）LD泵浦源封装准直整形技术研究,部委级,2009
（4）670nm半导体量子阱激光器批量生产,部委级,2001
（5）高功率激光二极管列阵,部委级,2000
（6）670nm半导体量子阱激光器批量生产,国家级,1999


专利成果（ 1 ）光纤放大器种子源模块,2010,第 5 作者,专利号: **3.6
（ 2 ）高功率非对称宽波导980nm半导体激光器结构,2010,第 4 作者,专利号: **1.2
（ 3 ）一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法,2010,第 4 作者,专利号: **2.8
（ 4 ）半导体激光二极管发光单元及器件,2012,第 4 作者,专利号: ZL**4.0
（ 5 ）晶园表面脱液处理装置,2011,第 1 作者,专利号: ZL**2.8

出版信息

发表论文（1） 高功率激光二极管最近进展, Recent Development in High Power Semiconductor Diode Lasers, Optoelectronics-Devices and Applications, 2011, 第 2 作者
（2） 大功率宽条分布反馈激光器研究, Study of High-Power Broad Area Distributed-Feedback Laser, 中国激光, 2011, 第 5 作者
（3） 新型激光二极管列阵光束整形方法, Novel Beam-Shaping Method for LDA, 半导体技术, 2010, 第 5 作者
（4） 140W高功率非对称宽波导980nm半导体激光器, 140W high power asymmetric broad waveguide 980nm semiconductor laser, 光电子.激光, 2009, 第 5 作者
（5） 高功率激光二极管进展, Advances in High Power Semiconductor Diode Lasers, SPIE Potonics Asia 2007（SPIE -6824-1), 2007, 第 1 作者


发表著作（ 1 ）大功率半导体激光器的发展与应用, The development and Applications of High Power Laser Diodes, 化学工业出版社《中国材料工程大典》第12卷第11篇, 2006-03, 第 1 作者

科研活动

科研项目（ 1 ）高效率准连续激光二极管, 主持, 国家级, 2009-01--2012-12
（ 2 ）专项技改, 主持, 国家级, 2013-06--2015-12
（ 3 ）高能固体激光技改, 主持, 国家级, 2010-06--2014-08


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生