1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
王曦 男 博导 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件： xwang@mail.sim.ac.cn
通信地址： 丁香园57号302室
邮政编码：
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向SOI材料与器件，高端硅基材料

教育背景1990-06--1993-05 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 博士学位
1987-09--1990-05 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 硕士学位
1983-09--1987-06 清华大学 学士学位


学历

学位
工作经历

工作简历2010-07~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 所长
1996-05~1998-06,德国罗森多夫研究中心, “洪堡”学者
1993-07~1994-05,澳大利亚联邦科学与工业研究院, 访问学者
1993-06~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员、副研究员、研究员
1990-06~1993-05,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士学位
1987-09~1990-05,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 硕士学位
1983-09~1987-06,清华大学, 学士学位


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息（1）何梁何利基金科学与技术进步奖,院级,2008
（2）中国科学院杰出科技成就奖,院级,2007
（3）国家科学技术进步奖,国家级,2006
（4）上海市科学技术进步奖,国家级,2005
（5）中国科学院发明奖,部委级,1997
（6）中国科学院自然科学奖,省级,1992


专利成果（ 1 ）硅硅键合的绝缘体上硅的高温压力传感器芯片及制作方法,2008,第 3 作者,专利号: CN**4
（ 2 ）基于硅硅键合和绝缘层上硅的压力传感器芯片及方法,2008,第 3 作者,专利号: CN**5
（ 3 ）混合晶向积累型全包围栅CMOS场效应晶体管,2010,第 2 作者,专利号: PCT/CN2010/070636
（ 4 ）混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管,2010,第 2 作者,专利号: PCT/CN2010/070642
（ 5 ）混合材料反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管,2010,第 2 作者,专利号: PCT/CN2010/070643
（ 6 ）混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管,2010,第 2 作者,专利号: PCT/CN2010/070650
（ 7 ）混合晶向反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管,2010,第 2 作者,专利号: PCT/CN2010/070653
（ 8 ）一种基于键合工艺的高K介质埋层的SOI材料制备方法,2011,第 4 作者,专利号: **2.9
（ 9 ）一种高K介质埋层的绝缘体上材料制备方法,2011,第 4 作者,专利号: **3.3
（ 10 ）一种基于键合工艺的高迁移率双沟道材料的制备方法,2011,第 4 作者,专利号: **4.8
（ 11 ）采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法,2009,第 1 作者,专利号: **4.x
（ 12 ）采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法,2009,第 5 作者,专利号: **3.4
（ 13 ）制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法,2009,第 5 作者,专利号: **3.4
（ 14 ）一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法,2009,第 5 作者,专利号: **5.3
（ 15 ）一种绝缘体上硅的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法,2005,第 2 作者,专利号: ZL**5.0
（ 16 ）一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射性能的方法,2004,第 2 作者,专利号: ZL**8.3
（ 17 ）双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途,2004,第 5 作者,专利号: ZL**9.6
（ 18 ）采用侧墙技术制备有纳米硅通道的埋氧的方法,2003,第 2 作者,专利号: ZL**.4
（ 19 ）一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法,2003,第 2 作者,专利号: ZL**.6
（ 20 ）绝缘体上锗硅衬底的制备方法,2008,第 3 作者,专利号: ZL**2.5
（ 21 ）一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上应变硅材料的方法,2009,第 1 作者,专利号: **7.7
（ 22 ）一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法,2011,第 4 作者,专利号: **5.8
（ 23 ）一种基于SOI衬底的高迁移率双沟道材料的制备方法,2011,第 4 作者,专利号: **6.7
（ 24 ）提高金属氧化物半导体器件场区抗总剂量的加固方法,2006,第 3 作者,专利号: ZL**6.4
（ 25 ）一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料,2006,第 3 作者,专利号: ZL**4.6
（ 26 ）基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法,2005,第 3 作者,专利号: L**6.3
（ 27 ）一种厚膜图形化绝缘体上的硅材料的制备方法,2003,第 4 作者,专利号: ZL**.4
（ 28 ）鳞状碳纳米管、制备方法和专用装置,2003,第 3 作者,专利号: ZL**.6
（ 29 ）注氧隔离技术制备全介质隔离的硅量子线的方法,2003,第 2 作者,专利号: ZL**.1
（ 30 ）降低绝缘体上的硅晶体管源漏串联电阻的结构及实现方法,2003,第 2 作者,专利号: ZL**.5
（ 31 ）准绝缘体上的硅场效应晶体管及实现方法,2003,第 2 作者,专利号: ZL**.7
（ 32 ）全包围栅CMOS场效应晶体管,2010,第 2 作者,专利号: PCT/CN2010/070633
（ 33 ）混合材料积累型全包围栅CMOS场效应晶体管,2010,第 2 作者,专利号: PCT/CN2010/070645

出版信息

发表论文（1） Optical Beam Steering Based on the Symmetry of Resonant Modes of Nanoparticles, Physical Review Letters, 2011, 第 5 作者
（2） Silicon-on-Insulator-on-Cavity-Structured Micro pressure Sensor, SENSORS AND MATERIALS, 2011, 第 5 作者
（3） Improved NiSi0.8Ge0.2/Si0.8Ge0.2 Contacts by C+ Pre-Implantation, Electrochemical and Solid-State Letters, 2011, 第 5 作者
（4） Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 onSi0.7Ge0.3/Si(100)by Al interlayer mediated epitaxy, Applied Physics Letters, 2011, 第 5 作者
（5） High mobility strained Si0.5Ge0.5 quantum well p-MOSFETs with higher-k/Metal-Gate, Solid State Electronics, 2011, 第 5 作者
（6） Epitaxial growth of fully relaxed SiGe on SOI substrate, Applied Surface Science, 2011, 第 5 作者
（7） Investigation of silicon on insulator fabricated by two-step O implantation, Chinese Science Bulletin, 2011, 第 5 作者
（8） Fabrication of Direct Silicon Bonded Hybrid Orientation Substrate by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer and Oxide Dissolution Annealing, Applied Physics Express, 2011, 第 5 作者
（9） Three-Dimensional Carrier Profi ling of Individual Si Nanowires by Scanning Spreading Resistance Microscopy, AdvancedMaterials, 2010, 第 5 作者
（10） Millimeter-scale self-collimation in planar photonic crystals fabricated by CMOS technology, Optics Communications, 2010, 第 5 作者
（11） Self-Collimation in Planar Photonic Crystals Fabricated by CMOS Technology, Chinese Physics Letters, 2010, 第 5 作者
（12） Study of GaN epilayers growth on freestanding Si cantilevers, Solid State Electronics, 2010, 第 2 作者
（13） Investigation on Silicon on Insulator Fabricated by Separation by Implanted Oxygen Layer Transfer, Journal of The Electrochemical Society, 2010, 第 5 作者
（14） Carrier Profiling of Individual Si Nanowires by Scanning Spreading Resistance Microscopy, Nano Letters , 2010, 第 5 作者
（15） Self-Collimation In Planar Photonic Crystals Fabricated by CMOS Technology, Chinese Physics Letters, 2010, 第 3 作者
（16） TCAD study on gate-all-around cylindrical (GAAC) transistor for CMOS scaling to the end of the roadmap, Microelectronics Journal , 2009, 第 2 作者
（17） Epitaxial Lateral Overgrowth of GaN on Silicon-on-Insulator, Modern Physics Letters B, 2009, 第 3 作者
（18） Three-dimensional tapered spot-size converter based on (111) silicon-on-insulator, Photonics Technology Letters, 2009, 第 4 作者
（19） The use of nanocavities for the fabrication of ultrathin buried oxide layers, Applied Physics Letters, 2009, 第 5 作者
（20） Practical considerations in the design of SRAM cells on SOI, Microelectronics Journal, 2008, 第 5 作者
（21） Efficient oxygen gettering in Si by coimplantation of hydrogen and helium, Applied Physics Letters, 2008, 第 5 作者
（22） Influence of preparing process on total-dose radiation response of high-k Hf-based gate dielectrics, Thin Solid Films, 2008, 第 5 作者
（23） Fabrication of thin film silicon on insulator by separation by implanted oxygen layer transfer, Journal of Vacuum Science and Technology B, 2008, 第 5 作者
（24） Study of GaN growth on ultra-thin Si membranes, Solid-State Electronics, 2008, 第 4 作者
（25） Investigation on a solution to improve the irradiation reliability of SOI NMOSFET, Chinese Physics C, 2008, 第 5 作者
（26） Research on metastable electron traps in the modified SOI materials induced by Si ion implantation, Journal of Vacuum Science and Technology A, 2008, 第 5 作者
（27） Effect of nanoclusters induced by Si implantation on total dose radiation response of a SOI wafer, Semiconductor Science and Technology, 2008, 第 4 作者
（28） Study on the orientation of silver films by ion-beam assisted deposition, Applied Surface Science, 2008, 第 4 作者
（29） New technology for fabricating a thin film/thick BOX silicon-on-insulator, Chinese Journal of Semi- conductors, 2008, 第 5 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）高迁移率材料工程创新团队, 主持, 部委级, 2012-01--2015-12


参与会议（1）Integration of LaLuO3/TiN Gate Stack in Strained-SiGe p-MOSFETs W. Yu, B. Zhang, Q.T. Zhao, J.-M. Hartmann, D. Buca, A. Nichau, J.M. J. Lopes, J.Schubert 2010-12-01
（2）Fabrication of Silicon-on-Insulator Wafer by SIMOX Layer Transfer Wei X, Zhang B, Chen M, Zhang M, Wang X, Lin CL 2008-10-06
（3）Industrial SOI Technology by Ion Implantation Xi Wang 2008-08-31
（4）Investigation of SOI materials fabricated by etch stop thinning process Wei X, Zhang M, Wang X, Chen M 2008-07-28

合作情况

项目协作单位
指导学生