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中国科学院大学研究生导师简介-王晓峰

中国科学院大学 免费考研网/2016-05-09

1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
王晓峰 男 硕导 中国科学院半导体研究所
电子邮件: wangxiaofeng@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体所3#308
邮政编码: 100083
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向纳电子学工艺及器件,激光微纳加工及其器件应用

教育背景2001-09--2004-06 北京大学 博士
1998-09--2001-04 北京交通大学 硕士
1994-09--1998-07 山东大学 学士


学历

学位
工作经历

工作简历2008-05~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
2004-07~2008-04,韩国三星电子半导体研究所, 高级工程师
2001-09~2004-06,北京大学, 博士
1998-09~2001-04,北京交通大学, 硕士
1994-09~1998-07,山东大学, 学士


社会兼职
教授课程半导体微纳加工技术

专利与奖励

奖励信息

专利成果( 1 )一种制作纳米尺寸相变存储器的方法,2011,第 2 作者,专利号: ZL**5.1
( 2 )应用于导电桥存储器的纳米金属插塞电极阵列的制作方法,2011,第 1 作者,专利号: ZL **6.4
( 3 )一种平面相变存储器的制备方法,2011,第 2 作者,专利号: ZL 2010 1 **.X

出版信息

发表论文(1) Understanding of Thermal Engineering for Vertical Nanowire Phase-ChangeRandom Access Memory Partially Wrapped by Low-Conductivity Layer, Japanese Journal of Applied Physics, 2012, 第 2 作者
(2) A self-aligned process for phase-change material nanowire confined within metal electrode nanogap, Applied Physics Letter, 2012, 第 2 作者
(3) A lithography-independent and fully confined fabrication process of phase-change materials in metal electrode nanogap with 16-μA threshold current and 80-mV SET voltage, Appl Phys A, 2012, 第 2 作者
(4) A Self-Aligned Process to Fabricate Metal Electrode-Quantum Dot anowire-Metal Electrode Structure with 100 percent , CHIN. PHYS. LETT, 2012, 第 2 作者
(5) Simple and low-cost fabrication of a metal nanoplug on various substrates by electroless deposition, Journal of Semiconductors, 2011, 第 2 作者
(6) Selective and lithography-independentfabrication of 20 nm nano-gap electrodesand nano-channels for nanoelectrofluidics applications, Nanotechnology , 2010, 第 2 作者
(7) Fully lithography independent fabrication of nanogap electrodes for lateral phase-change random access memory application, Applied Physics Letter, 2010, 第 2 作者


发表著作
科研活动

科研项目( 1 )纳米尺度相变存储器热量调控工程中包裹层机理的器件级研究 , 主持, 国家级, 2012-01--2014-12
( 2 )低维量子结构设计与制备, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12
( 3 )半导体的几何增强磁电阻研究, 主持, 国家级, 2013-01--2017-12
( 4 )基于原位TEM 开展28nm 及以下节点内相变存储器电子激发擦写, 主持, 国家级, 2014-04--2017-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生

相关话题/半导体 信息 研究所 奖励 纳米