1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
宋志棠 男 博导 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件： ztsong@mail.sim.ac.cn
通信地址： 上海市长宁路865号8号楼401室
邮政编码： 200050
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向纳电子材料与器件

教育背景1998-02--1999-11 中科院上海微系统所 博士后
1994-09--1997-11 西安交通大学 工学博士
1989-09--1992-07 西安交通大学 工学硕士
1981-09--1985-07 山西大学物理系 理学学士


学历

学位
工作经历

工作简历2013-01~现在, 信息功能材料国家重点实验室, 主任
2010-10~现在, 中科院上海微系统所 , 所长助理
2006-01~2010-10,中科院上海微系统所纳米技研究室, 研究员 主任 博导
2003-01~现在, 信息功能材料国家重点实验室, 副主任
2002-10~2005-12,半导体薄膜国家工程技术研究中心 , 研究员 主任 博导
2001-03~2002-10,中科院上海微系统所业务处, 处长
2000-05~2001-03,香港理工大学应用物理系, R. F.（高级访问学者）R. A.（助理研究员）
1999-12~2000-05,中科院上海微系统所, 副研究员
1998-02~1999-11,中科院上海微系统所, 博士后
1994-09~1997-11,西安交通大学, 工学博士
1992-07~1994-08,榆次经纬纺织机械厂, 工程师
1989-09~1992-07,西安交通大学, 工学硕士
1985-07~1989-08,太原重型机械学院, 助教
1981-09~1985-07,山西大学物理系, 理学学士


社会兼职2012-06-05-今,上海市真空学会,
2010-04-15-今,全国纳米技术标准化技术委员纳米加工分委员会, 秘书长
2008-07-01-今,市（地级）政协委员,
2001-03-01-今,九三学社委员,

教授课程相变存储技术基础

专利与奖励

奖励信息（1）国务院特殊津贴,院级,2009
（2）上海市领军人才,院级,2009
（3）新世纪百千万人才工程国家级人选,院级,2009
（4）中科院朱李月华优秀教师,院级,2009
（5）中科院院长特别奖导师,,2009
（6）上海市纳米科技创新论坛“创新之星”银奖,部委级,2008
（7）上海市长宁区先进工作者,院级,2007
（8）国家科技进步一等奖,国家级,2006
（9）中科院研究生院优秀教师,院级,2006
（10）上海市优秀学科带头人,院级,2006
（11）上海市中长期科学发展规划纲要编制荣誉证书等称号与奖励,院级,2006
（12）上海市科技进步一等奖,国家级,2006
（13）第五届中国国际发明展览会银奖,部委级,2004
（14）上海新泰个人优秀奖,,2003
（15）上海市科技启明星,院级,1999
（16）上海市优秀博士后,院级,1999


专利成果（ 1 ）蓝宝石衬底及抛光方法与应用,2011,第 2 作者,专利号: **3.8
（ 2 ）一种用作超纯硅溶胶生产原料的水玻璃的生产方法,2011,第 2 作者,专利号: **6.
（ 3 ）制备相变材料的溅射靶材的方法,2011,第 1 作者,专利号: **0.3
（ 4 ）一种新型存储系统,2011,第 1 作者,专利号: **8.4
（ 5 ）掺杂改性的相变材料及含该材料的相变存储器单元及其制备方法,2011,第 2 作者,专利号: **9.4
（ 6 ）一种提高相变存储器编程速度的系统及方法,2011,第 2 作者,专利号: **2.0
（ 7 ）电阻转换存储器及其制造方法,2011,第 2 作者,专利号: **4.1
（ 8 ）一种硅溶胶晶种的制备方法,2011,第 2 作者,专利号: **1.2
（ 9 ）相变存储单元的读写驱动电路,2011,第 2 作者,专利号: **4.8
（ 10 ）一种纳米复合相变材料的制备方法,2011,第 2 作者,专利号: **7.1
（ 11 ）基于含锑的肖特基二极管及自对准制造方法,2011,第 2 作者,专利号: **3.6
（ 12 ）动态相变存储器,2011,第 2 作者,专利号: **1.3

出版信息

发表论文（1） One Order of Magnitude Faster Phase Change at Reduced Power in Ti-Sb-Te, Nature Communication, 2014, 第 5 作者
（2） Understanding Phase-Change Behaviors of Carbon-Doped Ge2Sb2Te5, ACS Appl. Mater. Interfaces, 2014, 第 5 作者
（3） High-Speed Phase Change Memory Applications, Applied Physics Letters, 2014, 第 4 作者
（4） The Micro-Structure and Composition Evolution of Ti-Sb-Te Alloy during Reversible Phase Transition in Phase Change Memory, Applied Physics Letters, 2014, 第 4 作者
（5） Nitrogen-doped Sb-rich Si-Sb-Te Phase-change Material for High Performance Phase-change Memory, Acta Materialia, 2013, 第 3 作者
（6） Phase transition characteristics of Al-Sb phase change materials for phase change memory application, Applied Physics Letters, 2013, 第 3 作者
（7） Carbon-doped Ge2Sb2Te5 phase change material: A candidate for highdensity phase change memory application, Applied Physics Letters, 2012, 第 3 作者
（8） Ti10Sb60Te30 for Phase Change Memory with High-Temperature Data Retention and Rapid crystallization speed, Applied Physics Letters, 2012, 第 3 作者
（9） Stress reduction and performance improvement of phase change memory cell by using Ge2Sb2Te5-TaOx composite films, J. Appl. Phys., 2011, 第 2 作者
（10） Ga14Sb86 film for ultralong data retention phase-change memory, J. Appl. Phys, 2011, 第 3 作者
（11） Study on TiO2-doped Ge2Te3 films for phase-change memory application, J. Phys. D: Appl. Phys, 2011, 第 3 作者
（12） Si–Sb–Te materials for phase change memory applications, Nanotechnology, 2011, 第 2 作者
（13） Nano composite Si2Sb2Te film for phase change memory, Thin Solid Films, 2011, 第 4 作者
（14） Complexing between additives and ceria abrasives used for polishing silicon dioxide and silicon nitride films, Electrochemical and Solid-State Letters, 2011, 第 3 作者
（15） Ab initio study of Sb2SexTe3-x (x=0, 1, 2) phase change materials, Solid State Sciences, 2011, 第 3 作者
（16） Experimental and theoretical study of silicon-doped Sb2Te3 thin films: Structure and phase stability, Appl. Surf. Sci, 2011, 第 3 作者
（17） Temperature model for Ge2Sb2Te5 phase change memory in electrical memory device, Solid-State Electronics, 2011, 第 2 作者
（18） A compact spice model with Verilog-A for phase change memory, Chin. Phys. Lett, 2011, 第 2 作者
（19） Study on the crystallization behaviors of Si2Sb2Tex materials, Scripta Materialia, 2011, 第 3 作者
（20） Mechanism of oxidation on Si2Sb2Te5 phase change material and its application, Jpn. J. Appl. Phys, 2011, 第 2 作者
（21） Effect of hydrogen peroxide concentration on surface micro- roughness of silicon wafer after final polishing, Microelectronic Engineering, 2011, 第 2 作者
（22） Influence of pH and Abrasive Concentration on Polishing Rate of Amorphous Ge2Sb2Te5 Film in Chemical Mechanical Polishing, Journal of Vacuum Science Technology B, 2011, 第 3 作者


发表著作（ 1 ）相变存储器, Phase Change Memory, 科学出版社, 2010-02, 第 1 作者
（ 2 ）相变存储器与应用基础, Phase change memory and its application, 科学出版社, 2013-09, 第 1 作者

科研活动

科研项目（ 1 ）半导体相变存储器, 主持, 国家级, 2013-04--2015-08
（ 2 ）高密度相变存储器技术, 主持, 国家级, 2013-06--2017-12
（ 3 ）45nm相变存储器工程化关键技术与应用, 参与, 国家级, 2009-01--2014-12


参与会议（1）Phase Change Materials and Random Access Memory 宋志棠 2010-12-16
（2）Phase Change Materials and Random Access Memory 宋志棠 2009-03-16
（3）产研互动和自主创新并重的纳电子器件发展之路 中国材料研讨会纳米材料分会 宋志棠 2008-10-22
（4）PCRAM材料与器件 第十二届全国电介质物理、材料与应用学术会议 宋志棠 2008-08-18

合作情况

项目协作单位
指导学生