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基本信息
伊晓燕 女 硕导 中国科学院半导体研究所
电子邮件： spring@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码：
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向GaN基LED量子效率提升技术研究

教育背景2003-09--2006-07 中国科学院半导体研究所 博士


学历

学位
工作经历

工作简历2013-01~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
2009-01~2012-12,中国科学院半导体研究所, 副研
2006-07~2008-12,中国科学院半导体研究所, 助研
2003-09~2006-07,中国科学院半导体研究所, 博士


社会兼职2014-01-01-今,北京市第三代半导体材料与应用工程技术中心, 副主任

教授课程
专利与奖励

奖励信息（1）中国优秀专利奖,院级,2014
（2）低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术,部委级,2014
（3）高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术,国家级,2012


专利成果（ 1 ）采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法,2010,第 1 作者,专利号: ZL.**4.8
（ 2 ）栅极调制正装结构GaN发光二极管的器件结构及制备方法,2012,第 3 作者,专利号: ZL.**2.4
（ 3 ）栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法,2012,第 3 作者,专利号: ZL.**2.5
（ 4 ）一种氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法,2012,第 4 作者,专利号: ZL.**9.4
（ 5 ）高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法,2012,第 4 作者,专利号: ZL.**8.0
（ 6 ）氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法,2012,第 4 作者,专利号: ZL.**9.5
（ 7 ）氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法,2012,第 4 作者,专利号: ZL.**0.8
（ 8 ）GaN基薄膜芯片的制造方法,2014,第 3 作者,专利号: ZL.**1.3
（ 9 ）制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法,2014,第 3 作者,专利号: **4.5
（ 10 ）高出光率倒装结构LED的制作方法,2015,第 3 作者,专利号: **4.8
（ 11 ）自支撑氮化镓衬底制作方法,2014,第 2 作者,专利号: ZL.**9.5
（ 12 ）纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法,2014,第 3 作者,专利号: ZL.**1.2

出版信息

发表论文（1） Light extraction improvement of blue light-emitting diodes with a Metal-distributed Bragg reflector current blocking layer, Appl. Phys. A, 2015, 第 5 作者
（2） Improved performance of lateral GaN-based light emitting diodes with novel buried CBL structure in ITO film and reflective electrodes, Materials Science in Semiconductor Processing, 2014, 第 5 作者
（3） In Situ Fabrication of Bendable Microscale Hexagonal Pyramids Array Vertical Light Emitting Diodes with Graphene as Stretchable Electrical Interconnects, ACS Photonics, 2014, 第 5 作者
（4） Optimized subsequent-annealing-free Ni/Ag based metallization contact to p-type GaN for vertical light emitting diodes with high yield and extremely low operating voltage , J. Phys. D: Appl. Phys., 2014, 第 5 作者
（5） Two distinct carrier localization in green light-emitting diodes with InGaN-GaN multiple quantum wells, Journal of Applied Physics, 2014, 第 5 作者
（6） Effects of light extraction efficiency to the efficiency droop of InGaN-based, Journal of AppliedPhysics , 2013, 第 5 作者
（7） Nitride-based micron-scale hexagonal pyramids array vertical light emitting diodes by N-polar wet etching , Optics Express, 2013, 第 5 作者
（8） GaN-Based Light Emitting Diodes with Hybrid Micro-Nano Patterned Sapphire Substrate, ECS Solid State Letters, 2013, 第 5 作者
（9） Improved transport properties of graphene/GaN junctions in GaN-based vertical light emitting diodes by acid doping, RSC Advances, 2013, 第 5 作者
（10） Improved light output from InGaN LEDs by laser-induced dumbbell-like air-voids, Optics Express, 2013, 第 5 作者
（11） Mechanisms in Thermal Stress Aided Electroless Etching of GaN Grown on Sapphire and Approaches to Vertical Devices, RSC advances, 2013, 第 5 作者
（12） N-polar GaN etching and approaches to quasi-perfect micro-scale pyramid vertical light-emitting diodes array, Journal of Applied Physics, 2013, 第 5 作者
（13） Interface and transport properties of metallization contacts to flat and wet-etching roughed Npolar n type GaN, ACS Applied Materials Interfaces, 2013, 第 5 作者
（14） InGaN-based vertical light emitting diodes withHNO3 modified-graphenetransparent conductive layer and high reflective membrane current blocking layer, Proceedings of Royal Society A, 2013, 第 5 作者
（15） Interface and transport properties of GaN/graphene junction in GaN-based LEDs, J. Phys. D: Appl. Phys., 2012, 第 5 作者
（16） Light extraction efficiency improvement by multiple laser stealth dicing in InGaN-based blue light-emitting diodes, Optics Express , 2012, 第 5 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）150lm/W的GaN基LED量子效率提升技术研究, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12
（ 2 ）微纳金字塔垂直结构LED量子效率研究, 主持, 国家级, 2014-01--2016-12
（ 3 ）大尺寸硅衬底氮化镓基电力电子材料生长技术研究, 主持, 国家级, 2014-01--2016-12
（ 4 ）LED光源的生物相关理论问题及示范应用 , 主持, 部委级, 2013-10--2016-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生