1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
王翠梅 女 硕导 中国科学院半导体研究所
电子邮件： cmwang@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码：
研究领域
招生信息

招生专业080501


招生方向宽禁带半导体材料与器件

教育背景2003-09--2006-05 中国科学院半导体研究所 博士


学历

学位
工作经历

工作简历2003-09~2006-05,中国科学院半导体研究所, 博士
2003-06~2013-06,中国科学院半导体研究所, 助研，副研


社会兼职
教授课程半导体微纳加工技术
半导体异质结构电学特性的建模分
金属有机物化合物气相外延基础及

专利与奖励

奖励信息（1）北京市科技进步二等奖,部委级,2012


专利成果（ 1 ）制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法发明,2011,第 4 作者,专利号: ZL **8.9
（ 2 ）一种具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法,2013,第 1 作者,专利号: **3.2
（ 3 ）双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法,2012,第 2 作者,专利号: **6.9
（ 4 ）铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法,2012,第 3 作者,专利号: **4.0
（ 5 ）氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法,2011,第 3 作者,专利号: **8.8

出版信息

发表论文（1） 2nm低温GaN空间层对AlGaN/InAlN/AlN/GaN异质结构2DEG的影响研究, A 2 nm low temperature GaN spacer to improve the transport propertiesof two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures, Applied Physics Letters, 2012, 第 4 作者
（2） (AlyGa1-yN/AlN)SLs/GaN/(InxGa1-xN/GaN)MQW/GaN异质结构载流子限阈特性的自洽模拟, Self-consistent simulation of carrier confinement characteristics in (AlyGa1-yN/AlN)SLs/GaN/(InxGa1-xN/GaN)MQW/GaN heterostructures, Journal of Alloys and Compounds, 2012, 第 4 作者
（3） (AlxGa1-xN/AlN)SLs/GaN异质结构载流子限制优化研究, Numerical optimization of carrier confinement characteristics in (AlxGa1-xN/AlN)SLs/GaN heterostructures, Physica B: Physicas of Condensed Matter, 2012, 第 4 作者
（4） InAlN/AlN/GaN异质结构压力影响研究, The influence of pressure on the growth of InAlN/AlN/GaN heterostructure, Eur.Phys.J.Appl.Phys, 2012, 第 3 作者
（5） n-GaN中电场影响持续光电导效应研究, Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-GaN, Appl. Phys. Lett. , 2011, 第 4 作者
（6） MOCVD方法在Si衬底上生长2μm无裂纹GaN材料, Growth of 2μm Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition, Chinese Physics Letter, 2011, 第 4 作者
（7） InxGa1？xN/GaN多量子阱太阳能电池研究, An investigation on InxGa1？xN/GaN multiple quantum well solar cells, Journal of Physics D: Applied Physics, 2011, 第 4 作者
（8） InxGa1-xN/GaN量子点太阳能电池理论研究, Theoretical study on InxGa1-xN/GaN quantum dots solar cell., Physica B-Condensed Matter, 2011, 第 5 作者
（9） Computational Investigation of InxGa1-xN/InN Quantum-Dot Intermediate-Band Solar Cell, Chinese Physics Letters, 2011, 第 5 作者
（10） Comparison of as grown and annealed GaN/InGaN:Mg Samples, Journal of Physics D: Applied Physics, 2011, 第 4 作者
（11） The influence of the 1st AlN and the 2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure, Applied physics A, 2011, 第 5 作者
（12） Growth of GaN film on Si (111) substrate by using AlN sandwich structure as buffer, J Cryst Growth, 2011, 第 5 作者
（13） Characteristics of high Al content AlGaN grown by pulsed atomic layer epitaxy, Applied Surface Science, 2011, 第 4 作者
（14） Surface characterization of AlGaN grown on Si (111) substrates., J Cryst Growth, 2011, 第 4 作者
（15） Behavioral investigation of InN nanodots by surface topographies and phase images, Journal of Physics D-Applied Physics, 2011, 第 4 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）W波段GaN材料, 主持, 国家级, 2012-01--2016-12
（ 2 ）09年专项, 参与, 国家级, 2009-01--2013-12
（ 3 ）11年专项, 参与, 国家级, 2011-01--2013-12


参与会议（1）Research on InAlN-based HEMT Wang Cuimei, Wang Xiaoliang, Xiao Hongling, Feng Chun, Jiang Lijuan, Chen Hong, Yin Haibo, Wang Zhanguo and Hou Xun 2013-05-13
（2）基于InAlN的HEMT材料和器件研究 第十七届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 王翠梅 2012-11-07

合作情况

项目协作单位
指导学生