1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
王立新 男 硕导 中国科学院微电子研究所
电子邮件： wanglixin@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码：
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向高性能器件与电路集成技术

教育背景2009-09--2012-07 中国科学院微电子研究所 博士
2000-09--2003-07 北京工业大学 硕士
1996-09--2000-07 河北工业大学 学士


学历

学位
工作经历

工作简历2009-09~2012-07,中国科学院微电子研究所, 博士
2003-07~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
2000-09~2003-07,北京工业大学, 硕士
1996-09~2000-07,河北工业大学, 学士


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息（1）中国科学院微电子研究所科技进步奖,国家级,2012


专利成果
出版信息

发表论文（1） A Study of the Au-Al bonding lifetime for MOSFET devices, 22nd international symposium on the physical and failure analysis of integrated circuits, 2015 IPFA, 2015, 第 2 作者
（2） 星用功率VDMOS器件单粒子辐射损伤效应研究, 电子元器件辐射效应国际会议, 2015, 第 2 作者
（3） 半导体器件金铝键合的寿命研究, 微电子学, 2015, 第 2 作者
（4） The effect of radiation damage on power VDMOS devices with composite SiO2–Si3N4 films [J], Chin. Phys. B，2013，Vol.22No.3, 2013, 第 3 作者
（5） PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究, 原子能科学技术, 2013, 第 3 作者
（6） 抗加功率VDMOS器件低剂量率辐射损伤效应研究, 微电子学, 2013, 第 3 作者
（7） 功率MOSFET的单粒子栅穿敏感区域的模拟研究, Simulation of the sensitive region to SEGR in Power MOSFETs, 半导体学报, 2012, 第 1 作者
（8） 星用功率VDMOS器件SEGR效应研究, 核技术, 2012, 第 1 作者
（9） 功率VDMOS晶体管的抗总剂量辐照研究, 核电子学与探测技术, 2012, 第 1 作者
（10） 高频硅PNP晶体管3CG120高温失效机理研究, 电子设计工程, 2012, 第 1 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）第五、第六代高可靠功率MOSFET项目, 主持, 国家级, 2012-01--2018-12
（ 2 ）高压VDMOS器件研制, 主持, 部委级, 2016-01--2017-12
（ 3 ）27项装备核心器件国产化研制项目, 主持, 国家级, 2013-01--2018-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生