1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
叶振华 男 硕导 中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件： zhye@mail.sitp.ac.cn
通信地址： 虹口区玉田路500号
邮政编码： 200083
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向红外光电器件

教育背景2003-07--2005-07 中国科学院上海技术物理研究所 博士
2000-09--2003-06 中国科学院上海技术物理研究所 硕士
1996-09--2000-06 山东大学 学士


学历

学位
工作经历

工作简历2012-09~2013-08,中国科学院上海技术物理研究所, 研究员
2007-09~2012-08,中国科学院上海技术物理研究所, 副研究员
2005-07~2007-08,中国科学院上海技术物理研究所, 助理研究员
2003-07~2005-07,中国科学院上海技术物理研究所, 博士
2000-09~2003-06,中国科学院上海技术物理研究所, 硕士
1996-09~2000-06,山东大学, 学士


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果（ 1 ）红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法,2011,第 1 作者,专利号: ZL**2.1
（ 2 ）子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法,2011,第 1 作者,专利号: ZL**0.2
（ 3 ）碲镉汞红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法,2011,第 1 作者,专利号: ZL**9.3
（ 4 ）红外焦平面探测器原位窗口的集成微型滤光片,2008,第 1 作者,专利号: ZL**5.0
（ 5 ）用于反应离子刻蚀碲镉汞微台面列阵的掩模层及制备方法,2007,第 1 作者,专利号: ZL**1.6
（ 6 ）碲镉汞焦平面器件微台面列阵的反应离子刻蚀设备及方法,2007,第 1 作者,专利号: ZL**2.0
（ 7 ）红外焦平面探测器的回流提拉倒装焊接方法,2007,第 1 作者,专利号: ZL**2.8
（ 8 ）红外焦平面探测器的可靠性筛选方法,2013,第 1 作者,专利号: ZL**4.7
（ 9 ）碲镉汞红外双波段探测器深台面的腐蚀设备和方法,2004,第 1 作者,专利号: ZL**.5
（ 10 ）一种集成等离子体氢浸镀层的碲镉汞中波光伏探测芯片,2012,第 1 作者,专利号: ZL**7.5
（ 11 ）一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法,2012,第 1 作者,专利号: ZL**6.8
（ 12 ）一种掩模用光刻胶微凸镜列阵的等离子体回流成形方法,2012,第 1 作者,专利号: ZL**0.4
（ 13 ）一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器,2012,第 1 作者,专利号: ZL**4.8
（ 14 ）碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法,2011,第 1 作者,专利号: ZL**7.4
（ 15 ）碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法,2011,第 1 作者,专利号: ZL**1.7
（ 16 ）背向集成微透镜红外焦平面探测器及微透镜的制备方法,2008,第 1 作者,专利号: ZL**6.5
（ 17 ）带有增透会聚微镜的红外焦平面探测器及微镜制备方法,2008,第 1 作者,专利号: ZL**3.9
（ 18 ）碲镉汞红外双色焦平面探测器列阵芯片,2006,第 1 作者,专利号: ZL**7.1
（ 19 ）红外焦平面探测器的铟柱成球方法,2005,第 1 作者,专利号: ZL**4.0

出版信息

发表论文（1） Numerical Simulation of Refractive-Microlensed HgCdTeInfrared Focal Plane Arrays Operating in Optical Systems, J. Electron. Mater., 2014, 第 2 作者
（2） Photon trapping photodiode design in HgCdTe mid-wavelength infrared focal plane array detectors, Optical and Quantum Electronics, 2014, 第 1 作者
（3） Parameter determination from current–voltage characteristics of HgCdTe photodiodes in forward bias region, Optical and Quantum Electronics, 2013, 第 2 作者
（4） Crosstalk suppressing design of GaAs microlenses integrated on HgCdTe infrared focal plane array, Optical and Quantum Electronics, 2013, 第 2 作者
（5） Design of spectral crosstalk suppressing structure in two-color HgCdTe infrared focal plane arrays detector, Optical and Quantum Electronics, 2013, 第 1 作者
（6） Investigations on a Multiple Mask Technique to Depress Processing-Induced Damage of ICP-Etched HgCdTe Trenches, J. Electron. Mater., 2013, 第 1 作者
（7） 同时模式的中波/长波碲镉汞双色红外探测器, 红外与毫米波, 2012, 第 1 作者
（8） 碲镉汞长波光电二极管列阵的等离子体修饰研究, 红外与毫米波, 2012, 第 1 作者
（9） MBE原位碲化镉钝化的碲镉汞长波光电二极管列阵, 红外与毫米波, 2012, 第 1 作者
（10） A hybrid surface passivation on HgCdTe long wave infrared detector with in-situ CdTe deposition and high-density hydrogen plasma modification, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 第 3 作者
（11） Low-Roughness Plasma Etching of HgCdTe Masked with Patterned Silicon Dioxide, J. Electron. Mater., 2011, 第 1 作者
（12） 钝化界面植氢优化的碲镉汞中波红外探测芯片, 红外与毫米波学报, 2011, 第 1 作者
（13） 128×128短波/中波双色红外焦平面探测器, 红外与毫米波学报, 2010, 第 1 作者
（14） 碲镉汞红外双色探测器响应光谱研究, 红外与毫米波学报, 2009, 第 1 作者
（15） HgCdTe探测列阵干法技术的刻蚀形貌研究, 红外与毫米波学报, 2006, 第 1 作者
（16） LBIC在HgCdTe双色探测器的工艺检测中的应用, 红外与毫米波学报, 2005, 第 1 作者
（17） 集成式HgCdTe红外双色探测器列阵, 红外与毫米波学报, 2004, 第 1 作者
（18） 碲镉汞p+-on-n长波异质结探测器的研究, 红外与毫米波学报, 2004, 第 1 作者
（19） 不同结构的碲镉汞长波光伏探测器的暗电流的研究, 红外与毫米波学报, 2004, 第 1 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）重大专项, 主持, 国家级, 2013-01--2015-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生