1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
杨少延 男 硕导 中国科学院半导体研究所
电子邮件： sh-yyang@semi.ac.cn
通信地址： 北京海淀区清华东路甲35号
邮政编码： 100083
研究领域
招生信息

招生专业080501


招生方向超宽禁带半导体材料、器件及物理研究

教育背景2002-03--2005-10 中国科学院半导体研究所 在职博士/博士学位
1996-09--1999-07 吉林大学 材料科学与工程系 硕士研究生/或硕士学位
1992-09--1996-07 哈尔滨师范大学物理系 大学本科学生/或学士学位


学历

学位
工作经历

工作简历2013-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2005-08~2012-12,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2002-03~2005-10,中国科学院半导体研究所, 在职博士/博士学位
2002-03~2005-07,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
1999-07~2002-02,中国科学院半导体研究所, 研究实习员
1996-09~1999-07,吉林大学 材料科学与工程系, 硕士研究生/或硕士学位
1992-09~1996-07,哈尔滨师范大学物理系, 大学本科学生/或学士学位


社会兼职
教授课程宽禁带半导体材料大失配外延技术

专利与奖励

奖励信息

专利成果（ 1 ）一种生长氧化锌薄膜的装置及方法,2010,第 1 作者,专利号: ZL**1.1
（ 2 ）一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法,2010,第 5 作者,专利号: **7.3
（ 3 ）一种利用非极性ZnO缓冲层生长高质量非极性InN薄膜的制备方法,2010,第 5 作者,专利号: **7.3
（ 4 ）氮化铝单晶材料制备方法,2012,第 1 作者,专利号: **2.6
（ 5 ）利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法,2012,第 5 作者,专利号: **2.2
（ 6 ）一种非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法,2012,第 5 作者,专利号: **1.8
（ 7 ）利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法,2012,第 5 作者,专利号: **4.0
（ 8 ）利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件方法,2013,第 1 作者,专利号: **9.1
（ 9 ）利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件方法,2013,第 1 作者,专利号: **5.1
（ 10 ）一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法,2014,第 5 作者,专利号: **5.5
（ 11 ）一种高反射率的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法,2014,第 3 作者,专利号: **8.8
（ 12 ）缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法,2014,第 2 作者,专利号: **5
（ 13 ）制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法,2014,第 3 作者,专利号: **6

出版信息

发表论文（1） Theoretical study of the anisotropic electrons cattering by step sin vicinal AlGaN/GaN heterostructures, Physica E, 66， 116(2015), 2015, 第 5 作者
（2） Competitive growth mechanisms of AlN on Si (111) by MOVPE, Scientific Reports, 4 , 6416(2014), 2014, 第 5 作者
（3） Significant quality improvement of GaN on Si(111) upon formation of an AlN defective layer, CrystEngComm, 16, 7525-7528 (2014), 2014, 第 5 作者
（4） Morphology and structure controlled growth of one-dimensional AlN nanorod arrays by hydride vapor phase epitaxy, RSC Adv., 4, 54902(2014), 2014, 第 5 作者
（5） Interface roughness scattering considering the electrical field fluctuation in undoped AlxGa1？xN/GaN heterostructures, Semicond. Sci. Technol. ，29，045015 (2014), 2014, 第 3 作者
（6） Study of the one dimensional electron gas arrays confined by steps in vicinal GaN/AlGaN heterointerfaces, Journal of Applied Physics, 115, 193704 (2014), 2014, 第 5 作者
（7） Anisotropic scattering effect of the inclined misfit dislocation on the two-dimensional electron gas in Al(In)GaN/GaN heterostructures, Journal of Applied Physics, 115, 043702 (2014), 2014, 第 5 作者
（8） Single-crystalline GaN nanotube arrays grown on c-Al2O3 substrates using InN nanorods as templates, Journal of Crystal Growth，389，1 (2014), 2014, 第 5 作者
（9） Determination of polar C-plane and nonpolar A-plane AlN/GaN heterojunction band offsets by X-ray photoelectron spectroscopy, Phys. Status Solidi B,251(4), 788(2014), 2014, 第 5 作者
（10） Anisotropic scattering effect of the inclined misfit dislocation on the two-dimensional electron gas in Al(In)GaN/GaN heterostructures, J. Appl. Phys. 115, 043702 (2014), 2014, 第 5 作者
（11） Scattering due to Schottky barrier height spatial fluctuation on two dimensional electron gas in AlGaN/GaN high electron mobility transistors, Appl. Phys. Lett. 103, 232109 (2013), 2013, 第 5 作者
（12） Dislocation Scattering in ZnMgO/ZnO Heterostructures, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 60(6), 2077-2079(2013), 2013, 第 5 作者
（13） Determination of polar C-plane and nonpolar A-plane AlN/GaN heterojunction band offsets by X-ray photoelectron spectroscopy,, Phys. Status Solidi B, 1–4 (2013) / DOI 10.1002/pssb.**, 2013, 第 5 作者
（14） X-ray probe of GaN thin films grown on InGaN compliant substrates, APPLIED PHYSICS LETTERS 102, 132104 (2013), 2013, 第 5 作者
（15） dimensional electron gas mobility limited by scattering of quantum dots with indium composition transition region in quantum wells, Physica E, 52, 150 (2013), 2013, 第 5 作者
（16） Scattering due to large cluster embedded in quantum wells, Applied Physics Letters 102, 052105 (2013), 2013, 第 5 作者
（17） A theoretical calculation of the impact of GaN cap and AlxGa1-xN barrier thickness fluctuations on two-dimensional electron gas in GaN/AlxGa1-xN/GaN heterostructure, IEEE Transactions on Electron Devices, 58(12), 4272( 2011), 2011, 第 5 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）利用玻璃衬底制备新型InGaN 基量子点全光谱太阳电池材料研究, 主持, 国家级, 2013-01--2015-12
（ 2 ）自支撑AlN衬底材料及AlN/蓝宝石复合衬底材料的制备, 参与, 国家级, 2011-08--2015-08


参与会议（1）石墨烯二维材料与第三代半导体氮化物材料低成本薄膜化制备技术 2015年第十三届国际真空展览会真空学术论坛 杨少延 2015-05-06
（2）超宽禁带氮化物半导体材料在空间太阳能发电技术中的作用与挑战 2014年 燕赵高层科技论坛系列 光伏技术进展高峰论坛 杨少延 2014-05-30
（3）硅衬底氮化镓材料发展节能新技术的机遇与挑战 2013年第十二届国际真空展览会真空学术论坛 杨少延 2013-05-16

合作情况

项目协作单位
指导学生