1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
魏玺 男 硕导 中国科学院过程工程研究所
电子邮件: weixi@home.ipe.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区中关村北二条1号中国科学院过程工程研究所
邮政编码: 100190
研究领域
招生信息
招生专业080502
招生方向复合材料
教育背景2001-08--2007-01 西北工业大学 硕士、博士1997-08--2001-07 西北工业大学 本科
学历
学位
工作经历
工作简历2009-04~现在, 中国科学院过程工程研究所, 助理研究员、副研究员2007-04~2009-04,清华大学, 博士后2001-08~2007-01,西北工业大学, 硕士、博士1997-08~2001-07,西北工业大学, 本科
社会兼职2012-03-01-2013-03-01,中国复合材料学会, 高级会员
教授课程
专利与奖励
奖励信息
专利成果( 1 )特种材料高温隔热效果的快速测试装置及方法.,2009,第 2 作者,专利号: **6.3( 2 )一种制备C/C复合材料的化学气相渗透工艺,2009,第 2 作者,专利号: **2.3( 3 )一种碳化锆和二硼化锆陶瓷有机前驱体材料及其制备方法,2011,第 3 作者,专利号: **0.2
出版信息
发表论文(1) Synthesis and Microstructure of Zirconium Diboride Formed from Polymeric Precursor Pyrolysis., J. Amer. Ceram. Soc., 2012, 第 3 作者(2) 整体抗氧化C/C-ZrC-SiC 复合材料的超高温烧蚀性能研究., 无机材料学报, 2011, 第 2 作者(3) 轻质复合材料高温隔热性能, 复合材料学报, 2011, 第 3 作者(4) Improved electrical conductivity of Ce0.9Gd0.1O1.95 and Ce0.9Sm0.1O1.95 by co-doping., Int. J. Hydrogen Energ., 2010, 第 2 作者(5) Deposition of BN interphase coatings from B-trichloroborazine and its effects on the mechanical properties of SiC/SiC composites., Appl. Surf. Sci., 2010, 第 3 作者(6) Electrical properties of ceria Co-doped with Sm3+ and Nd3+, J. Power Sources., 2010, 第 3 作者(7) Atomistic calculation of association energy in doped ceria, Solid State Ionics, 2009, 第 1 作者(8) Synthesis of doped ceria–zirconia core–shell nanocomposites via sol–gel process., J. Power Sources, 2009, 第 2 作者(9) Numerical simulation of effects of reactor dimensions on isothermal CVI process of C/SiC composites, Comput. Mater. Sci., 2008, 第 1 作者(10) Electrical properties of Mg-doped Gd0.1Ce0.9O1.95 under different sintering conditions., J. Power Sources., 2008, 第 2 作者(11) Citric-Nitrate Combustion Synthesis and Electrical Conductivity of the Sm3+ and Nd3+ Co-Doped Ceria Electrolyte, J. Am. Ceram. Soc., 2008, 第 3 作者(12) Modeling the Effects of Reactor Inlet Configuration on Isothermal CVI Process of C/SiC Composites, Int. J. Appl. Ceram. Technol., 2007, 第 1 作者(13) Numerical Simulation for Fabrication of C/SiC Composites in Isothermal CVI Reactor., Comput. Mater. Sci., 2007, 第 1 作者(14) Numerical Simulation of Effect of Methyltrichlorosilane Flux on Isothermal Chemical Vapor Infiltration Process of C/SiC Composites., J. Amer. Ceram. Soc., 2006, 第 1 作者(15) A Two-dimensional Model for Densification Behavior of C/SiC Composites in Isothermal Chemical Vapor Infiltration., Model. Simul. Mater. Sci. Eng., 2006, 第 1 作者(16) Modeling the effects of reactor wall reaction on isothermal CVI process of C/SiC composites., Comput. Mater. Sci., 2006, 第 1 作者(17) Comparative Modeling of Gas Transport in Isothermal Chemical Vapor Infiltration Process of C/SiC Composites., Trans. Nonferrous Met. Soc. China, 2006, 第 1 作者(18) C/SiC复合材料等温化学气相浸渗过程的数值模拟研究., 无机材料学报, 2006, 第 1 作者(19) ICVI法制备C/SiC复合材料构件的数值模拟研究, 复合材料学报, 2006, 第 1 作者
发表著作
科研活动
科研项目( 1 )XXXXC/C复合材料, 主持, 国家级, 2012-01--2014-12( 2 )××××前驱体研制, 参与, 国家级, 2012-01--2014-12( 3 )碳化锆、硼化锆前驱体材料研制, 主持, 国家级, 2011-11--2012-11( 4 )碳化铪陶瓷前驱体研制, 主持, 国家级, 2012-03--2015-03
参与会议
合作情况
项目协作单位
指导学生
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中国科学院大学研究生导师简介-魏玺
中国科学院大学 免费考研网/2016-05-09
相关话题/材料 西北工业大学 过程 中国科学院 信息
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经专家组对申请人的报名材料进行审核和学术素质评定,确定以下人员参加电子与信息领域工程博士生复试。有关事宜通知如下:一、复试时间1、电子与信息领域(软件工程方向)笔试时间:2016年4月17日 9:00-11:30地点:北京大学理科一号楼1544室面试时间:2016年4月17日 13:00-17:00地点:北京大学理科一号楼1504室复试名单: ...北京大学复试录取 本站小编 免费考研网 2016-05-102016年北京大学软件与微电子学院软件工程一级学科工学博士、电子与信息领域工程博士研究生拟录取名单公示
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