基本信息
汪连山 男 博导 半导体研究所
电子邮件：ls-wang@semi.ac.cn
通信地址：北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码：100083


研究领域

半导体光电材料与器件
招生信息

招生专业 材料物理与化学
物理电子学


招生方向 宽带隙半导体材料与器件
微纳光电子器件与系统集成

教育背景 1995-09--1999-01 中国科学院半导体研究所 博士学位
1989-09--1992-08 中国科学院固体物理研究所 硕士学位
1982-09--1986-06 湖北大学物理系 学士学位


学历博士研究生

学位工学博士
工作经历

工作简历 2013-05--今 中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室 研究员
2011-09--2013-04 中国科学院半导体研究所照明研发中心 研究员
2006-10--2011-08 华中科技大学武汉光电国家实验室(筹) 教授
1999-10--2006-10 Institute of Materials Research and Engeering Research Scientist
1998-08--1999-08 香港理工大学电子资讯工程系 访问学者
1992-09--1995-08 武汉工业大学材料研究与测试中心 助理研究员
1986-07--1989-08 武汉市新洲技工学校 助理讲师


社会兼职 2013-07--今 《光学学报》论文评审人
2012-01--今 IEEE Photonics Technology Letters论文评审人
2012-01--今 ECS Journal of Solid-State Science and Technology论文评审人
2010-01--今 ECS Solid State Letters论文评审人
2007-10--今 广东省科技咨询专家，项目评审专家
2005-06--今 Applied Physics Letters论文评审人

教授课程 《半导体照明技术导论》、 《半导体制造技术》、 《半导体照明基础》
专利与奖励

奖励信息

专利成果 （1） 一种LED防爆灯，实用新型，2013，第1作者，专利号：**7.6
（2） 面发射多色发光二极管及其制造方法，发明，2010，第1作者，专利号：ZL**5.2
（3） 硅基单结氮化镓铟太阳能电池，实用新型，2011，第1作者，专利号：ZL**1.5
（4） 太阳能电池，发明，2011，第1作者，专利号：ZL**7.8
（5） 面发射多色发光二极管，实用新型，2009，第1作者，专利号：ZL**7.8
（6） 一种GaN基多量子阱结构的外延片压电场的测量系统，实用新型，2012，第1作者，专利号：**3.0
（7） 纳米图案p型氮化物半导体欧姆接触电极及其制备方法，发明，2010，第1作者，专利号：ZL**9.4

出版信息

发表论文 （1） Effects of V/III ratio on a-plane GaN epilayers with an InGaN interlayer，Chin. Phys. B”, 23, 026801(2014).，2014，第3作者
（2） Anisotropic scattering effect of the inclined misfit dislocation on the two-dimensional electron gas in Al(In)GaN/GaN heterostructures，J. Appl. Phys. 115, 043702 (2014)，2014，第2作者
（3） Scattering due to Schottky barrier height spatial fluctuation on two dimensional electron gas in AlGaN/GaN high electron mobility transistors，Appl. Phys. Lett. 103,232109 (2013).，2013，第4作者
（4） AlN:Si buffer layer on Si(111) substrate effect on GaN film，IEEE Proceedings of the fourth international Symposium on Photonics and Optoelectronics, P629-631, May 21-23, 2012, Shanghai，2012，第2作者
（5） Structure of interlayer on Si(111) substrate effect on GaN film，IEEE Proceedings of the fourth international Symposium on Photonics and Optoelectronics, P615-617, May 21-23, 2012, Shanghai，2012，第2作者
（6） Influence of size of ZnO nanorods on light extraction enhancement of GaN-based light-emitting diodes，Chinese Appl. Phys. Lett., 28, 098501 (2011)，2011，第2作者
（7） Structural and Optical Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light Emitting Diodes Grown on (11-22) Facet GaN/sapphire Templates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition，Proc. of SPIE Vol. 8123 81230C (2011)，2011，第2作者
（8） InGaN multiple quantum well blue LED grown on patterned sapphire substrates，IEEE Proceedings of the 3rd international Symposium on Photonics and Optoelectronics, P729-731，May 16-18, 2011, Wuhan，2011，第1作者
（9）Optical Properties of InGaN Multiple Quantum Well Structures Grown on (112-2) Facet GaN/sapphire Templates，Taiwan Association for Coating and Thin Film Technology(TACT) 2011,International Thin Films Conference, Nov.20-23, 2011, Taiwan，2011，第2作者
（10） Shallow-deep InGaN multiple quantum well system for dual-wavelength emission grown on semi-polar (112-22) facet GaN，J. Electronic Materials 40, 1572 (2011)，2011，第1作者
（11） Influence of the alignment of ZnO nanorod arrays on light extraction enhancement of GaN-based light-emitting diodes，J. Appl. Phys. 109，083110 (2011)，2011，第4作者
（12） Initial Growth of AlInGaN on Polar Gallium Nitride Substrates under Biaxial Strain: First-principle Simulations，International Journal of Nonlinear Sciences and Numerical Simulation 11(7), 545-549 (2010)，2010，第3作者
（13） Epitaxial growth and characterization of two- and three-wavelengths InGaN multiple quantum well structures grown on semi-polar (11-22) facet GaN，The 16th International Conference on Crystal Growth, and the 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, 8-13 August, 2010, Beijing, China，2010，第1作者
（14） Effect of annealing temperature of zno seeds on the synthesis of Zno nanorod arrays on GaN/Al2O3 substrates，Proceedings of the ASME 2010 International Mechanical Engineering Congres and Exposition (IMECE2010), November 12-18, 2010, Vancouver, British Columbia, Canada，2010，第1作者
（15） InGaN/GaN multi-quantum-well structures and GaN micromechanical structures on silicon-on-insulator substrates，Proc. SPIE Vol. 7279, 72790U (2009)，2009，第1作者
（16） Deep levels associated with dislocation annihilation by Al pre-seeding and silicon delta doping in GaN grown on Si (111) substrates，Physica Status Solidi (a), 205, 266 (2008)，2008，第3作者
（17） Nanopatterning and selective area epitaxy of GaN on Si substrate，Proc. SPIE Vol. 6894-9, (2008)，2008，第1作者
（18） GaN and ZnO freestanding micromechanical structures on SOI substrates，Physica Status Solidi (a), 205，1168-1172 (2008)，2008，第3作者
（19） Structural properties of ZnO Grown on GaN/sapphire templates: the transition from nanorods to thin films，Electrochemical and Solid-State Letters, 10(3), H98-H100 (2007)，2007，通讯作者
（20） Nanoheteroepitaxy of GaN on a nanopore array of Si(111) surface，Thin Solid Films 515, 4505-4508 (2007) ，2007，第3作者
（21） Fabrication of deeply undercut GaN-based microdisk structures on silicon platforms，Applied Physics Letters 90, 071906 (2007)，2007，第4作者
（22） InGaN multiple quantum wells grown on ELO GaN templates and the optical properties characterization，Journal of Crystal Growth 298, 511 (2007) ，2007，第4作者
（23） AlGaN/GaN multiple quantum wells grown on facet-controlled epitaxial lateral overgrown GaN/sapphire templates，Journal of Physics: Condensed Matter 19, 056005 (2007)，2007，第5作者
（24） Defect reduction by periodic SiNx interlayers in gallium nitride grown on Si (111)，Journal of Applied Physics 101, 093502 (2007)，2007，第3作者
（25） Characteristics of threading dislocations in ZnO grown on facet-controlled epitaxial overgrown GaN template，Journal of Physics: Condensed Matter 19, 356203 (2007)，2007，第5作者
（26） Crack-free fully epitaxial nitride microcavity with AlGaN/GaN distributed Bragg reflectors and InGaN/GaN quantum wells，Applied Physics Letters 88, 191111 (2006)，2006，第4作者
（27） GaN epilayers on nanopatterned GaN/Si (111) templates: optical and structural characterization，Applied Surface Science 253, 214-218 (2006)，2006，第1作者
（28） Influence of rapid thermal annealing on the luminescence properties of nanoporous GaN films，Electrochemical and Solid-State Letters 9 (4), G150- G154 (2006)，2006，第5作者
（29）Control and improvement of crystalline cracking from GaN thin films grown on Si by metalorganic chemical vapour deposition，Thin Solid Films 498, 108 (2006)，2006，第4作者
（30） Optical activation of Eu ions in nanoporous GaN films，Journal of Applied Physics 93, 104305 (2006)，2006，第3作者
（31） Nanoheteroepitaxial lateral overgrowth of GaN on nanoporous Si (111)，Applied Physics Letters 88, 141925 (2006)，2006，第4作者
（32） Nanoscale epitaxial overgrowth process and properties of GaN layers on Si (111) substrates，Applied Physics Letters 89, 011901 (2006) ，2006，第1作者
（33） Characterization of GaN layers grown on silicon-on-insulator substrates，Applied Surface Science 253, 236-240 (2006)，2006，第2作者
（34） High optical quality nanoporous GaN prepared by photoelectrochemical etching，Electrochemical and Solid-State Letters, 8 (4) G85-G88 (2005)，2005，通讯作者
（35） Nanoscale lateral epitaxial overgrowth of GaN on Si (111)，Applied Physics Letters 87, 193106 (2005) ，2005，通讯作者
（36） Growth and characterization of GaN on silicon-on-insulator substrates，11th European Workshop on MOVPE, June 5-8, 2005, Lausanne, Switzerland，2005，第2作者
（37） Comparative investigation of MOCVD-grown GaN thin films on Si with and without periodic Si-delta dopings，6th international conference on nitride semiconductors (ICNS-6) (Bremen, Germany) August 28 - September 2, 2005，2005，第4作者
（38） The effect of periodic silane burst on the properties of GaN on Si (111) substrates，Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 831, E3.33.1 (2005)，2005，第4作者
（39） Effect of periodic silicon delta doping on the microstructural and optical properties of GaN films grown on Si (111) substrates，11th European Workshop on MOVPE, June 5-8, 2005, Lausanne, Switzerland, P387-389 (H04)，2005，第1作者
（40） Fabrication of freestanding GaN micro-mechanical structures on silicon-on-insulator substrates，Electrochemical and Solid-State Letters 8 (10), G275-279 (2005)，2005，第3作者
（41） Schottky diodes fabricated on cracked GaN epitaxial layer grown on (111) silicon，Physica Status Solidi (c), 2, 2559-2263 (2005)，2005，第3作者
（42） InGaN/GaN multi-quantum well structures on (111)-oriented bonded silicon-on-insulator substrates，Applied Physics Letters 87, 111908 (2005)，2005，第1作者
（43） Effects of periodic delta-doping on the properties of GaN:Si films grown on Si (111) substrates，Applied Physics Letters 85, 58 (2004)，2004，第1作者
（44） Structural analysis of metalorganic chemical vapor deposited AIN nucleation layers on Si (1 1 1)，Journal of Crystal Growth 268, 515–520 (2004)，2004，第2作者
（45） Growth of crack-free GaN on AlN quantum dots on Si (111) substrates by MOCVD，Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.798, Y10.36.1-6 (2004)，2004，第3作者
（46） Micro-Raman spectroscopy of Si-, C-, Mg and Be-implanted GaN layers，Journal of Raman Spectroscopy, 35, 73-77 (2004)，2004，第1作者
（47） Properties of schottky contact of titanium on low doped p-type SiGeC alloy by rapid thermal annealing，Solid-State Electron. 47, 601 (2003)，2003，第4作者
（48） Comparative investigation of photoluminescence of In- and Si- doped GaN/AlGaN multi-Quantum wells，Materials Science and Engineering B, 97(2), 196 (2003)，2003，第1作者
（49） Evolution of AlN buffer layers on silicon and effects on the properties of epitaxial GaN films，Physica Status Solidi (c), Vol. 0, No. 7, 2067 (2003)，2003，第3作者
（50） InGaN self-organized quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)，Physica Status Solidi (c), Vol. 0, No. 7, 2082 (2003)，2003，第1作者
（51） Improvements of structural and optical properties of GaN/Al0.10Ga0.90N multi-quantum wells by isoelectronic In-dopin，Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 693, I6.6.1-6 (2002)，2002，第1作者
（52） Comparative investigation of photoluminescence of In- and Si- doped GaN/AlGaN multi-quantum wells，Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 719, F6.26.1-6 (2002)，2002，第2作者
（53） Micro-Raman scattering in laterally epitaxial overgrown GaN，Journal of Applied Physics 91, 5840 (2002)，2002，通讯作者
（54） Raman scattering spectra in Be-implanted GaN epilayers，Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 719, F6.28.1-4 (2002)，2002，第1作者
（55）Outgoing multiphonon resonant Raman scattering and luminescence in Be- and C- implanted GaN，Journal of Applied Physics 91, 4917 (2002) ，2002，第3作者
（56） Outgoing multiphonon resonant raman scattering in Be- and C-implanted GaN，The fourth international conference on nitride semiconductors (ICNS4), P11.1, Denver Colorado, USA, 17-19 July 2001，2001，第3作者
（57） Photoluminescence of rapid –thermal annealed Mg-doped GaN films，Solid-State Electronics 45, 1153 (2001)，2001，第1作者
（58） Outgoing multiphonon resonant raman scattering in Be- and C-implanted GaN，Physica Status Solidi (b), 228, 341 (2001)，2001，第3作者
（59） Raman scattering spectra in C-implanted GaN epilayers，Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 680, E9.8.1-6 (2001)，2001，第4作者
（60） Raman scattering and photoluminescence of implanted Mg GaN film，The fourth international conference on nitride semiconductors (ICNS4), P11.2, Denver Colorado, USA, 17-19 July 2001，2001，第1作者
（61） Local vibration modes in gamma-irradiated GaN grown by metal-organic chemical vapour deposition，Materials Science in Semiconductor Processing, 4 (6), 559-562 (2001) ，2001，第2作者
（62） Electron-hole plasma emission from In0.3Ga0.7N/GaN multiple quantum wells，Physical Review B 63, 121308 (R) (2001)，2001，第5作者
（63） Raman scattering and photoluminescence of implanted Mg GaN film，Physica Status Solidi (b), 228, 449 (2001)，2001，第1作者
（64） Growth and characterisation of high quality GaN film by epitaxial lateral over-growth，Proceedings of the international workshop on advances in materials science and technology, P146, 3-6 April 2000, Singapore，2000，第3作者
（65） Ion channeling studies on mixed phases formed in metalorganic chemical vapor deposition grown Mg-doped GaN on Al2O3 (0001)，Journal of Applied Physics 87, 955 (2000)，2000，第5作者
（66） 掺Si氮化镓材料的生长及其性质，《半导体学报》，第 20 卷， 534页， (1999年)，1999，第2作者
（67） Photoluminescence of rapid-thermal annealed Mg-doped GaN films，Proceedings of the IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting, 1999, P154-157，1999，第1作者
（68） 氮化镓缓冲层的物理性质，《半导体学报》，第 20 卷， 633页， (1999年)，1999，第2作者
（69）n型氮化镓的持续光电导，半导体学报》，第 20 卷， 371页， (1999年)，1999，第1作者
（70） 氮化镓缓冲层微观生长过程分析，《材料科学与技术》，第 15 卷, 529-533 页， (1999年)，1999，第2作者
（71） The growth and characterization of GaN grown on a gamma-Al2O3/Si (001) substrate by MOVPE，Proceedings of 2nd international symposium on blue laser and light emitting diodes, p.93, Kazusa Akademia Center, Chiba, Japan, 29 Sept. – 2 Oct. 1998，1998，第1作者
（72） The gtrowth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001) Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE)，J. Crystal Growth 193, 484-490 (1998)，1998，第1作者
（73）The Influence of Thickness on Properties of GaN Buffer Layer and Heavily Si- Doped GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE)，J. Crystal Growth 189/190, 287-290 (1998) ，1998，第2作者
（74） The Dependence of growth rate of GaN buffer layer on growth parameters by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE)，J. Crystal Growth 193, 23-27 (1998)，1998，第3作者
（75） Yellow luminescence mechanism and persistent photoconductivity in n-GaN single crystal films grown on alpha-Al2O3(0001) substrates by LP-MOCVD，Proceedings of 2nd international symposium on blue laser and light emitting diodes, P560, Kazusa Akademia Center, Chiba, Japan, 29 Sept. – 2 Oct. 1998，1998，第1作者
（76） Wurtzite GaN epitaxial growth on a Si(001) substrate using gamma-Al2O3 as anintermediate layer，Applied Physics Letters 72, 109-111(1998)，1998，第1作者
（77）Analysis on the chemical reaction process of GaN buffer layer growth，Proceedings of international topical meeting on III-V nitride materials and devices, (ITNMD 98), P35, Aug 17-22 1998, Beijing，1998，第3作者
（78） 高纯GaN薄膜的生长，《粉末冶金技术》第 16 卷, 35页 (1998年)，1998，第4作者
（79） 高纯氮化镓外延材料的制备，《高技术通讯》，第 8卷, 第8 期，35页， (1998年)，1998，第4作者
（80） Al2O3/Si(001)衬底上氮化镓外延薄膜的制备，《中国科学》，(E，技术辑)，第28 卷，第1 期，第32页，(1998年)，1998，第1作者
（81） Fabrication of GaN on Al2O3/Si Substrate，Sciences in China (series E), Vol.41, No. 2, 203, (1998)，1998，第1作者
（82） The role of GaN buffer layer for GaN epitaxy on sapphire ，Proceedings of international topical meeting on III-V nitride materials and devices, (ITNMD 98), P.38, 17-22 Aug. 1998, Beijing，1998，第2作者
（83）缓冲层生长温度对MOVPE生长GaN的影响，第五届全国MOCVD学术会议论文集，第34页，河北承德， 1997年8月，1997，第2作者
（84） MOVPE生长参数对氮化镓缓冲层生长速率的影响，1997年砷化镓及有关化合物会议论文集，第98 页，湖南张家界，1997年11月，1997，第2作者
（85） P型GaN的LP-MOVPE生长，第五届全国MOCVD学术会议文集，第92页，河北承德，1997年8月，1997，第5作者
（86） GaN在gamma-Al2O3/Si(001)衬底上的外延生长，1997年砷化镓及有关化合物会议论文集，第101页，湖南张家界，1997年11月，1997，第1作者
（87） The influence of thickness on properties of GaN buffer layer and heavily Si-doped GaN grown by MOVPE，The international conference on nitride semiconductors (ICNS 97), P 328, Japan, 2-7 Nov. 1997，1997，第2作者
（88） Synthesis and ferroelctric properties of c-axis oriented Bi4Ti3O12 thin films by sol-gel process on platinum coated silicon，Appl. Phys. Lett. 68, 1209 (1996)，1996，第5作者
（89） 溶胶-凝胶法制备高取向 Bi4Ti3O12/SrTiO3 (100)薄膜，《物理化学学报》，第 12卷, 第1 期，第63 页，(1996) ，1996，第5作者
（90）Microstructure and Transformation on Platinum (111) Facets，Rare Metals 15, 45 (1996)，1996，第1作者
（91） MOCVD法硅上外延生长gamma-Al2O3，第五届全国固体薄膜会议文集 ，第248 页，浙江奉化 ，1996年10月，1996，第5作者
（92）GaAs (100) 解理面的反射电子显微术观察，《科学通报》，第39卷, 第1271页 (1994)，1994，第1作者
（93） Reflection Electron Microscopy Observation of Cleaved GaAs (110) surface，Chinese Science Bulletin, Vol. 39, 1598, (1994) ，1994，第1作者
（94） Pt(111) 小面的反射电子显微分析方法，《理化检验》（物理分册），第30 卷，第3 期，第36 页 (1994年)，1994，第1作者
（95） 普通透射电镜的反射电子显微术，分析测试技术与仪器，第1卷，第1 期， 第44页，(1992年)，1992，第1作者


发表著作
科研活动

科研项目 （1） 新一代移动通信基站氮化镓射频功率放大器，主持，部委级，2015-01--2017-12
（2） 面向新型绿光器件的高In组分氮化物材料生长技术研究，主持，部委级，2014-01--2016-12
（3） 半极性面偏振光LED 外延技术及性能研究，主持，国家级，2013-01--2016-12
（4） 基于电镀镍金属基板和表面光子晶体结构的高效大功率LED 芯片研发及产业化，主持，省级，2013-01--2015-06
（5） MOCVD新型反应腔设计、LED缺陷抑制和量子效率调控，主持，部委级，2011-11--2016-12
（6） 基于图形衬底的高效白光LED外延芯片产业化制备技术研究 ，主持，部委级，2011-01--2013-12


参与会议
科研项目合作863项目合作单位：武汉迪源光电科技有限公司；杭州士兰明芯科技有限公司

广东省战略新兴产业LED项目合作单位：真明丽集团鹤山丽得电子实业有限公司、东莞福地电子材料有限公司

广东省中国科学院全面战略合作项目单位：广东银雨芯片半导体有限公司

项目协作单位
指导学生已指导学生

金东东 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学

王建霞 博士研究生 080501-材料物理与化学

现指导学生

吉泽生 硕士研究生 085204-材料工程

孟钰淋 硕士研究生 080501-材料物理与化学