1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
徐静波 男 硕导 中国科学院微电子研究所
电子邮件： xujingbo@ime.ac.cn
通信地址： 无锡新区菱湖大道200号
邮政编码：
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向射频、微波器件与电路集成技术

教育背景2005-06--2008-06 中国科学院微电子研究所 博士
2003-10--2004-09 中国电子科技集团公司第十三研究所 联合培养
2002-07--2005-05 河北工业大学 硕士
1998-09--2002-06 河北工业大学 学士


学历

学位
工作经历

工作简历2010-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2010-03~现在, 中国科学院物联网研究发展中心、江苏物联网研究发展中心, 外派参与筹建物联网中心
2008-07~2010-09,中国科学院微电子研究所, 助理研究员
2005-06~2008-06,中国科学院微电子研究所, 博士
2003-10~2004-09,中国电子科技集团公司第十三研究所, 联合培养
2002-07~2005-05,河北工业大学, 硕士
1998-09~2002-06,河北工业大学, 学士


社会兼职
教授课程知识产权法

专利与奖励

奖励信息

专利成果（ 1 ）高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料结构,2007,第 1 作者,专利号:ZL **5.2
（ 2 ）或非门逻辑单元及其形成方法,2008,第 1 作者,专利号: ZL **3.6
（ 3 ）单片集成增强耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法 ,2008,第 3 作者,专利号: ZL 2008 1 **.5
（ 4 ）单片集成GaAs基ED MHEMT的制作方法,2008,第 4 作者,专利号: ZL **6.9
（ 5 ）实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法,2008,第 3 作者,专利号:ZL**6.X
（ 6 ）适用于增强型InGaP AlGaAs InGaAs PHEMT器件的栅退火方法,2007,第 2 作者,专利号: ZL 2007 1 **.6
（ 7 ）制作单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管的方法,2007,第 1 作者,专利号:ZL **0.2
（ 8 ）增强型背栅氧化锌米线场效应晶体管及其制备方法,2008,第 1 作者,专利号: ZL **1.7
（ 9 ）单片集成GaAs基ED MHEMT的制作方法,2008,第 3 作者,专利号: ZL **6.9
（ 10 ）单片集成的环形振荡器与分频器电路及其处理方法,2007,第 1 作者,专利号:ZL **3.4
（ 11 ）单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构,2007,第 1 作者,专利号:ZL **1.7
（ 12 ）单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构,2007,第 1 作者,专利号:ZL **1.0
（ 13 ）制作单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管的方法,2007,第 1 作者,专利号:ZL **0.6
（ 14 ）非门逻辑电路及其形成方法,2008,第 1 作者,专利号: ZL **9.X
（ 15 ）一种ZnO背栅纳米线场效应管的制备方法,2008,第 3 作者,专利号: ZL **3.2
（ 16 ）实现ZnO纳米线到场效应管衬底的定位方法,2008,第 4 作者,专利号:ZL**5.5
（ 17 ）实现ZnO纳米线到场效应管衬底淀积和定位的方法,2008,第 4 作者,专利号:ZL **4.0
（ 18 ）在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法,2008,第 4 作者,专利号:ZL **6.X
（ 19 ）在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法,2008,第 3 作者,专利号: ZL **7.3

出版信息

发表论文（1） 太赫兹时域光谱法测定高电子迁移率晶体管的截止工作频率, 激光与光电子学进展, 2012, 第 5 作者
（2） Device research on GaAs-based InAlAsInGaAs metamorphic highelectron mobility transistors grown by metal organic chemical vapourdeposition, Chin. Phys. B , 2010, 第 1 作者
（3） ZnO纳米线场效应管的制备及光电特性, 半导体学报, 2009, 第 4 作者
（4） The research on suspended ZnO nanowire field-effect transistor, Chin. Phys. B , 2009, 第 4 作者
（5） 利用电子束光刻技术实现200 nm 栅长GaAs基MHEMT器件, 200 nm gate-length GaAs-based MHEMT devices by electron beam lithography , Chinese Science Bulletin, 2008, 第 1 作者
（6） 1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC, 半导体学报, 2008, 第 1 作者
（7） Left-Handed Metamaterials for RL and Microwave Filter Miniaturization, 2008 IEEE MTT-S International Microwave Workshop Series on Art of Miniaturizing RF and Microwave Passive Components, 2008, 第 3 作者
（8） Power Characteristics of Metamorphic In0.52Al0.48As／In0.6Ga0.4As HEMTs on GaAs Substrates with T-Shaped Gate, 半导体学报, 2008, 第 3 作者
（9） GaAs基ED PHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路, 半导体学报, 2008, 第 3 作者
（10） 200nm Gate Length Metamorphic In0.52Al0.48AsIn0.6Ga0.4As HEMTs on GaAs Substrates with 110GHz ft, 半导体学报, 2008, 第 3 作者
（11） Gate Annealing of an Enhancement-mode InGaPAlGaAsInGaAs PHEMT, 半导体学报, 2008, 第 3 作者
（12） 单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP／AlGaAs／InGaAs增强／耗尽型赝配高电子迁移率晶体管, Monolithic integration of 0.8μm gate-length GaAs-based InGaPAlGaAsInGaAs enhancement- and depletion-mode PHEMTs, 半导体学报, 2007, 第 1 作者
（13） Abstraction of Small Signal Equivalent Circuit Parameters of Enhancement-Mode InGaP AlGaAs InGaAs PHEMT, 半导体学报, 2007, 第 1 作者
（14） 一种InGaAs InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法, 半导体学报, 2007, 第 5 作者
（15） Ultrahigh-Speed Lattice-Matched In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As HEMTs with 218GHz Cutoff Frequency, 半导体学报, 2007, 第 5 作者
（16） 磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究, 物理学报, 2007, 第 5 作者
（17） MBE生长高2-DEG面密度InP基PHEMT外延材料, 半导体技术, 2005, 第 1 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）基于纳米操控技术的ZnO纳米线传感器制备技术研究, 主持, 国家级, 2009-08--2010-08
（ 2 ）氧化锌一维纳米线场效应晶体管的研究, 主持, 市地级, 2008-07--2009-07
（ 3 ）W波段MHEMT功率器件, 主持, 市地级, 2006-10--2008-09
（ 4 ）新一代化合物半导体电子器件与电路研究——新结构InP基HEMT和增强/耗尽（E/D）型HEMT, 参与, 国家级, 2002-10--2008-10
（ 5 ）支持压力感知的低功耗三维触控屏研发, 参与, 省级, 2011-03--2013-03
（ 6 ） 物联网核心芯片及应用技术, 参与, 部委级, 2015-07--2017-06


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生