1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
魏同波 男 硕导 中国科学院半导体研究所
电子邮件： tbwei@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体研究所
邮政编码： 100083
研究领域
招生信息

招生专业080501


招生方向GaN基材料外延及相关发光器件

教育背景2004-09--2007-06 中科院半导体研究所 博士
2001-09--2004-06 中科院兰州化学物理研究所 硕士
1997-09--2001-06 山东师范大学 学士


学历

学位
工作经历

工作简历2011-01~现在, 中科院半导体研究所, 副研究员
2007-07~2010-12,中科院半导体研究所, 助理研究员
2004-09~2007-06,中科院半导体研究所, 博士
2001-09~2004-06,中科院兰州化学物理研究所, 硕士
1997-09~2001-06,山东师范大学, 学士


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果（ 1 ）制备半球形微纳米透镜阵列的方法,2012,第 1 作者,专利号: **4.3
（ 2 ）一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法,2012,第 1 作者,专利号: ZL.**3.X
（ 3 ）一种基于纳米柱二极管压电效应的应力传感器的制备方法,2014,第 1 作者,专利号: **7.8
（ 4 ）一种生长GaN厚膜的自剥离方法,2014,第 1 作者,专利号: **4.X

出版信息

发表论文（1） Efficiency improvement and droop behavior in nanospherical-lens lithographically patterned bottom and top photonic crystal InGaN/GaN light-emitting diodes, Opt. Lett. 39, 379 (2014), 2014, 第 1 作者
（2） Efficiency enhancement of homoepitaxial InGaN/GaN light-emitting diodes on free-standing GaN substrate with double embedded SiO2 photonic crystals, Opt. Express 22, A1093 (2014), 2014, 第 1 作者
（3） Nanospherical-lens lithographical Ag nanodisk arrays embedded in p-GaN for localized surface plasmon-enhanced blue light emitting diodes, AIP Advances 4, 067119 (2014), 2014, 第 1 作者
（4） Efficiency improvement by polarization-reversed electron blocking structure in GaN-based Light-emitting diodes, Opt. Express 22, A1001 (2014), 2014, 第 5 作者
（5） Hydride vapor phase epitaxy of {10 3} semipolar GaN on m-plane sapphire coated with self-assembled SiO2 nanospheres, J. Crystal Growth 387, 101 (2014), 2014, 第 5 作者
（6） Investigation of efficiency and droop behavior comparison for InGaN/GaN super wide-well light emitting diodes grown on different substrates, IEEE Photonics Journal, 6, ** (2014), 2014, 第 1 作者
（7） Defects reduction in semipolar {10 3} GaN grown on m-sapphire via two-step nanoepitaxial lateral overgrowth, CrystEngComm, 16, 4562 (2014), 2014, 第 5 作者
（8） Enhanced optical power of GaN-based light-emitting diode with compound photonic crystals by multiple-exposure nanosphere-lens lithography, Appl. Phys. Lett. 105, 013108 (2014) , 2014, 第 5 作者
（9） Enhancing optical power of GaN-based light-emitting diodes by nanopatterning on indium tin oxide with tunable fill factor using multiple-exposure nanosphere-lens lithography, J. Appl. Phys. 116, 194301 (2014), 2014, 第 5 作者
（10） Efficiency improvement of InGaN light emitting diodes with embedded self-assembled SiO2 nanosphere arrays, J. Crystal Growth 394, 7 (2014), 2014, 第 5 作者
（11） The improvement of GaN-based light-emitting diodes using nanopatterned sapphire substrate with small pattern spacing, AIP Advances 4, 027123 (2014), 2014, 第 5 作者
（12） Large-scale SiO2 photonic crystal for high efficiency GaN LEDs by nanospherical-lens lithography, Chin. Phys. B 23, 028504 (2014), 2014, 第 5 作者
（13） Fabrication and optical characteristics of phosphor-free InGaN nanopyramid white light emitting diodes by nanospherical-lens photolithography, J. Appl. Phys. 115, 123101 (2014), 2014, 第 5 作者
（14） Enhancement of Light Output Power from LEDs Based on Monolayer Colloidal Crystal, Small, 10, 1668 (2014), 2014, 第 2 作者
（15） Phosphor-free nanopyramid white light-emitting diodes grown on {10 1} planes using nanospherical-lens photolithography, Appl. Phys. Lett. 103, 241107 (2013), 2013, 第 5 作者
（16） Light extraction improvement of InGaN light-emitting diodes with large-area highly ordered ITO nanobowls photonic crystal via self-assembled nanosphere lithography, AIP Advances 3, 092124 (2013), 2013, 第 5 作者
（17） Size-controllable nanopyramids photonic crystal selectively grown on p-GaN for enhanced lightextraction of light-emitting diodes, Opt. Express 21, 25373 (2013), 2013, 第 5 作者
（18） Shape designing for light extraction enhancement bulk-GaN light-emitting diodes, J. Appl. Phys.113, 243104 (2013) , 2013, 第 5 作者
（19） Modification of Carrier Distribution in Dual-Wavelength Light-Emitting Diodes by Specified Mg Doped Barrier, ECS Solid State Lett. 2, R37 (2013), 2013, 第 5 作者
（20） Enhanced Light Emission of Light-Emitting Diodes with Silicon Oxide Nanobowls Photonic Crystal without Electrical Performance Damages, Jpn. J. Appl. Phys. 2013, 52: 040207, 2013, 第 5 作者
（21） Improved hole distribution in InGaN/GaN dual-wavelength light-emitting diodes with Mg-doped quantum-wells, Phys. Status Solidi A, 2013, 210: 559, 2013, 第 2 作者
（22） Improvement of carrier distribution in dual wavelength light-emitting diodes, Journal of semiconductor , 2013, 34: 054008 , 2013, 第 2 作者
（23） Selectively grown photonic crystal structures for high efficiency InGaN emitting diodes using nanospherical-lens lithography, Applied Physics Letters, 2012, 101: 211111, 2012, 第 1 作者
（24） Improving light output of vertical-stand-type InGaN light emitting diodes grown on free-standing GaN substrate with self-assembled conical arrays, IEEE Electron Device Letter, 2012，33：857, 2012, 第 1 作者
（25） Hydride vapor phase epitaxy of strain-reduced GaN film on nano-island template produced using self-assembled CsCl nanospheres, Mater. Lett. 2012, 68: 327, 2012, 第 1 作者
（26） Light extraction enhancement of bulk GaN light emitting diode with hemisphere-cones-hybrid surface, Optics Express, 2012, 20:18537, 2012, 第 5 作者
（27） Polarity dependent structure and optical properties of freestanding GaN layers grown by hydride vapor phase epitaxy, Mat. Sci. Semconi. Proc., 2012, 15: 15, 2012, 第 2 作者
（28） Enhancement in the light output power of GaN-based light-emitting diodes with nanotextured indium tin oxide layer using self-assembled cesium chloride nanospheres, Jpn. J. Appl. Phys. 2012, 51: 020204, 2012, 第 5 作者
（29） Effect of the graded electron blocking layer on the emission properties of GaN-based green light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett., 2012, 100: 053504, 2012, 第 3 作者
（30） Improving light extraction of InGaN-based light emitting diodes with a roughened p-GaN surface using CsCl nano-islands, Optics Express, 2011, 19:1065, 2011, 第 1 作者
（31） Defect-related emission characteristics nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching, J. Crystal Growth, 2011, 314:141, 2011, 第 1 作者
（32） Efficiency droop in InGaN/GaN multiple-quantum-well blue light-emitting diodes grown free-standing GaN substrate, Appl. Phys. Lett., 2011, 99: 091104, 2011, 第 5 作者
（33） MOCVD epitaxy of InAlN on different templates, Journal of Semiconductors, 2011, 32: 09300, 2011, 第 2 作者
（34） Hydride vapor phase epitxay growth of semipolar (10) GaN on patterned m-plane sapphire, Journal of The Electrochemical Society, 2010, 157: H721, 2010, 第 1 作者
（35） Catalytic activation of Mg-doped GaN by hydrogen desorption using different metal thin layers, Jpn. J. Appl. Phys. 2010, 49: 100201, 2010, 第 1 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）半极性准同质外延绿光LED及量子效率提升技术研究, 主持, 国家级, 2013-01--2016-12
（ 2 ）纳米柱全白光LＥＤ及其物理问题研究, 主持, 部委级, 2013-01--2016-12
（ 3 ）大尺寸氮化镓衬底制备与同质外延技术研究, 主持, 国家级, 2014-01--2016-12
（ 4 ）GaN基纳米柱LED选区外延及相关光电基础科学问题研究, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生