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中国科学院大学研究生导师简介-施尔畏

中国科学院大学 免费考研网/2016-05-09

1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
施尔畏 男 博导 中国科学院上海硅酸盐研究所
电子邮件: ewshi@mail.sic.ac.cn
通信地址: 上海市定西路1295号
邮政编码: 200050
研究领域
招生信息

招生专业080502


招生方向宽禁带半导体材料,新型压电晶体探索

教育背景1985-09--1991-06 中国科学院上海硅酸盐研究所 博士


学历

学位
工作经历

工作简历1997-07~现在, 中国科学院上海硅酸盐研究所, 研究员
1992-12~1997-07,中国科学院上海硅酸盐研究所, 助理研究员,副研究员
1991-12~1992-12,韩国釜山大学物理系, 博士后
1985-09~1991-06,中国科学院上海硅酸盐研究所, 博士


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果( 1 )正对电极结构,SiC光导开关及其它们的制造方法,2011,第 5 作者,专利号: **1.2
( 2 )碳化硅单晶表面多级化学机械抛光方法,2009,第 3 作者,专利号: ZL **1.0
( 3 )一种高纯半绝缘碳化硅体单晶的生长装置,2010,第 3 作者,专利号: ZL **4.4
( 4 )基于物理气相传输技术生长碳化硅体单晶方法及其装置,2010,第 3 作者,专利号: ZL **2.5
( 5 )一种大功率光电导开关测试装置及其应用,2009,第 4 作者,专利号: **1.
( 6 )一种光控碳化硅光电导开关,2010,第 4 作者,专利号: **2.8
( 7 )碳化硅衬底用抛光液,2010,第 2 作者,专利号: **7.4
( 8 )双室结构碳化硅晶体生长装置,2010,第 2 作者,专利号: PCT/CN2010/074204
( 9 )Apparatus with Two-Chamber Structure for Growing Silicon Carbide Crystals,2011,第 2 作者,专利号: 13/379608(U.S.)
( 10 )晶体生长炉,2009,第 2 作者,专利号: ZL**5.9
( 11 )一种高质量应变的Ge/SiGe超晶格结构及其制备方法,2011,第 3 作者,专利号: **2.0
( 12 )一种气相晶体生长压力自动控制系统,2007,第 2 作者,专利号: **1.0
( 13 )溶胶-凝胶法制备高温铁磁性的ZnO:(Co,Al)纳米材料的方法,2006,第 2 作者,专利号: ZL**7.9
( 14 )利用电磁场约束电感耦合等离子体溅射沉积法制备ZnO基稀磁半导体薄膜,2006,第 2 作者,专利号: ZL**8.3
( 15 )坩埚升降法补充熔料生长晶体的装置和方法,2004,第 3 作者,专利号: ZL**5.8
( 16 )一种熔料补充生长晶体的装置和方法,2003,第 3 作者,专利号: ZL**4.0
( 17 )一种具有内禀铁磁性ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法,2011,第 4 作者,专利号: **8.6
( 18 )一种大尺寸钙-稀土硼酸盐晶体的制备方法,2011,第 4 作者,专利号: **8.5
( 19 )一种Al掺杂的氧化锌透明导电薄膜的制备方法,2010,第 4 作者,专利号: **2.7
( 20 )一种弛豫SiGe虚拟衬底及其制备方法,2010,第 3 作者,专利号: **6.9
( 21 )一种过渡金属掺杂氧化锌晶体及其水热法生长方法,2006,第 2 作者,专利号: **8.3
( 22 )一种电感耦合溅射制备稳定空穴型氧化锌薄膜的方法,2006,第 2 作者,专利号: ZL**4.5
( 23 )一种化学气相传输方法生长氧化锌晶体的方法,2006,第 2 作者,专利号: ZL**5.X
( 24 )一种气相晶体生长压力自动控制系统,2007,第 2 作者,专利号: **1.0,
( 25 )一种高耐压碳化硅光导开关,2008,第 2 作者,专利号: ZL**5.9
( 26 )一种硅酸镓钡晶体及其制备方法和用途,2007,第 3 作者,专利号: **7.3
( 27 )一种硅酸镓锑基压电单晶,2007,第 3 作者,专利号: **8.8
( 28 )四晶格位结构压电晶体,2007,第 3 作者,专利号: **0.5
( 29 )压电晶体元件,2009,第 5 作者,专利号: **5.8
( 30 )双室结构碳化硅晶体生长装置,2009,第 2 作者,专利号: ZL**8.9
( 31 )高品质大碳化硅单晶的制备方法及用其制备的碳化硅单晶,2009,第 3 作者,专利号: ZL**8.3
( 32 )一种晶片清洗干燥架,2009,第 3 作者,专利号: ZL **8.6
( 33 )压电晶体元件,2009,第 5 作者,专利号: ZL**5.8

出版信息

发表论文(1) Influence of Ga doping on the Cr valence state and ferromagnetism in Cr: ZnO films, Applied Physics Letters, 2013, 第 5 作者
(2) InfluenceofmoleratioofSi:Conthemagnetic property of undoped and vanadium carbide doped 3C-SiC, Chemical Physics Letters, 2013, 第 5 作者
(3) Effect of vanadium on the room temperature ferromagnetism of V-doped 6H-SiC powder, Chinese Physics B, 2013, 第 5 作者
(4) Effect of Surface Morphology on the On-state Resistance of SiC Photoconductive Semiconductor Switches, Material Science Forum, 2012, 第 5 作者
(5) The surface morphological evolution of ultrathin SiC buffer layer grown on Si (100) substrate by APCVD, Journal of Materials Research, 2012, 第 5 作者
(6) Effect of propane/silane ratio on the growth of 3C-SiC thin films on Si (100) substrates by APCVD, Applied Surface Sciences, 2012, 第 5 作者
(7) Effects of substrate crystallinity on the on-state resistance of 6H-SiC photoconductive switches, Journal of Materials Research, 2012, 第 5 作者
(8) Direct observation of nanoscale native oxide on 6H-SiC surface and its effect on the surface band bending, Applied Physics Express, 2012, 第 5 作者
(9) Influence of surface bow on reconstruction of 2-inch-SiC (0001) wafer, Journal of Applied Physics, 2012, 第 5 作者
(10) Fabrication of Ti ohmic contact to n-type 6H-SiC without high-temperature anneal, Chinese Physics B, 2012, 第 5 作者
(11) Defects mediated ferromagnetism in V-doped 6H-SiC single crystal, Chinese Physics B, 2012, 第 5 作者
(12) 拉曼面扫描表征氮掺杂6H-SiC晶体多型分布, 无机材料学报, 2012, 第 5 作者
(13) 4H-SiC高速同质外延研究, 无机材料学报, 2012, 第 5 作者
(14) 正对电极结构型碳化硅光导开关的制备与性能研究, 无机材料学报, 2012, 第 5 作者
(15) Investigation of room temperature ferromagnetism of 3C-SiC by vanadium carbide doping, Applied Physics Letters, 2012, 第 5 作者
(16) Study of nitrogen concentration in silicon carbide, Journal of Electronic Materials, 2012, 第 5 作者
(17) Synthesis of source powder for SiC crystal growth using high purity silicon and carbon powder, Advanced Materials Research, 2012, 第 5 作者
(18) Ionized zinc vacancy mediated ferromagnetism in copper doped ZnO thin film, AIP advanc 2, 2012, 第 5 作者
(19) Defect enhanced ferromagnetism in Cu-doped ZnO thin film, Solid State Communications, 2012, 第 5 作者
(20) Characterization of polytype distrubution in Nitrogen-doped 6H-SiC single crystal by Raman mapping, Journal of Inorganic Materials, 2012, 第 5 作者
(21) (Cu,Al)掺杂ZnO薄膜表面处缺陷的拉曼光谱研究, 发光学报, 2012, 第 5 作者
(22) Oxygen enhanced ferromagnetism in Cr-doped ZnO films, Applied Physics Letters, 2011, 第 5 作者
(23) Multi-roles of Cu ions in the ferromagnetic properties of (Cu,Al)-codoped ZnO thin films, Journal of Crystal Growth, 2011, 第 5 作者
(24) Romm-temperature anomalous Hall effect and magnetroresisance in (Ga,Co)-codoped ZnO diluted magnetic semiconductor films, Chinese Physics, 2011, 第 3 作者
(25) structural, optical and electrical properties of Ga-doped and (Ga,Co)-codoped ZuO films, Journal of crystal growth, 2010, 第 4 作者
(26) analysis of donor-acceptor pairs and titanium related luminescence in different compensated 6H-SiC single ceystals, materials science and engineering, 2010, 第 4 作者
(27) 组合材料方法研究膜厚对Ni/SiC电极接触性质的影响, 物理学报, 2010, 第 4 作者
(28) the behavior of powder sublimation in the long-term PVT growth of SiC crystals, Journal of crystal growth, 2010, 第 4 作者
(29) 原料空隙率对6H-SiC晶体生长初期的影响, 无机材料学报, 2010, 第 4 作者
(30) single crystal growth of MgO-doped near-stoichiometric lithium niobate crystals and fabrication of Ti:PPLN devices, journal of crystal growth, 2009, 第 5 作者
(31) synthesis of SiC manoparticles by template confined method, journal of inorganic materials, 2009, 第 3 作者
(32) the local structure and charge transfer properties of Co-doped ZnO thin films, Acta physica sinica, 2009, 第 3 作者


发表著作( 1 )水热结晶学, Hydrothermal crystallization, 科学出版社, 2004-09, 第 1 作者
( 2 )关于研究所管理, on the management of research insititutes, 科学出版社, 2007-08, 第 1 作者
( 3 )建设创新中国引领未来发展, Promoting innovation in China, 科学出版社, 2008-01, 第 1 作者
( 4 )观察与思考, Observation and deliberation, 科学出版社, 2010-05, 第 1 作者
( 5 )碳化硅晶体生长与缺陷, the growth and defects of silicon carbide crystal, 科学出版社, 2012-06, 第 1 作者

科研活动

科研项目( 1 )双室结构型SiC单晶生长炉研制及工艺开发, 参与, 国家级, 2009-01--2012-12
( 2 )SiC衬底与外延制备技术开发, 参与, 省级, 2011-08--2013-09
( 3 )SiC衬底开发, 参与, 部委级, 2011-01--2014-12
( 4 )SiC晶体研究, 参与, 部委级, 2012-06--2014-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生

相关话题/结构 材料 中国科学院 上海硅酸盐研究所 专利号

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    本站小编 Free壹佰分学习网 2022-09-19