1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
杨建荣 男 博导 中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件： yangjr@mail.sitp.ac.cn
通信地址： 周家嘴路2001弄16号401室
邮政编码： 200092
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向化合物半导体材料，光电探测器

教育背景

学历

学位
工作经历

工作简历

社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息（1）航天长波红外焦平面组件技术,国家级,2014
（2）2000元中波红外线列焦平面组件,部委级,2006
（3）32×32长波红外焦平面及HgCdTe分子束外延材料,国家级,1997


专利成果
出版信息

发表论文（1） 碲镉汞材料中Au原子迁移和浓度分布的特性, Characteristics of Au Migration and Concentration Distributions in Au-Doped HgCdTe LPE Materials, Journal of ELECTRONIC MATERIALS, 2015, 第 2 作者
（2） 富碲和富镉沉淀相缺陷对碲镉汞薄膜表面缺陷的影响, Influences of Te-Rich and Cd-Rich Precipitates of CdZnTe, Journal of ELECTRONIC MATERIALS, 2014, 第 4 作者
（3） 富镉热处理对碲锌镉材料中缺陷的影响, Influence of Cd-rich Annealing on Defects in Te-rich CdZnTe, Journal of ELECTRONIC MATERIALS, 2014, 第 2 作者
（4） (111)B碲锌镉晶体中沉淀物缺陷形成的表面腐蚀坑, Etch pits of precipitates in CdZnTe crystals on (111)B surface, J. cryst, growth, 2012, 第 4 作者
（5） 腐蚀坑所揭示的碲锌镉材料中位错的特性, Characteristics of the dislocations in CdZnTe crystals revealed by etch pits, J.cryst. growth, 2011, 第 5 作者
（6） 碲锌镉材料腐蚀坑及其特性研究, 红外与激光工程, 2010, 第 5 作者
（7） 碲镉汞富碲垂直液相外延技术, 红外与毫米波学报, 2009, 第 1 作者
（8） Traces of HgCdTe defects as revealed by etch pits , J. Electronic Materials, 2008, 第 1 作者


发表著作（ 1 ）碲镉汞材料物理与器件, Physics andTechnology of HgCdTe Materials, 国防工业出版社, 2013-11, 第 1 作者

科研活动

科研项目

参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生