1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
姚吉勇 男 硕导 中国科学院理化技术研究所
电子邮件: jyao@mail.ipc.ac.cn
通信地址: 北京市中关村东路29号
邮政编码: 100190
研究领域
招生信息
招生专业085204
招生方向新型红外非线性光学材料的合成、结构、晶体生长和性质研究
教育背景2000-09--2004-08 美国西北大学 博士1997-09--2000-07 中国科学技术大学 硕士1992-09--1997-07 中国科学技术大学 学士
学历
学位
工作经历
工作简历2009-06~现在, 中国科学院理化技术研究所, 副研究员2004-09~2009-05,英国利物浦大学,美国西北大学,美国Texas A&M University化学系, 博士后2000-09~2004-08,美国西北大学, 博士1997-09~2000-07,中国科学技术大学, 硕士1992-09~1997-07,中国科学技术大学, 学士
社会兼职
教授课程
专利与奖励
奖励信息
专利成果( 1 )BaGa 4Se7化合物、BaGa4 Se7非线性光学晶体及制法和用途 , 中国专利,2010,第 1 作者,专利号: **9.9( 2 )LiGaGe2Se6化合物、LiGaGe2Se6非线性光学晶体及制法和用途,2011,第 1 作者,专利号: **6.1( 3 )BaGa2GeSe6化合物、BaGa2GeSe6非线性光学晶体及制法和用途,2011,第 1 作者,专利号: **7.8
出版信息
发表论文(1) K2FeGe3Se8: A New Antiferromagnetic Iron Selenide, Inorg. Chem., 2013, 第 5 作者(2) Syntheses, Structures, Optical and Magnetic Properties of Ba2MLnSe5 (M = Ga, In; Ln = Y, Nd, Sm, Gd, Dy, Er)., Inorg. Chem, 2012, 第 5 作者(3) Synthesis, Structure and Properties of Li2In2MQ6 (M = Si, Ge; Q = S, Se): A New Series of IR Nonlinear Optical Materials, Inorg. Chem, 2012, 第 5 作者(4) BaGa2MQ6 (M = Si, Ge; Q = S, Se): A New Series of Promising IR Nonlinear Optical Materials, Dalton Trans, 2012, 第 5 作者(5) Growth and Characterization of BaGa4Se7 Crystal, J. Cryst. Growth,, 2012, 第 1 作者(6) Ba2AgInS4 and Ba4MGa5Se12 (M = Ag, Li): Syntheses, Structures, and Optical Properties, Dalton Trans., 2012, 第 5 作者(7) LiGaGe2Se6: A New IR Nonlinear Optical Material with Low Melting Point., Inorg. Chem, 2012, 第 5 作者(8) NaGe3P3: A New Ternary Germanium Phosphide Featuring an Unusual [Ge3P7] Ring., Dalton Trans, 2012, 第 5 作者(9) Synthesis, Structural Characterization and Optical Properties of a New Cesium Aluminum Borate, Cs2Al2B2O, J. Solid State Chem, 2012, 第 5 作者(10) Synthesis, Structure, and Electronic Structure of CsAgGa2Se4., J. Solid State Chem., 2012, 第 5 作者(11) Syntheses, Structures, Physical Properties, and Electronic Structures of Ba2MLnTe5 (M = Ga, Ln = Sm, Gd, Dy, Er, Y; M = In, Ln = Ce, Nd, Sm, Gd, Dy, Er, Y), Inorg. Chem, 2012, 第 5 作者(12) ., Ba3LnInS6 (Ln = Pr, Sm, Gd, Yb) and Ba2LnGaS5(Ln = Pr, Nd): Syntheses, Structures, and Magnetic and Optical Properties, Inorg. Chem., 2012, 第 5 作者(13) Syntheses, Structures, Optical and Magnetic Properties of Ba2MLnSe5 (M = Ga, In; Ln = Y, Nd, Sm, Gd, Dy, Er). , Inorg. Chem., 2012, 第 5 作者(14) Synthesis, Structure and Properties of Li2In2MQ6 (M = Si, Ge; Q = S, Se): A New Series of IR Nonlinear Optical Materials., Inorg. Chem, 2012, 第 5 作者(15) Ba5Ga4Se10: a new selenidogallate containing the novel [Ga4Se10] 10- anionic cluster with Ga in , Dalton Transactions, 2011, 第 5 作者(16) BaAl4Se7:ANew Infrared Nonlinear Optical Material with a Large Band Gap., Dalton Trans., 2011, 第 5 作者(17) Syntheses and Characterization of Ba5M2Se8 (M = Al, Ga). , J. Alloys Compd., 2011, 第 5 作者(18) BaGa4Se7: A New Congruent-Melting IR Nonlinear Optical Material., Inorg. Chem., 2010, 第 1 作者(19) KBiMS4 (M=Si, Ge): Synthesis, Structure, and Electronic Structure., J. Solid State Chem., 2010, 第 5 作者(20) Bi3In4S10 and Bi14.7In11.3S38: Two New Bismuth Sul?des with Interesting Bi–Bi Bonding., J. Solid State Chem., 2010, 第 5 作者(21) YAl3(BO3)4: Crystal Growth and Characterization., J. Cryst. Growth, 2010, 第 3 作者(22) Dichalcogenide Bonding in Seven Alkali-Metal Actinide Chalcogenides of the KTh2Se6 Structure Type., Inorg. Chem., 2010, 第 3 作者(23) A One-pot Method to Grow Pyrochlore H4Nb2O7-octahedron-based Photocatalyst., J. Mater. Chem., 2010, 第 5 作者(24) Syntheses, Structures, Physical Properties, and Electronic Properties of Some AMUQ3 Compounds (A = Alkali metal; M = Cu or Ag; Q = S or Se). , Inorg. Chem., 2008, 第 1 作者(25) Ba4Cr2US9:The First Chalcogenide Analogue of the Perovskite –Related (A3A’BO6)m(A3B3O9)n Family., Zeitschriftfüranorganische und allgemeineChemie., 2008, 第 1 作者(26) Synthesis, Structure, and Magnetic properties of Ba2Cu2US5., J. Solid State Chem., 2008, 第 2 作者(27) Syntheses and Structures of CsHo3Te5 and Cs3Tm11Te18 and the Electronic Structure of CsHo3Te5., J. Solid State Chem., 2005, 第 1 作者(28) Syntheses, Structure, Some Band Gaps and Electronic Structures of CsLnZnTe3 (Ln = La, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Y)., Inorg. Chem., 2004, 第 1 作者(29) RbPbPS4., Acta Crystallogr., Sect. E: Struct. Rep. Online, 2004, 第 1 作者(30) Syntheses, Structures, Physical Properties, and Electronic Structures of KLn2CuS4 (Ln = Y, Nd, Sm, Tb, Ho) and K2Ln4Cu4S9 (Ln = Dy, Ho)., J. Solid State Chem., 2003, 第 1 作者(31) New Quaternary Bismuth Sulfides: Syntheses, Structures, and Band Structures of AMBiS4 (A = Rb, Cs; M = Si, Ge)., Inorg. Chem., 2002, 第 1 作者(32) Nd3+: CaLa2B10O19晶体的生长和性质研究, 人工晶体学报, 2000, 第 1 作者
发表著作
科研活动
科研项目( 1 )新型红外非线性光学晶体BaGa4Se7的生长和性能研究, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12( 2 )结构功能区与无机光电转换材料设计, 主持, 国家级, 2012-01--2015-12( 3 )无机非线性光学晶体分子设计、新材料探索及其应用, 参与, 国家级, 2011-01--2015-12( 4 )新型金属硫属化合物红外非线性光学材料的探索性合成、, 主持, 国家级, 2013-01--2016-12
参与会议
合作情况
项目协作单位
指导学生
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中国科学院大学研究生导师简介-姚吉勇
中国科学院大学 免费考研网/2016-05-09
相关话题/光学 中国科学技术大学 信息 西北大学 奖励
2016年北京大学电子与信息领域工程博士生复试安排
经专家组对申请人的报名材料进行审核和学术素质评定,确定以下人员参加电子与信息领域工程博士生复试。有关事宜通知如下:一、复试时间1、电子与信息领域(软件工程方向)笔试时间:2016年4月17日 9:00-11:30地点:北京大学理科一号楼1544室面试时间:2016年4月17日 13:00-17:00地点:北京大学理科一号楼1504室复试名单: ...北京大学复试录取 本站小编 免费考研网 2016-05-102016年北京大学软件与微电子学院软件工程一级学科工学博士、电子与信息领域工程博士研究生拟录取名单公示
本公示名单根据报考专业及总成绩排序。具体名单如下,公示期为十个工作日,自2016年5月6日至2016年5月19日止。公示期间,如异议,请与学院招办联系,联系电话010-62767180、62767181,邮箱 zhaosheng@ss.pku.edu.cn。 ...北京大学复试录取 本站小编 免费考研网 2016-05-10北京大学信息科学技术学院2016年全国统考及港澳台硕士研究生复试工作安排
一、组织管理: 我院成立复试与录取领导小组,由学院主管领导任组长,各专业负责人为小组成员。 各专业(或方向)成立5人专家复试小组,每一小组设组长一名、秘书一人,负责复试记录以及协调安排相关事宜。 二、复试规则: 1.复试规模:差额复试; 2.权重:初试成绩占总成绩的50%,复试成绩占总成 ...北京大学复试录取 本站小编 免费考研网 2016-05-10北京大学信息科学技术学院2016年全国硕士研究生入学考试初取名单公示
北京大学信息科学技术学院2016年全国硕士研究生入学考试初取名单现在开始公示,公示时间为2016年4月7日4月20日,公示期内如有异议,请联系eecsgrs@pku.edu.cn 或62757465。 序号 准考证号 姓名 录取专业 初试成绩 ...北京大学复试录取 本站小编 免费考研网 2016-05-10北京大学信息科学技术学院2016年推荐免试研究生名单公示
2016年推荐免试研究生名单现在开始公示,公示时间为2015年10月13日至2015年10月23日。如有异议请联系:eecsgrs@pku.edu.cn。 名单如下: 姓 名 推荐学校 推荐专业 拟录取专业 复试成绩 拟接收层次 ...北京大学复试录取 本站小编 免费考研网 2016-05-10