1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
王文武 男 博导 中国科学院微电子研究所
电子邮件： wangwenwu@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码： 100029
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向集成电路先进工艺与仪器装备技术

教育背景2003-04--2006-03 日本东京大学 获得工学博士学位
1998-09--2003-06 兰州大学 获得理学博士学位
1992-09--1997-06 兰州大学 本科学习


学历

学位
工作经历

工作简历2008-04~现在, 中科院微电子研究所, 研究员
2006-07~2008-03,日本产业技术综合研究所MIRAI项目, 特别研究员
2006-04~2006-06,日本东京大学, 特聘研究员
2003-04~2006-03,日本东京大学, 获得工学博士学位
1998-09~2003-06,兰州大学, 获得理学博士学位
1997-08~1998-08,中国空间技术研究院第510研究所, 助理工程师
1992-09~1997-06,兰州大学, 本科学习


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息（1）极大规模集成电路关键技术研究集体,院级,2015
（2）日本半导体MIRAI项目最优秀奖,院级,2008
（3）日本半导体MIRAI项目优秀奖,院级,2007


专利成果（ 1 ）一种半导体器件结构及其制造方法,2010,第 1 作者,专利号: **4.X
（ 2 ）一种用于后栅工艺的金属栅制备方法,2010,第 2 作者,专利号: **3.0
（ 3 ）互补型金属氧化物半导体晶体管器件及其制作方法,2008,第 1 作者,专利号: **3.3
（ 4 ）高温退火处理诱导相转变合成金属线氮化铪薄膜的方法,2008,第 1 作者,专利号: **9.7
（ 5 ）一种半导体器件的制造方法及其结构,2009,第 1 作者,专利号: **6.7
（ 6 ）一种界面优化的锗基半导体器件及其制造方法,2009,第 1 作者,专利号: **5.8
（ 7 ）一种高介电常数栅介质结构及其形成方法,2010,第 1 作者,专利号: **1.4
（ 8 ）抑止高k栅介质/金属栅结构在高温退火下界面层生长的方法,2009,第 1 作者,专利号: **2.0
（ 9 ）控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法,2009,第 1 作者,专利号: **7.2

出版信息

发表论文（1） 高k栅介质/金属栅结构MOS器件中的偶极子物理机制, Physical origin of dipole formation at high-k/SiO2 interface in metal-oxide-semiconductor device with high-k/metal gate structure, Applied Physics Letters, 2010, 第 5 作者
（2） MOS器件中高k栅介质/SiO2界面偶极子对平带电压的影响, Comprehensive understanding of the effect of electric dipole at high-k/SiO2 interface on the flatband voltage shift in metal-oxide-semiconductor device, Applied Physics Letters, 2010, 第 5 作者
（3） Al扩散诱导的正向平带电压偏移对高k栅介质结构pMOSFET器件的影响, Effect of Al diffusion-induced positive flatband voltage shift on the electrical characteristics of Al-incorporated high-k pMOSFETs, Journal of Applied Physics, 2009, 第 1 作者
（4） 含Al高k栅介质堆栈中平带电压的异常偏移特性研究, Systematic investigation on anomalous positive Vfb shift in Al-incorporated high-k gate stacks, Applied Physics Letters, 2008, 第 1 作者
（5） HfLaON/TaN结构MOS器件的热稳定性研究, Study on characteristics of thermally stable HfLaON gate dielectric with TaN metal gate, Applied Physics Letters, 2008, 第 3 作者
（6） 利用快速热退火辅助MOCVD方法制备HfN金属栅电极研究, Preparation of conductive HfN by post rapid thermal annealing-assisted MOCVD and its application to metal gate electrode, Microelectronics Engineering, 2008, 第 1 作者
（7） TaCx、HfCx/HfO2结构栅堆叠中金属碳化物诱导的负向平带电压偏移研究 , Metal carbide-induced negative flatband voltage shift in TaCx and HfCx/HfO2 gatestacks, Applied Surface Science, 2008, 第 3 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设, 参与, 国家级, 2009-01--2012-12
（ 2 ）铪基金属氧化物高k栅介质的基础研究, 参与, 国家级, 2010-01--2013-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生