1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
王晓亮 男 博导 中国科学院半导体研究所
电子邮件： xlwang@red.semi.ac.cn
通信地址： 1-616A
邮政编码： 100083
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向宽禁带半导体信息功能材料的外延生长、物理及器件制备

教育背景1992-03--1995-10 中科院西安光机所 博士
1987-07--1990-07 西北大学 硕士
1980-09--1984-07 西北大学 本科


学历

学位
工作经历

工作简历2001-09~现在, 中科院半导体所, 研究员
1997-06~2001-09,中科院半导体研究所, 副研究员
1996-01~1998-01,中科院半导体所, 博士后
1992-03~1995-10,中科院西安光机所, 博士
1987-07~1990-07,西北大学, 硕士
1984-07~1995-10,西北大学, 讲师
1980-09~1984-07,西北大学, 本科


社会兼职2012-04-18-今,中国电子学会, 理事
2010-01-01-今,西安交通大学“腾飞人才计划”特聘教授, 教授
2006-01-01-今,中国电子学会半导体集成技术分会, 秘书长

教授课程宽禁带电力电子器件
宽禁带半导体材料与器件
半导体物理与器件

专利与奖励

奖励信息（1）北京市科学技术奖,部委级,2012
（2）全国优秀科技工作者,院级,2012
（3）工信部科学技术成果奖,国家级,2009
（4）中国科学院预先研究先进个人,院级,2006


专利成果（ 1 ）p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法,2012,第 2 作者,专利号: ZL**1.4
（ 2 ）用于金属有机物化学沉积设备的气体分配装置,2011,第 1 作者,专利号: ZL**2.9
（ 3 ）制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法发明,2011,第 1 作者,专利号: ZL**8.9
（ 4 ）氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法,2011,第 1 作者,专利号: **8.8
（ 5 ）用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘及其制作工艺,2012,第 2 作者,专利号: ZL**5.2
（ 6 ）Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法,2012,第 2 作者,专利号: ZL**6.7
（ 7 ）一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统,2011,第 1 作者,专利号: ZL**3.0
（ 8 ）用于金属有机物化学沉积设备的气路装置,2012,第 2 作者,专利号: ZL**7.1
（ 9 ）金属有机物化学沉积设备的反应室,2011,第 2 作者,专利号: ZL**3.3
（ 10 ）一种制备稀磁半导体薄膜的方法,2011,第 1 作者,专利号: ZL**5.2
（ 11 ）具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法,2013,第 2 作者,专利号: **3.2
（ 12 ）铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法,2012,第 1 作者,专利号: **4.0
（ 13 ）双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法,2012,第 1 作者,专利号: **6.9

出版信息

发表论文（1） High performance AlGaN/GaN power switch with Si3N4 Insulation, Eur.Phys.J.Appl.Phys., 2013, 第 2 作者
（2） Bipolar characteristics of AlGaN/AlN/GaN/AlGaN double heterojunction structure with AlGaN as buffer layer, Journal of Alloys and Compounds, 2013, 第 2 作者
（3） The Valence Band Offset of an Al0.17Ga0.83N/GaN Heterojunction Determined by, Chinese Phyics Letter, 2013, 第 2 作者
（4） A 2nm low temperature GaN spacer to improve the transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures, Applied Physics Letters, 2012, 第 2 作者
（5） The influence of pressure on the growth of InAlN/AlN/GaN heterostructure., Eur.Phys.J.Appl.Phys., 2012, 第 2 作者
（6） Self-consistent simulation of carrier confinement characteristics in (AlyGa1-yN/AlN)SLs/GaN/(InxGa1-xN/GaN)MQW/GaN heterostructures, Journal of Alloys and Compounds, 2012, 第 2 作者
（7） Numerical optimization of carrier confinement characteristics in (AlxGa1_xN/AlN)SLs/GaN heterostructures, Physica B, 2012, 第 2 作者
（8） Raman study on dislocation in high Al content AlxGa1-xN, Eur.Phys.J.Appl.Phys., 2012, 第 2 作者
（9） An investigation on InxGa1？xN/GaN multiple quantum well solar cells, Journal of Physics D: Applied Physics, 2011, 第 2 作者
（10） Growth of GaN film on Si (111) substrate by using AlN sandwich structure as buffer, Journal of Crystal Growth, 2011, 第 2 作者
（11） Surface characterization of AlGaN grown on Si (111) substrates, Journal of Crystal Growth, 2011, 第 2 作者
（12） Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN, Applied Physics Letters, 2011, 第 2 作者
（13） An Internally-matched GaN HEMTs Device with 45.2 W at 8 GHz for X band application, Solid State Electronics, 2009, 第 1 作者
（14） High-performance 2 mm gate width GaNHEMTs on 6H-SiC with output power of 22.4 W @ 8 GHz, Solid State Electronics, 2008, 第 1 作者
（15） MOCVD-grown high mobility Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure on sapphire substrate, Journal of Crystal Growth, 2007, 第 1 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）09专项, 主持, 国家级, 2009-01--2012-12
（ 2 ）InGaN基全光谱光伏材料及其器件应用, 主持, 国家级, 2012-01--2016-08
（ 3 ）GaN 基毫米波功率器件与材料的新结构研究, 主持, 国家级, 2009-01--2012-12
（ 4 ）3-4英寸GaN基微电子材料专用MOCVD装备研制, 主持, 国家级, 2011-11--2013-10
（ 5 ）11专项, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12
（ 6 ）SiC衬底HEMT结构材料生长技术研究, 主持, 国家级, 2011-01--2015-12
（ 7 ）毫米波GaN功率器件和电路研究, 主持, 国家级, 2010-01--2014-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生