1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
宋三年 男 硕导 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件： songsannian@mail.sim.ac.cn
通信地址： 上海是长宁路865号
邮政编码： 200050
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向微电子学与固体电子学

教育背景2003-10--2008-09 同济大学 博士


学历

学位
工作经历

工作简历2008-11~2010-12,中科院上海微系统与信息技术研究所, 博士后
2003-10~2008-09,同济大学, 博士


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果（ 1 ）低功耗抗疲劳的相变存储单元及制备方法,2012,第 1 作者,专利号: **8.3
（ 2 ）导电氧化物过渡层及含该过渡层的相变存储器单元,2012,第 1 作者,专利号: **8.4
（ 3 ）低功耗高稳定性的相变存储单元及制备方法,2011,第 2 作者,专利号: **1.X
（ 4 ）一种纳米复合相变材料及其制备与应用,2011,第 1 作者,专利号: **1.5
（ 5 ）制备相变材料的溅射靶材的方法,2011,第 3 作者,专利号: **0.3
（ 6 ）一种纳米复合相变材料及其制备方法,2010,第 1 作者,专利号: **4.1
（ 7 ）纳米复合相变材料、制备方法及其在相变存储器中的应用,2013,第 2 作者,专利号: **2.5
（ 8 ）一种复合相变材料靶材及其制备与应用,2012,第 3 作者,专利号: **9.0
（ 9 ）制备钛-锑-碲相变材料的方法及相变存储单元制备方法,2012,第 1 作者,专利号: **84
（ 10 ）用于相变存储器的薄膜材料及其制备方法,2013,第 2 作者,专利号: **3.0
（ 11 ）纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途,2012,第 1 作者,专利号: **2.8
（ 12 ）一种Ti-Sb2Te相变存储材料,2013,第 5 作者,专利号: **8.8
（ 13 ）复合相变存储材料、制备复合相变存储材料薄膜的方法,2013,第 5 作者,专利号: **0.7
（ 14 ）钨-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元制备方法,2012,第 1 作者,专利号: **60

出版信息

发表论文（1） Characterization of the thermal properties for Si-implanted Sb2Te3 phase change material, Applied Physics Letters, 2013, 第 5 作者
（2） Investigation of Ge-Sn-Te alloy for long data retention and high speed phase change memory application, Applied Physics Letters, 2013, 第 5 作者
（3） Phase-change material Ge0.61Sb2Te for application in high-speed phase change random access memory, Applied Physics Letters, 2013, 第 5 作者
（4） Performance improvement of Ge-Sb-Te material by GaSb doping for phase change memory, Applied Physics Letters, 2013, 第 5 作者
（5） Phase-change behaviors of Sb80Te20/SbSe nanocomposite multilayer films, Scripta Materialia, 2013, 第 5 作者
（6） Characterization of Cu doping on GeTe for phase change memory application, Journal of Applied Physics, 2013, 第 5 作者
（7） Performance improvement of phase-change memory cell with atomic layer deposition titanium dioxide buffer layer, Nanoscale Research Letters, 2013, 第 1 作者
（8） Characteristics and mechanism of Al1.3Sb3Te etched by Cl2/ BCl3 inductively coupled plasmas, Microelectronic Engineering, 2013, 第 5 作者
（9） Superlattice-like Sb50Se50/Ga30Sb70 thin films for high-speed and high density phase change memory application, Applied Physics Letters, 2013, 第 5 作者
（10） Al19Sb54Se27 material for high stability and high-speed phase-change memory applications, Scripta Materialia, 2013, 第 4 作者
（11） Oxygen-doped Sb4Te phase change films for high-temperature data retention and low-power application, Journal of Alloys and Compounds, 2013, 第 3 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）钛锑碲相变材料的相变机理与微缩特性研究, 主持, 国家级, 2014-01--2017-12
（ 2 ）半导体存储器制备与测试平台, 参与, 省级, 2013-12--2015-11
（ 3 ）钛锑碲相变材料的相变机理与尺寸效应研究, 主持, 省级, 2013-07--2014-06


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生