1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
任迪远 男 博导 中国科学院新疆理化技术研究所
电子邮件： rendy@ms.xjb.ac.cn
通信地址： 乌鲁木齐北京南路40-1号
邮政编码： 830011
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向微电子学

教育背景1972-07--1976-04 新疆大学 大学


学历

学位
工作经历

工作简历2010-06~现在, 新疆理化所, 研究员
2002-03~2010-06,新疆理化所, 所长，研究员
1999-10~2002-03,新疆物理所, 所长，研究员
1997-07~1999-10,新疆物理所, 常务副所长，研究员
1995-07~1997-07,新疆物理所, 研究员，副所长
1986-07~1995-07,新疆物理所, 助研，副研
1977-09~1986-09,新疆物理所, 助工
1976-04~1977-09,新疆昌吉报社, 校对
1972-07~1976-04,新疆大学, 大学
1969-02~1972-07,国营芳草湖农场, 接受再教育


社会兼职2012-01-01-2014-12-31,国家973项目评审专家, 评委
2011-07-10-2013-07-31,新疆核学会, 理事长
2011-01-01-2014-12-31,国家973项目评审专家, 评委

教授课程
专利与奖励

奖励信息（1）双极器件和电路的不同剂量率的辐射效应研究,国家级,2009
（2）不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性,国家级,2005
（3）多元纳米压敏陶瓷材料及片式器件研制,部委级,2001
（4）PMOS剂量计的研制,省级,1999
（5）星用抗高电离总剂量器件和电路系统辐射损伤机理研究,省级,1998
（6）抗高电离辐射MOS新介质与损伤模拟分析技术的研究,部委级,1997
（7）抗辐射加固技术——元器件新结构新工艺研究,国家级,1992
（8）CMOS电路电离辐射效应及其加固的研究,省级,1992
（9）CMOS电路电离辐射效应及其加固的研究,部委级,1989
（10）CMOS电路辐射效应及其加固,省级,1986


专利成果
出版信息

发表论文（1） 不同偏置下电流反馈运算放大器的电离辐射效应, 原子能科学技术, 2011, 第 3 作者
（2） 10位CMOS模数转换器高低剂量率的辐射效应, 核电子学与探测技术, 2011, 第 3 作者
（3） The enhanced low dose rate sensitivity of a linear voltage regulator with different biases, Journal of Semiconductors, 2011, 第 3 作者
（4） 不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应, 原子能科学技术, 2011, 第 3 作者
（5） 工艺条件对双极晶体管ELDRS效应的影响, 原子能科学技术, 2010, 第 2 作者
（6） ELDRS and dose-rate dependence of vertical NPN transistor, Chiense PhysicsC, 2009, 第 3 作者
（7） 不同发射极面积NPN晶体管高低剂量率辐射损伤特性, 物理学报, 2009, 第 3 作者
（8） 不同60Coγ剂量率下10位双极D/A转换器的总剂量效应, 原子能科学技术, 2009, 第 3 作者
（9） An Accelerated Simulation Method for ELDRS of Bipolar Operational Amplifiers Using a Dose-Rate Switching Experiment, Journal of Semiconductors, 2008, 第 2 作者
（10） 双极器件和电路的不同剂量率的辐射效应研究, 固体电子学研究与进展, 2006, 第 1 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）低剂量率辐射效应研究, 主持, 国家级, 2011-01--2015-12
（ 2 ）辐射效应试验研究, 主持, 研究所（学校）, 2011-01--2016-12
（ 3 ）低剂量率辐射损伤研究, 主持, 部委级, 2011-06--2014-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生