1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
杨身园 女 硕导 中国科学院半导体研究所
电子邮件： syyang@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号2号楼329
邮政编码： 100083
研究领域
招生信息

招生专业070205


招生方向半导体材料和纳米体系的第一性原理计算，半导体表面和界面

教育背景2006-03--2008-08 美国田纳西大学，橡树岭国家实验室 访问学者
2003-09--2008-09 中国科学院物理研究所 博士
1999-09--2003-07 北京师范大学物理学系 学士


学历

学位
工作经历

工作简历2011-09~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员
2008-08~2011-08,美国劳伦斯伯克利国家实验室, 博士后
2006-03~2008-08,美国田纳西大学，橡树岭国家实验室, 访问学者
2003-09~2008-09,中国科学院物理研究所, 博士
1999-09~2003-07,北京师范大学物理学系, 学士


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果
出版信息

发表论文（1） Structural and electronic propertiesof zigzag graphene nanoribbons on Si(001) substrates, Chin. Phys. Lett., 2015, 第 5 作者
（2） N-doped zigzag graphene nanoribbons on Si(001): a first-principles calculation, Chin. Phys. Lett., 2015, 第 5 作者
（3） Tuning semiconductor band edge energies for solar photocatalysis via surface ligand passivation, Nano Lett. , 2012, 第 1 作者
（4） Tuning the electronic structure of II-VI and III-V semiconductors with biaxial strain, Appl. Phys. Lett. , 2011, 第 1 作者
（5） Strain-induced band gap modification in coherent core/shell nanostructures, Nano Lett. , 2010, 第 1 作者
（6） Interaction between hydrogen molecules and metallofullerenes, J. Chem. Phys. , 2009, 第 2 作者
（7） Generic guiding principle for the prediction of metal-induced reconstructions of compound semiconductor surfaces, Phys. Rev. B, 2008, 第 1 作者
（8） Electron transfer and localization in endohedral metallofullerenes: Ab initio density functional theory calculations, Phys. Rev. B , 2008, 第 1 作者
（9） Energetics and kinetics of Ti clustering on neutral and charged C60 surfaces, J. Chem. Phys. , 2008, 第 1 作者
（10） Calcium as a superior coating metal in functionalization of carbon fullerenes for high-capacity hydrogen storage, Phys. Rev. Lett. , 2008, 第 2 作者
（11） Charged fullerenes as high-capacity hydrogen storage media, Nano Lett. , 2007, 第 2 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）石墨烯纳米带与衬底相互作用的第一性原理研究, 主持, 国家级, 2013-01--2015-12
（ 2 ）分立量子点可控高效纳米发光器件机理及制备基础研究, 参与, 国家级, 2013-01--2017-12
（ 3 ）2.8-4.0微米室温高性能半导体激光器材料和器件制备研究, 参与, 国家级, 2014-01--2018-08
（ 4 ）II-VI族半导体芯/壳纳米线异质结中的应变与掺杂, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12


参与会议（1）Tuning the electronic structure of II-VI semiconductors and nanostructures for energy applications Shenyuan Yang 2011-03-24
（2）Tuning semiconductor band edge energies via surface ligand passivation Shenyuan Yang, D. Prendergast, and J. B. Neaton 2011-03-23
（3）Strain-induced band gap modification in coherent core/shell nanostructures Shenyuan Yang, D. Prendergast, and J. B. Neaton 2010-10-01
（4）Charge separation and electronic level alignment in multicomponent CdSe/CdTe nanostructures from first principles Shenyuan Yang, D. Prendergast, and J. B. Neaton 2010-04-09
（5）Electronic level alignment in multicomponent CdSe/CdTe nanostructures from first principles Shenyuan Yang, D. Prendergast, and J. B. Neaton 2010-03-15

合作情况

项目协作单位
指导学生