1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
王辉 男 硕导 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
电子邮件： hwang2010@sinano.ac.cn
通信地址： 苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号
邮政编码： 215125
研究领域
招生信息

招生专业080901


招生方向GaN基蓝绿光激光器、LED的外延生长及器件制备

教育背景2003-08--2007-07 中国科学院半导体所 博士
1998-09--2001-07 北京科技大学 硕士
1994-09--1998-07 北京科技大学 学士


学历

学位
工作经历

工作简历2010-12~现在, 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 研究员
2008-05~2010-12,中国科学院半导体所, 工程师
2006-11~2008-05,香港科技大学电子工程系, 研究助理
2003-08~2007-07,中国科学院半导体所, 博士
2001-07~2006-11,中国科学院半导体所, 工程师
1998-09~2001-07,北京科技大学, 硕士
1994-09~1998-07,北京科技大学, 学士


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果（ 1 ）一种InGaN半导体光电极的制作方法发明,2010,第 1 作者,专利号: **8.4
（ 2 ）一种InGaN太阳能电池结构及其外延片制备方法,2008,第 1 作者,专利号: **7.1
（ 3 ）GaN基光电子器件表面粗化的方法,2009,第 1 作者,专利号: **1.5

出版信息

发表论文（1） The investigation on carrier distribution in InGaN/GaN multiple quantum well layers, Journal of Applied Physics, 2011, 第 3 作者
（2） Light extraction efficiency improvement and strain relaxation in InGaN/GaN multiple quantum well nanopillars, Journal of Applied Physics, 2011, 第 4 作者
（3） Effects of AlGaN/AlN stacked interlayers on the GaN growth on Si (111), CHIN. HYS. LETT., 2010, 第 1 作者
（4） Cathodoluminescence study on In composition inhomogeneity of thick InGaN layer, Thin Solid Films, 2010, 第 1 作者
（5） Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties, Physica B, 2010, 第 1 作者
（6） An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells, Journal of Alloys and Compounds, 2010, 第 4 作者
（7） Hole concentration test of p-type GaN by analyzing the spectral response of p-n+ structure GaN ultraviolet photodetector, Journal of Alloys and Compounds, 2010, 第 4 作者
（8） Carrier capture by threading dislocations in (In,Ga)N/GaN heteroepitaxial layers, Physical Review B, 2010, 第 5 作者
（9） Effects of growth temperature on the optical properties of InN nanostructures grown by MOCVD, Phys. Status Solidi C, 2010, 第 3 作者
（10） Effects of GaN Capping on the Structural and the Optical Properties of InN Nanostructures Grown by Using MOCVD, Journal of the Korean Physical Society, 2010, 第 3 作者
（11） Evolution of both composition and stain distributions in InGaN epitaxial film using x-ray diffraction techniques, Chin. Phys. B, 2010, 第 2 作者
（12） The fabrication of GaN-based nanopillar light-emitting diodes, Journal of Applied Physics, 2010, 第 4 作者
（13） Optical properties of InN rods on sapphire grown by metal–organic chemical vapor deposition, Physica E, 2010, 第 5 作者
（14） Photovoltaic effects of InGaN/GaN double heterojunctions with p-GaN nanorod arrays, IEEE Electron Device Letters, 2010, 第 5 作者
（15） An Anomalous Gain Mechanism in GaN Schottky Barrier Ultraviolet Photodetectors, Chinese Physics Letters., 2009, 第 5 作者
（16） Nonpolar growth and characterization of InN overlayers on vertically oriented GaN nanorods, Journal of Applied Physics, 2009, 第 5 作者
（17） Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films, Appl. Phys. Lett, 2009, 第 5 作者
（18） Improved GaN grown on Si(111) substrate using ammonia flow modulation on SiNx mask layer by MOCVD, Sci China Ser E-Tech Sci, 2009, 第 3 作者
（19） The investigation on strain relaxation and double peaks in photoluminescence of InGaN/GaN MQW layers, J. Phys. D: Appl. Phys., 2009, 第 4 作者
（20） GaN-based violet laser diodes grown on free-standing GaN substrate, Chin. Phys. B, 2009, 第 4 作者
（21） The influence of growth temperature and input V/III ratio on the initial nucleation and material properties of InN on GaN by MOCVD, Semicond. Sci. Technol., 2009, 第 1 作者
（22） Suppression of indium droplet formation by adding CCl4 during metalorganic chemical vapor deposition growth of InN film, Semicond. Sci. Technol. , 2009, 第 1 作者
（23） Kinetically controlled InN Nucleation on GaN templates by metalorganic chemical vapor deposition, J. Phys. D: Appl. Phys., 2009, 第 1 作者
（24） InGaN/GaN p-i-n photodiodes fabricated with Mg-doped p-InGaN layer, CHIN. HYS. LETT., 2009, 第 1 作者
（25） MOCVD growth of InN using a GaN buffer, Superlattices and Microstructures, 2008, 第 2 作者
（26） High-temperature AlN interlayer for crack-free AlGaN growth on GaN, Journal of Applied Physics, 2008, 第 3 作者
（27） Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films, J. Phys. D: Appl. Phys., 2008, 第 1 作者
（28） Influence of temperature on MOCVD growth of InGaN, Chinese Journal of Semiconductor, 2007, 第 2 作者
（29） Optical properties of InN, Chinese Journal of Semiconductor, 2007, 第 2 作者
（30） Depth dependence of structural quality in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition, Materials letters, 2007, 第 1 作者
（31） Photoluminescence degradation in GaN induced by light enhanced surface oxidation, Journal of Applied Physics, 2007, 第 5 作者
（32） Fabrication of Vertical Position-controllable GaN Nanowires on (111) Si Substrate, 2007 7TH IEEE CONFERENCE ON NANOTECHNOLOGY, 2007, 第 5 作者
（33） Evolution of mosaic structure in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition, Journal of Crystal Growth, 2006, 第 2 作者
（34） Spatial distribution of deep level defects in crack-free AlGaN grown on GaN with a HT AlN interlayer, Journal of Applied Physics, 2006, 第 2 作者
（35） Measurement of threading dislocation densities in GaN by wet chemical etching, Semiconductor Science and Technology, 2006, 第 3 作者
（36） Effects of grain size on the mosaic tilt and twist in InN films grown on GaN by metalorganic chemical vapor deposition, Applied Physics Letters, 2006, 第 1 作者
（37） Dislocation Reduction in GaN On Sapphire by Epitaxial Lateral Overgrowth, Chinese Journal of Semiconductor, 2006, 第 3 作者
（38） High-precision determination of lattice constants and structural characterization of InN thin films, Jounarl of Vacuum Science and Technology A, 2006, 第 5 作者
（39） Study on the thermal stability of InN by in-situ laser reflectance system, Journal of Crystal Growth, 2005, 第 2 作者
（40） Low-temperature growth of InN by MOCVD and its characterization, Journal of Crystal Growth, 2005, 第 2 作者
（41） Lateral phase separation in AlGaN grown on GaN with a high-temperature AlN interlayer, Applied Physics Letters, 2005, 第 3 作者
（42） Study on the stacking faults in hexagonal GaN grown by epitaxy lateral overgrowth with synchrotron radiation, High Energy Physics and Nuclear Physics, 2005, 第 4 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）基于纳米柱微结构的InGaN太阳能电池研究, 主持, 国家级, 2010-01--2012-12
（ 2 ）紫外-红外双色探测器的研究, 主持, 市地级, 2010-01--2011-12
（ 3 ）基于纳米微结构的氮化镓基光电子器件制备及相关物理问题研究, 参与, 国家级, 2008-01--2013-12
（ 4 ）激光显示用氮化镓基蓝光激光器研究, 参与, 市地级, 2011-01--2013-12
（ 5 ）氮化镓基蓝光激光器的工程化技术研究, 参与, 研究所（学校）, 2010-10--2013-03


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生