1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
王怀兵 男 博导 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
电子邮件： hbwang2006@sinano.ac.cn
通信地址： 苏州工业园区若水路398号
邮政编码： 215125
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向氮化物半导体器件

教育背景

学历

学位
工作经历

工作简历

社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息（1）苏州工业园区领军人才,院级,2008


专利成果（ 1 ）一种蓝宝石图形衬底及其制备方法,2011,第 1 作者,专利号: **5.8
（ 2 ）一种氮化镓基发光二极管及其制备方法,2011,第 2 作者,专利号: **5.1
（ 3 ）一种内嵌式发光二极管封装结构,2011,第 1 作者,专利号: **0.8
（ 4 ）一种内嵌式发光二极管封装方法及封装结构,2011,第 1 作者,专利号: **2.4
（ 5 ）F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法,2011,第 5 作者,专利号: **7.2
（ 6 ）半导体激光器的制作方法,2011,第 5 作者,专利号: **8.7
（ 7 ）半导体激光器TO封装结构及方法,2012,第 5 作者,专利号: **9.6
（ 8 ）一种白光LED芯片制造方法及其产品,2011,第 1 作者,专利号: **7.9
（ 9 ）利用具有原子台阶衬底制备的InGaN量子点外延片及其制备方法,2012,第 1 作者,专利号: **.8
（ 10 ）一种直接使用交流电的LED芯片组及芯片模块,2012,第 1 作者,专利号: **4.5

出版信息

发表论文（1） Thermal characterization of GaN-based laser diodes by forward-voltage method, J.Appl.Phys, 2012, 第 5 作者
（2） Optimization of the cavity facet coating in high power GaN-based semiconductor laser diodes, Sci China Tech Sci, 2012, 第 5 作者
（3） Thermal Analysis of GaN Laser Diodes in a package structure, Chin.Phys, 2012, 第 5 作者
（4） High-efficiency InGaN-based LEDs grown on patterned sapphire substrates, Optics Express, 2011, 第 5 作者
（5） Effect of Patterned Sapphire Substrate Shape on Light Output Power of GaN-based LEDs, IEEE Photonics Technology Letter, 2011, 第 5 作者
（6） Improvement of InGaN-LED Performance by Optimizing the Patterned Sapphire Substrate Shapes, Chinese Physics B, 2011, 第 5 作者
（7） Strain effects on optical ploarisation properties in (11-22) plane GaN films, Chinese Physics B, 2010, 第 5 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）大功率InGaN基LED新型外延结构研究, 参与, 国家级, 2011-01--2013-12
（ 2 ）图形化有源区结构 GaN 基LED 外延及相关物理问题研究, 参与, 国家级, 2011-01--2013-12
（ 3 ）大功率氮化镓基LED衬底剥离产业化关键技术研究, 主持, 省级, 2009-05--2011-06


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生