1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
王启明 男 博导 中国科学院半导体研究所
电子邮件： qmwang@red.semi.ac.cn
通信地址： 北京912信箱
邮政编码： 100083
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向硅基光电子

教育背景

学历

学位
工作经历

工作简历

社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果
出版信息

发表论文（1） Structural and optical properties of (Sr,Ba)2SiO4:Eu2+ thin films grown by magnetron sputtering，Journal of Luminescence, Journal of Luminescence, 2014, 第 5 作者
（2） Sixteen-element Ge-on-SOI PIN photo-detector arrays for parallel optical interconnects, Chin. Phys. B, 2014, 第 5 作者
（3） Design of waveguide integrated Ge-quantum-well electro-absorption modulators, Chinese Physics Letter, 2011, 第 5 作者
（4） Wavelength-Tunable Si-Based InGaAs Resonant Cavity Enhanced Photodetectors Using Sol-Gel Wafer Bonding Technology, IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2011, 第 5 作者
（5） GeSn p-i-n photodetector for all telecommunication bands detection, Optics Express, 2011, 第 5 作者
（6） Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100), Chinese Physics B, 2011, 第 5 作者
（7） The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge1-xSnx alloys, Solid State Communications, 2011, 第 5 作者
（8） Flattening of low temperature epitaxial Ge1-xSnx/Ge/Si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing, Applied Surface Science, 2011, 第 5 作者
（9） Efficient 1.53um emission and energy transfer in Si/Er-Si-O multilayer substrate, Materials Research Bulletin, 2011, 第 5 作者
（10） Highly efficient 1.53um luminescence in ErxYb2-xSi2O7 thin films grown on Si substrate, Materials Letters, 2011, 第 5 作者
（11） Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates, Journal of Crystal Growth, 2011, 第 5 作者
（12） Si(001)衬底上分子束外延生长Ge0.975Sn0.025合金薄膜, 物理学报, 2011, 第 5 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）运用量子尺寸效应和杂质中间带提高硅基太阳电池效率的研究, 参与, 国家级, 2011-01--2014-12
（ 2 ）基于金属-硅锗-金属垂直结构中的自旋电子输运与原子核自旋探测, 主持, 国家级, 2015-01--2017-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生