1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
许高博 男 硕导 微电子研究所
电子邮件：xugaobo@ime.ac.cn
通信地址：北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所十室
邮政编码：100029


研究领域
招生信息

招生专业 微电子学与固体电子学



招生方向 集成电路先导工艺与仪器装备技术


教育背景 2003-09--2009-07 中国科学院微电子研究所 工学博士学位
1998-09--2002-07 山东大学 工学学士学位


学历

学位
工作经历

工作简历 2009-09--今 中国科学院微电子研究所 副研究员
2009-07--2011-09 中国科学院微电子研究所 助理研究员


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果 （1） 一种隧穿场效应晶体管及其制造方法，发明，2011，第1作者，专利号：**2.4
（2） 一种半导体器件的制造方法，发明，2011，第1作者，专利号：**1.3
（3） 一种存储器及其制造方法，发明，2011，第1作者，专利号：**7.0
（4） 一种高k栅介质界面优化方法，发明，2011，第1作者，专利号：**1.8
（5） n型半导体器件及其制造方法，发明，2011，第1作者，专利号：**4.0
（6） 一种半导体器件的替代栅集成方法，发明，2011，第1作者，专利号：**7.8
（7） 一种互补型金属氧化物半导体场效应晶体管的制备方法，发明，2011，第3作者，专利号：**5.7
（8） 一种栅堆叠及其制造方法，发明，2013，第1作者，专利号：**8.0
（9） P-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME，发明，2011，第1作者，专利号：**
（10） METHOD FOR IMPROVING ELECTRON-BEAM EXPOSURE EFFICIENCY，发明，2011，第2作者，专利号：**
（11） 一种半导体结构的制造方法，发明，2011，第3作者，专利号：**0.9
（12） CMOS器件及其制造方法，发明，2012，第3作者，专利号：**4.6
（13） 超陡倒掺杂沟道的形成方法，半导体器件及其制造方法，发明，2012，第4作者，专利号：**6.7
（14） 等平面场氧化隔离结构及其形成方法，发明，2012，第1作者，专利号：**6.4
（15） 形成半导体器件替代栅的方法以及制造半导体器件的方法，发明，2012，第1作者，专利号：**3.7
（16） 一种用于PMOS器件的金属栅功函数的调节方法，发明，2012，第2作者，专利号：CN**B
（17） 一种钼铝氮金属栅的制备方法，发明，2012，第1作者，专利号：CN**B
（18） 一种铪硅铝氧氮高介电常数栅介质的制备方法，发明，2012，第1作者，专利号：CN**B
（19） 一种双金属栅功函数的调节方法，发明，2012，第2作者，专利号：CN**B
（20） METHOD FOR INTEGRATION OF DUAL METAL GATES AND DUAL HIGH-K DIELECTRICS IN CMOS DEVICES，发明，2011，第2作者，专利号：**
（21） METHOD FOR INTEGRATING REPLACEMENT GATE IN SEMICONDUCTOR DEVICE，发明，2011，第1作者，专利号：US **B2
（22） p型半导体器件及其制造方法，发明，2013，第1作者，专利号：CN**B
（23） METHOD FOR FORMING AND CONTROLLING MOLECULAR LEVEL SiO2 INTERFACE LAYER，发明，2012，第2作者，专利号：US **
（24） METHOD FOR MANUFACTURING CMOS FET，发明，2012，第3作者，专利号：US **
（25） METHOD FOR MANUFACTURING N-TYPE MOSFET，发明，2013，第3作者，专利号：**
（26） METHOD for MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE，发明，2014，第2作者，专利号：**
（27） METHODS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES，发明，2014，第3作者，专利号：**
（28） METHOD FOR MANUFACTUREING P-TYPE MOSFET，发明，2014，第2作者，专利号：**
（29） CMOS Device and Method for Manufacturing the Same，发明，2012，第3作者，专利号：**
（30） SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME，发明，2013，第3作者，专利号：**
（31） METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE MOSFET，发明，2013，第4作者，专利号：**
（32） METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE，发明，2014，第3作者，专利号：**
（33） 隧穿场效应晶体管及其制造方法，发明，2014，第1作者，专利号：**5.0

出版信息

发表论文 （1） Study of Si Green Transistor with an Ultra-shallow Pocket Junction，ECS Transactions，2014，第1作者
（2） Investigation of Key Technologies for Poly-Si/TaN/fLaON/IL SiO2 Gate-Stacks in Advanced Device Applications，IEEE Transactions on Electron Devices，2014，第2作者
（3） CMP-Less Planarization Technology with SOG/LTO Etchback for Low-Cost High-k/Metal Gate-Last Integration，ECS Journal of Solid State Science and Technology，2013，第4作者
（4） Characterization of HfSiAlON/MoAlN PMOSFET Fabricated by Using a Novel Gate-Last Process，Chinese Physics Letters，2013，第1作者
（5） Characteristics of HfLaON/SiO2 Gate Stack prepared using Reactive Sputtering，ECS Transactions，2013，第1作者
（6） A high performance HfSiON/TaN NMOSFET fabricated using a gate-last process，Chinese Physics B，2013，第1作者
（7） HfSiON High-k Layer Compatibility Study with TetraMethyl Ammonium Hydroxide (TMAH) Solution，Electrochemical and Solid-State Letters，2012，第3作者
（8） Characteristics of HfSiAlON Gate Dielectric Prepared by Physical Vapor Deposition，ECS Transactions，2011，第1作者
（9） CMP-less Planarization Technology with SOG/LTO Etchback for Low Cost 70nm Gate-Last Process，ECS Transactions，2011，第4作者
（10） Gallium-incorporated TiN metal gate with band-edge work function and excellent thermal stability for PMOS device applications，IEEE Electron Device Letters，2011，第2作者


发表著作
科研活动

科研项目 （1） 双金属栅CMOS器件的可靠性退化机制及其抑制方法研究，参与，国家级，2014-01--2016-12
（2） 低功耗隧穿场效应晶体管研究及制备，主持，研究所（学校）级，2013-01--2013-12
（3） 超薄HfSiON+MOx叠层高k栅介质研究及制备，主持，省级，2012-01--2013-06
（4） 16纳米硅基三维器件复合应变沟道集成，参与，研究所（学校）级，2010-01--2013-12


参与会议 （1） Study of Hetero-Tunneling gFET with an Ultra-Shallow Pocket Junction，2014-05，Gaobo Xu, Qiuxia Xu, Huaxiang Yin, Guilei Wang, Jinbiao Liu, Wenjuan Xiong, Chunlong Li, Dahai Wang, Junfeng Li and Chao Zhao
（2） Study of Si Green Transistor with an Ultra-shallow Pocket Junction，2014-03，Gaobo Xu, Qiuxia Xu, Huaxiang Yin, Huajie Zhou, Guilei Wang, Chunlong Li, Jinbiao Liu, Junjie Li, Wenjuan Xiong, Dahai Wang, Junfeng Li and Chao Zhao
（3） High-quality HfSiON gate dielectric and its application in a gate-last NMOSFET fabrication，2013-06，许高博，徐秋霞，殷华湘，周华杰，杨涛，牛洁斌，孟令款，贺晓彬，王桂磊，余嘉晗，王大海，李俊
（4） Characteristics of HfLaON/SiO2 Gate Stack prepared using Reactive Sputtering，2013-03，许高博，徐秋霞，周华杰，高建峰，项金娟，刘金彪，熊文娟，卢一泓，王桂磊，李俊峰，赵超，陈大鹏
（5） Characteristics of HfSiAlON Gate Dielectric Prepared by Physical Vapor Deposition，2011-03，许高博，徐秋霞

合作情况

项目协作单位
指导学生