基本信息
潘教青 男 博导 半导体研究所
电子邮件：jqpan@semi.ac.cn
通信地址：海淀区清华东路甲35号
邮政编码：100083


招生信息

招生专业 微电子学与固体电子学



招生方向 TDLAS核心部件与系统研究
高迁移率CMOS器件研究

教育背景 2000-09--2003-06 山东大学 博士
1997-09--2000-06 山东大学 硕士
1993-09--1997-06 山东大学 学士


学历 山东大学 --** 研究生毕业


学位-- 工学博士学位

工作经历

工作简历 2011-06--今 中国科学院半导体研究所 研究员
2005-10--2011-06 中国科学院半导体研究所 副研究员
2003-07--2005-10 中国科学院半导体研究所 博士后

专利与奖励

奖励信息 （1） 中国电子学会，一等奖，部委级，2014


专利成果 （1） 应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法，发明，2012，第4作者，专利号：ZL.**7.6
（2） 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备，发明，2012，第4作者，专利号：ZL.**8.0
（3） 制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法，发明，2007，第1作者，专利号：ZL**9.2
（4） 窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法，发明，2008，第2作者，专利号：ZL**4.7
（5） 具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法，发明，2007，第3作者，专利号：ZL**8.5
（6） 吸收型增益耦合分布反馈激光器的制作方法，发明，2009，第3作者，专利号：ZL**0.5
（7） 倏逝波耦合型单一载流子行波光电探测器的制作方法，发明，2010，第5作者，专利号：ZL**7.6
（8） 取样光栅分布布拉格反射半导体激光器的制作方法，发明，2010，第3作者，专利号：ZL**9.4
（9） 低介电常数BCB树脂的固化方法，发明，2010，第3作者，专利号：ZL**3.0
（10） 一种制备高速电吸收调制器的方法，发明，2011，第2作者，专利号：ZL**2.3
（11） 异质掩埋激光器的制作方法，发明，2010，第5作者，专利号：ZL**7.4
（12） 分布放大的取样光栅分布布拉格反射可调谐激光器，发明，2012，第4作者，专利号：Zl**5.7
（13） 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法，发明，2012，第4作者，专利号：ZL**7.2
（14） 倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法，发明，2013，第4作者，专利号：ZL**0.6
（15） 一种制作双波长分布反馈集成激光器的方法，发明，2013，第2作者，专利号：ZL**7.5
（16） 采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法，发明，2013，第4作者，专利号：ZL**4.6
（17） 制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法，发明，2013，第4作者，专利号：Zl**7.8
（18） 基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法，发明，2013，第4作者，专利号：ZL**2.3
（19） METHOD OF MANUFACTURING SI-BASED HIGH-MOBILITY GROUP III-V/GE CHANNEL CMOS，发明，2015，第4作者，专利号：US **B2

指导学生现指导学生

刘震 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学

李召松 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学

米俊萍 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学

李梦珂 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学

李士颜 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学

王嘉琪 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学

王梦琦 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学

戴兴 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学

孔祥挺 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学

李亚节 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学

科研成果责完成大应变量子阱长波长半导体激光器的研制，研制的天然气检测用激光器已经达到实用水平，成果已经转移到企业，合作研发了系列传感仪器，在石油、煤炭等行业得到使用。其他气体激光传感，如氧气、HCl、FH、NH3、C2H2、CO、H2O、NOx、SOx等正在研发。

该项目获得中国电子学会科技进步二等奖：









负责硅基高迁移率材料，即硅基IIIV族材料的研究，成功在硅基上外延高质量的InGaAs材料，并制备NMOS器件。
在硅基材料上采用ART方法生长了高质量的二维电子气材料，可以制作高质量的硅基NMOS器件。

潘教青指导的博士研究生王火雷，实现了大功率量子阱激光器宽谱光源。研究结果以“Ultrabroad stimulated emission from quantum well laser”为题发表在Applied Physics Letters, vol. 104, p. 251101, （2014）。该成果发表后，被Nature Photonics, vol. 8, pp. 675-675, 2014.Research Highlights报道。该报道以Broadband lasers为标题，称该项研究对超短脉冲光源和多波长调谐光源方面的研究具有重要意义。











使用键合方法，在硅波导上结合InP激光器，制备了硅基混合集成阵列激光器光源。