1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
奚衍罡 男 博导 中国科学院上海高等研究院
电子邮件： xiyg@sari.ac.cn
通信地址： 上海浦东张江高科园海科路99号上海高等研究院2号楼413B
邮政编码： 201210
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向LED,，太阳能，智能控制

教育背景2002-08--2006-12 Rensselaer Polytechnic Institute 理学博士
1999-09--2003-06 复旦大学 理学硕士
1995-09--1999-06 复旦大学 理学学士


学历

学位
工作经历

工作简历2014-03~2014-05,中科院上海高等研究院, 研究员
2013-06~2014-03,ProEnergy Technology, 创始人兼首席技术官
2012-12~2013-05,ITW-Despatch Industries, 首席技术官
2011-03~2012-12,ITW-Despatch Industries, 高级技术经理
2007-01~2011-03,通用电气全球研发中心, 半导体器件工程师
2002-08~2006-12,Rensselaer Polytechnic Institute, 理学博士
1999-09~2003-06,复旦大学, 理学硕士
1995-09~1999-06,复旦大学, 理学学士


社会兼职2015-01-01-今,上海科技大学, 特聘教授

教授课程
专利与奖励

奖励信息（1）****创业大赛三等奖,省级,2013
（2）GE全球研发中心卓越管理奖 （Above and Beyond Award),,2011
（3）GE全球研发中心管理奖 (Management Award),部委级,2010
（4）GE亚太美国人协会进步领导奖 (Growth Leader Award),,2009
（5）GE全球研发中心年度最佳专利申请奖 (Patent Disclosure Award),国家级,2008
（6）材料研究协会（MRS）秋季会议研究生银奖 (Silver Award),部委级,2006


专利成果（ 1 ）Nanostructured anti-reflection coatings and associated methods and devices,2009,第 1 作者,专利号: 2010/** A1
（ 2 ）Heat strengthening of a glass superstrate for thin film photovoltaic devices,2011,第 1 作者,专利号: 2013/** A1
（ 3 ）IIIA-Transition Metal Nitrides for Light Emitting Diodes and a LED Made Therefrom,2013,第 1 作者,专利号: 2014/109188
（ 4 ）Layer for thin film Photovoltaics and a solar cell made therefrom,2009,第 3 作者,专利号: 2011/** A1
（ 5 ）Layer for thin film Photovoltaics and a solar cell made therefrom,2009,第 4 作者,专利号: 2010/** A1
（ 6 ）Photovoltaic devices,2010,第 5 作者,专利号: 2012/** A1
（ 7 ）渐变折射率材料分布式布拉格反射镜及制造方法,2015,第 1 作者,专利号: **7.4
（ 8 ）Method of making transparent conductive oxide layer and a photovoltaic device,2012,第 5 作者,专利号: 2012/** A1
（ 9 ）Method and system for depositing multiple materials on a substrates,2009,第 5 作者,专利号: 2011/** A1
（ 10 ）Photovoltaic devices,2010,第 5 作者,专利号: 2012/** A1
（ 11 ）Methods of making a transparent layer and a photovoltaic device,2013,第 5 作者,专利号: 2013/** A1
（ 12 ）发光装置及其制造方法,2014,第 1 作者,专利号: **4.7
（ 13 ）发光装置及其制造方法,2014,第 1 作者,专利号: **
（ 14 ）Photovoltaic devices,2010,第 5 作者,专利号: 2012/** A1
（ 15 ）渐变折射率材料及制造方法,2015,第 1 作者,专利号: **2.6

出版信息

发表论文（1） Improved Superior firing stability resulting in cell performance improvement in high volume production, Proc. of the 27th EPVSEC, 2012, 第 2 作者
（2） Kinetic study of Al-mole fraction in AlxGa1–xN grown on c-plane sapphire and AlN bulk substrates by metal-organic vapor-phase epitaxy, Applied Physics Letters, 2007, 第 1 作者
（3） Comparative study of n-type AlGaN grown on sapphire by using a superlattice layer and a low temperature AlN interlayer, Journal of Crystal Growth, 2007, 第 1 作者
（4） Optimization of high quality AlN epitaxially grown on (0001) sapphire by metal-organic vapor-phase epitaxy, Journal of Electronic Materials, 2007, 第 1 作者
（5） Very high quality AlN grown on (0001) sapphire by metal-organic vapor phase epitaxy, Applied Physics Letters , 2006, 第 1 作者
（6） Quantitative assessment of diffusivity and specularity of surface-textured reflectors for light extraction in light-emitting diodes, Journal of Vacuum Science and Technology A, 2006, 第 1 作者
（7） Junction and carrier temperature measurements in deep-ultraviolet light-emitting diodes using three different methods, Applied Physics Letters, 2005, 第 1 作者
（8） Junction temperature in ultraviolet light-emitting diodes, Japanese Journal of Applied Physics, 2005, 第 1 作者
（9） Junction-temperature measurements in GaN UV light-emitting diodes using the diode forward voltage, Applied Physics Letters, 2004, 第 1 作者
（10） Second-order optical nonlinearity in bulk PbO/B2O3 glass, Optics Communications, 2002, 第 1 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）新型低成本硅衬底LED光源模组技术研究, 主持, 国家级, 2015-01--2017-12
（ 2 ）新型金属氮化物薄膜材料在硅基LED器件应用的研发, 主持, 国家级, 2015-04--2017-03
（ 3 ）绿色智能室内环境控制, 主持, 国家级, 2015-06--2019-05
（ 4 ）中科院百人择优资助, 主持, 部委级, 2016-01--2018-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生