1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
王兴军 男 博导 中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件： xjwang@mail.sitp.ac.cn
通信地址： 上海市玉田路500号
邮政编码： 200083
研究领域
招生信息

招生专业070205


招生方向半导体磁光谱，磁共振

教育背景1995-09--2000-07 复旦大学 博士
1991-09--1995-07 上海交通大学 学士


学历

学位
工作经历

工作简历2010-03~现在, 中科院上海技术物理所, 研究员
2006-01~2010-03,瑞典林雪平大学, 博士后
2004-03~2005-12,日本东北大金属研究所, 非常任讲师
2000-08~2003-12,复旦大学, 讲师
1995-09~2000-07,复旦大学, 博士
1991-09~1995-07,上海交通大学, 学士


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果
出版信息

发表论文（1） Optical spin polarization and Hanle effect in GaAsSb: Temperature dependence, Appl. Phys. Lett , 2014, 第 5 作者
（2） Efficient room-temperature nuclear spin hyperpolarization of a defect atom in a semiconductor, Nature Communications, 2013, 第 2 作者
（3） Effects of Ni-coating on ZnO nanowires: A Raman scattering study , J. Appl. Phys, 2013, 第 2 作者
（4） Effect of hyperfine-induced spin mixing on the defect-enabled spin blockade and spin filtering in GaNAs , Phys. Rev. B, 2013, 第 2 作者
（5） Defects in N, O and N, Zn implanted ZnO bulk crystals , J. Appl. Phys , 2013, 第 2 作者
（6） Origin of the redshift of the luminescence peak in InGaN light-emitting diodes exposed to Co-60 γ-ray irradiation, J. Appl. Phys, 2012, 第 5 作者
（7） Sub-millisecond dynamic nuclear spin hyperpolarization in a semiconductor:A case study from PIn antisite in InP, Phys. Rev. B, 2012, 第 1 作者
（8） Effects of P implantation and post-implantation annealing on defect formation in ZnO, J. Appl. Phys, 2012, 第 1 作者
（9） Room-temperature spin injection and spin loss across a GaNAs/GaAs interface, Appl. Phys. Lett, 2011, 第 2 作者
（10） Effect of postgrowth hydrogen treatment on defects in GaNP , Appl. Phys. Lett, 2011, 第 2 作者
（11） Electron spin filtering by thin GaNAs/GaAs multiquantum wells, Appl. Phys. Lett, 2010, 第 2 作者
（12） Dominant recombination centers in Ga(In)NAs alloys: Ga interstitials, Appl. Phys. Lett, 2009, 第 1 作者
（13） Oxygen and zinc vacancies in as-grown ZnO single crystals, J. Phys.: D, 2009, 第 1 作者
（14） Room-temperature defect-engineered spin filter based on a non-magnetic semiconductor, Nature Materials , 2009, 第 1 作者
（15） Effect of stoichiometry on defect formation in ZnO epilayers grown by molecular -beam-epitaxy: an optically detected magnetic resonance study, J. Appl. Phys, 2008, 第 1 作者
（16） Bandgap properties of Zn1-xCdxO alloys grown by molecular-beam-epitaxy, Appl. Phys. Lett, 2006, 第 1 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）基于GaNAs体系缺陷调控的新型自旋过滤器的物理特性研究, 主持, 国家级, 2013-01--2015-12
（ 2 ）基于III-V族稀氮半导体中缺陷的自旋过滤器机理研究, 主持, 省级, 2011-10--2013-09
（ 3 ）光电功能材料中痕量缺陷与杂质光电行为研究, 主持, 国家级, 2011-08--2014-08


参与会议（1）Manipulating efficient hyper-polarization of local nuclear spins in a 第十九届全国半导体物理学术会议 王兴军 2013-07-14

合作情况

项目协作单位
指导学生