1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
徐波 男 硕导 中国科学院半导体研究所
电子邮件： srex@semi.ac.cn
通信地址： 本所2＃106
邮政编码： 100083
研究领域
招生信息

招生专业080501


招生方向半导体低维纳米材料制备及其器件应用

教育背景1989-08--1992-07 中国科学院半导体研究所 研究生，硕士
1984-09--1989-07 中国科技大学 本科，学士


学历

学位
工作经历

工作简历1992-08~现在, 中国科学院半导体研究所, 科研人员
1989-08~1992-07,中国科学院半导体研究所, 研究生，硕士
1984-09~1989-07,中国科技大学, 本科，学士


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果（ 1 ）一种测量光子晶体孔洞侧壁垂直度的方法,2012,第 2 作者,专利号: ZL 2009 1 **.9
（ 2 ）InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构,2012,第 2 作者,专利号: ZL 2010 1 **.7
（ 3 ）用于半导体光放大器的宽增益谱量子点材料结构,2012,第 3 作者,专利号: ZL 2009 1 **.3
（ 4 ）一种调节GaAs基二维光子晶体微腔共振模式的方法,2012,第 2 作者,专利号: ZL 2009 1 **.8
（ 5 ）制备低密度、长波长InAs/GaAs量子点的方法,2013,第 3 作者,专利号: 2013 1 **.6

出版信息

发表论文（1） Fabrication of low-density long-wavelength InAs quantum dots using a formation-dissolution-regrowth method, Chinese Physics Letters, 2013, 第 3 作者
（2） Cavity-mode calculation of L3 photonic crystal slab using the effective index perturbation method, Optical Review, 2013, 第 4 作者
（3） Investigation of the temperature sensitivity of the long-wavelength InP-based laser, Acta Physica Sinica, 2012, 第 2 作者
（4） Effect of rapid thermal annealing on the luminescence of self-assembled In As quantum dots embedded in GaAs-based photonic crystal nanocavities, Microelectronic Engineering, 2012, 第 2 作者
（5） Study on properties of the H1 photonic crystal slab cavity using the effective index perturbation method, Acta Physica Sinica, 2012, 第 3 作者
（6） Experimental and theoretical study for InAs quantum dashes-in-a-step-well structure on (001)-oriented InP substrate, Journal of Applied Physics, 2011, 第 3 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）硅基量子点外延材料及激光器件, 参与, 国家级, 2013-01--2017-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生