1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
毛旭 男 硕导 半导体研究所
电子邮件:maoxu@semi.ac.cn
通信地址:北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码:100083
研究领域
招生信息
招生专业 微电子学与固体电子学
招生方向 MEMS器件,惯性器件,光电器件,微系统封装
教育背景 2006-07--2009-03 北京大学信息学院 博士后
2002-09--2006-07 中国电子科技集团第十二研究所 博士学位
1996-09--1999-07 云南大学物理系 硕士学位
1992-09--1996-07 云南大学物理系 学士学位
学历
学位
工作经历
工作简历 2009-04--今 中国科学院半导体研究所 副研究员
1999-07--2002-09 云南大学材料系 讲师
社会兼职
教授课程
专利与奖励
奖励信息 (1) Si基薄膜理论和实验研究,三等奖,省级,2003
专利成果 (1) 基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法,发明,2012,第1作者,专利号:ZL.**5.1
(2) 一种快速射频微机械开关,发明,2012,第3作者,专利号:**7.2
(3) 基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置,发明,2011,第1作者,专利号:**5.4
(4) 一种提高光刻胶曝光精度的方法,发明,2011,第1作者,专利号:**2.7
(5) 阵列型微机电可变光衰减器,发明,2013,第1作者,专利号:**6.5
(6) 一种挡光式微机电可变光衰减器的制作方法,发明,2013,第1作者,专利号:**5.4
(7) 一种挡光式微机电可变光衰减器,发明,2013,第1作者,专利号:**7.3
(8) 晶圆级光刻机键合方法,发明,2015,第1作者,专利号:**9.1
出版信息
发表论文 (1) A novel MEMS actuator with large lateral stroke driven by Lorentz force,Journal of MicromechanicsMicroengineering,2015,第3作者
(2) A novel MEMS actuator with large lateral stroke driven by Lorentz force,Sensors and Actuators A: Physical,2015,第3作者
(3) A Wafer-Level Sn-Rich Au–Sn Bonding Technique and Its Application in Surface Plasmon Resonance Sensors,CHIN. PHYS. LETT.,2014,第1作者
(4) A single-mask dry-release process for fabrication of high aspect ratio SOI MEMS devices,Science China-Technological Sciences,2013,第3作者
(5) Two new methods to improve the lithography precision for SU-8 photoresist on glass substrate,J. Microelectromech. Syst.,2013,第1作者
(6) Sn-Rich Au-Sn Hermetic Packaging at Wafer Level and Its Application in SPR Sensor, IEEE–NEMS2013,2013,第1作者
(7) A wafer-level Sn-rich Au–Sn intermediate bonding technique with high strength,J. Micromech. Microeng,2013,第2作者
(8) Two new methods to improve the lithography precision for SU-8 photoresist on glass substrate,IEEE MEMS 2012,2012,第1作者
(9) A single mask dry releasing process for making high aspect ratio SOI mems devices,IEEE-NEMS 2010,2010,第2作者
(10) 采用防Footing工艺加工的SOI 微加速度计,纳米技术与精密工程,2010,第1作者
(11) The Method of Prevent Footing Effect in Making SOI Micro-mechanical Structure, IEEE–NEMS2009,2009,第1作者
(12) Fabrication of SOI MEMS Inertial Sensors with Dry Releasing Process,IEEE SENSORS 2009 ,2009,第1作者
发表著作
科研活动
科研项目 (1) MEMS红外光学调制器研究,主持,部委级,2013-03--2014-12
(2) 集成微流道及其肿瘤标志物检测中的应用,参与,国家级,2013-01--2015-12
(3) 基于微纳谐振结构的高灵敏、原位快速生化检测方法研究,主持,国家级,2011-11--2013-12
(4) 水环境监测无线网络微传感器芯片系统基础研究(封装研究),参与,国家级,2009-01--2013-12
参与会议 (1) Sn-Rich Au-Sn Hermetic Packaging at Wafer Level and Its Application in SPR Sensor,2013-04,Xu Mao, Zhiqiang. Fang, Zhe Zhang, Jinling Yang, Zhimei Qi, and Fuhua Yang
(2) Two new methods to improve the lithography precision for SU-8 photoresist on glass substrate,2012-01,Xu Mao,Jinling Yang, An Ji, and Fuhua Yang
(3) A single mask dry releasing process for making high aspect ratio SOI mems devices,2010-04,Wei yumin, Mao Xu, Zhenchuan Yang, Guizhen Yan
合作情况
项目协作单位
指导学生
删除或更新信息,请邮件至freekaoyan#163.com(#换成@)
中国科学院大学研究生导师简介-毛旭
中国科学院大学 免费考研网/2016-05-09
相关话题/奖励 信息 系统 研究所 云南大学
2016年北京大学电子与信息领域工程博士生复试安排
经专家组对申请人的报名材料进行审核和学术素质评定,确定以下人员参加电子与信息领域工程博士生复试。有关事宜通知如下:一、复试时间1、电子与信息领域(软件工程方向)笔试时间:2016年4月17日 9:00-11:30地点:北京大学理科一号楼1544室面试时间:2016年4月17日 13:00-17:00地点:北京大学理科一号楼1504室复试名单: ...北京大学复试录取 本站小编 免费考研网 2016-05-102016年北京大学软件与微电子学院软件工程一级学科工学博士、电子与信息领域工程博士研究生拟录取名单公示
本公示名单根据报考专业及总成绩排序。具体名单如下,公示期为十个工作日,自2016年5月6日至2016年5月19日止。公示期间,如异议,请与学院招办联系,联系电话010-62767180、62767181,邮箱 zhaosheng@ss.pku.edu.cn。 ...北京大学复试录取 本站小编 免费考研网 2016-05-102015年北京大学计算机科学技术研究所优秀大学生夏令营通知(第一轮)
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一、组织管理: 我院成立复试与录取领导小组,由学院主管领导任组长,各专业负责人为小组成员。 各专业(或方向)成立5人专家复试小组,每一小组设组长一名、秘书一人,负责复试记录以及协调安排相关事宜。 二、复试规则: 1.复试规模:差额复试; 2.权重:初试成绩占总成绩的50%,复试成绩占总成 ...北京大学复试录取 本站小编 免费考研网 2016-05-10北京大学信息科学技术学院2016年全国硕士研究生入学考试初取名单公示
北京大学信息科学技术学院2016年全国硕士研究生入学考试初取名单现在开始公示,公示时间为2016年4月7日4月20日,公示期内如有异议,请联系eecsgrs@pku.edu.cn 或62757465。 序号 准考证号 姓名 录取专业 初试成绩 ...北京大学复试录取 本站小编 免费考研网 2016-05-10北京大学信息科学技术学院2016年推荐免试研究生名单公示
2016年推荐免试研究生名单现在开始公示,公示时间为2015年10月13日至2015年10月23日。如有异议请联系:eecsgrs@pku.edu.cn。 名单如下: 姓 名 推荐学校 推荐专业 拟录取专业 复试成绩 拟接收层次 ...北京大学复试录取 本站小编 免费考研网 2016-05-10