基本信息
唐恒敬 男 硕导 上海技术物理研究所
电子邮件：hjtang@mail.sitp.ac.cn
通信地址：上海市玉田路500号
邮政编码：200083


研究领域
招生信息

招生专业 微电子学与固体电子学



招生方向 半导体器件物理


教育背景 2006-04--2009-02 中国科学院上海技术物理研究所 博士


学历

学位
工作经历

工作简历 2011-09--今 中国科学院上海技术物理研究所 副研究员
2009-03--2011-08 中国科学院上海技术物理研究所 助理研究员


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果 （1） InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片，发明，2009，第1作者，专利号：**4.9 ，在多个国家工程和科研项目中得到应用。
（2） 背照射铟镓砷微台面探测器芯片及制备工艺，发明，2009，第1作者，专利号：**2.8，在多个国家工程和科研项目中得到应用
（3） 一种测量InGaAs探测器偏振敏感响应的装置，发明，2010，第1作者，专利号：**3.3
（4）铟镓砷台面列阵探测器芯片的台面钝化膜及制备方法，发明，2009，第2作者，专利号：**9.6
（5） 一种平面结构铟镓砷阵列红外探测器，发明，2010，第4作者，专利号：**1.0

出版信息

发表论文 （1） Application of SCM and LBIC in detector design for planar InP/InGaAs photodiode with guard-ring structure，Journal of Infrared and Millimeter Waves，2011，第2作者
（2） InGaAs探测器偏振响应特性的实验研究，激光与光电子学进展，2011，第1作者
（3） Study on suppression of extension of photo-sensitive area for planar-type front-illuminated InGaAs detector by LBIC technique，Journal of Semiconductors，2010，第2作者
（4） InP/InxGa1-xAs异质结构中Zn元素的扩散机制，红外与激光工程，2009，第2作者
（5） Effect of thin film passivation layer on mesa type InGaAs(PIN) photodetectors，Semiconductor Science and Technology，2009，第2作者
（6） InGaAs短波红外探测器的偏振响应特性分析，红外，2009，第1作者
（7） 平面型InGaAs红外探测器I-V特性研究，光电子.激光，2009，第2作者
（8） Effect of sulfur passivation on the InP surface prior to plasma-enhanced chemical vapor deposition of SiNx，Semiconductor Science and Technology，2008，第1作者
（9） The defect density of a SiNx/In0.53Ga0.47As interface passivated using (NH4)2Sx，Applied Physics A，2008，第1作者


发表著作
科研活动

科研项目 （1） 高性能近红外InGaAs探测材料基础研究及其航天应用验证，参与，国家级，2012-01--2016-12
（2） 新型近红外多谱段探测器片上集成技术肌环境适应性机理研究，主持，国家级，2011-01--2013-12
（3） 子像元结构的平面型InGaAs探测器，主持，院级级，2011-01--2011-12


参与会议 （1） InGaAs探测器偏振响应特性的实验研究，中国光学学会2010年学术会议，2010-08，唐恒敬

合作情况

项目协作单位
指导学生现指导学生

晏宏洲 硕士研究生 077403-微电子学与固体电子学

曹高奇 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学