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中国科学院大学研究生导师简介-殷华湘

中国科学院大学 免费考研网/2016-05-09

1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
殷华湘 男 硕导 中国科学院微电子研究所
电子邮件: yinhuaxiang@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码: 100029
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向集成电路先导工艺与仪器装备技术

教育背景2000-03--2003-03 中国科学院微电子研究所 博士学位
1996-09--1999-07 中国科学院微电子研究所 硕士学位
1992-09--1996-07 天津大学 学士学位


学历

学位
工作经历

工作简历2010-08~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
2003-07~2010-07,韩国三星电子(集团)综合技术院, 高级研究员
2000-03~2003-03,中国科学院微电子研究所, 博士学位
1996-09~1999-07,中国科学院微电子研究所, 硕士学位
1992-09~1996-07,天津大学, 学士学位


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息(1)极大规模集成电路关键技术研究集体,国家级,2014


专利成果( 1 )浅沟槽隔离及其形成方法,2011,第 1 作者,专利号: **0.5
( 2 )平坦化层间电介质的回刻方法,2011,第 2 作者,专利号: **8.6
( 3 )可调节沟道应力的器件与方法,2011,第 1 作者,专利号: PCT/CN2011/000278
( 4 )半导体器件的制造方法,2011,第 1 作者,专利号: PCT/CN2011/071060
( 5 )可调节沟道应力的器件与方法,2010,第 1 作者,专利号: **3.X
( 6 )SOG与光致抗蚀剂的反应离子刻蚀方法,2010,第 1 作者,专利号: **5.3
( 7 )层间电介质层的平面化方法,2010,第 1 作者,专利号: **4.0
( 8 )向沟道中引入应变的方法和使用该…,2011,第 1 作者,专利号: **8.8
( 9 )半导体器件及制造方法,2011,第 1 作者,专利号: **6.7
( 10 )层间电介质层的平面化方法,2011,第 1 作者,专利号: PCT/CN2011/071056
( 11 )半导体器件的制造方法,2010,第 1 作者,专利号: **9.9
( 12 )一种半导体结构及其制造方法,2011,第 1 作者,专利号: **9.8
( 13 )牺牲栅去除方法及栅堆叠制作方法,2011,第 2 作者,专利号: **3.3
( 14 )METHOD OF INTRODUCING STRAIN INTO CHANNEL AND DEVICE MANUFACTURED BY USING THE METHOD,2014,第 1 作者,专利号: US 8,748,272
( 15 )Semiconductor Device and Manufacturing Method thereof,2015,第 1 作者,专利号: US 8,754,482
( 16 )SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME,2015,第 1 作者,专利号: US 8,853,024

出版信息

发表论文(1) Self-Aligned Fin-On-Oxide (FOO) FinFETs for Improved SCE Immunity and Multi-VTH Operation on Si Substrate, ECS Solid State Letters, 2015, 第 5 作者
(2) Structure design and film process optimization for metal-gate stress in 20 nm nMOS devices, Journal of Semiconductors, 2013, 第 5 作者
(3) CMP-Less Planarization Technology with SOG/LTO Etchback for Low-Cost High-k/Metal Gate-Last Integration, ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2013, 第 5 作者
(4) Low-Temperature-Grown Transition Metal Oxide Based Storage Materials and Oxide Transistors for High-Density Non-volatile Memory, Advanced Functional Materials, 2009, 第 4 作者
(5) Double gate GaInZnO thin film transistors, Applied Physics Letters, 2008, 第 2 作者
(6) Short Channel Characteristics of Gallium–Indium–Zinc–Oxide Thin Film Transistors for Three-Dimensional Stacking Memory, IEEE Electron Device Letters, 2008, 第 3 作者
(7) Program/Erase Characteristics of Amorphous Gallium Indium Zinc Oxide Nonvolatile Memory, IEEE Transactions on Electron Devices, 2008, 第 1 作者
(8) Fully transparent nonvolatile memory employing amorphous oxides as charge trap and transistors channel layer, Applied Physics Letters, 2008, 第 1 作者
(9) Scalable 3-D Fin-Like Poly-Si TFT and Its Nonvolatile Memory Application, IEEE Transactions on Electron Devices, 2008, 第 1 作者


发表著作
科研活动

科研项目( 1 )22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设, 参与, 国家级, 2009-01--2014-04
( 2 )16纳米硅基三维器件复合应变沟道集成, 主持, 市地级, 2011-01--2014-01
( 3 )集成电路关键技术研究, 主持, 部委级, 2011-01--2014-01
( 4 )体硅FinFET 与关键工艺研究, 主持, 国家级, 2013-01--2015-12
( 5 )先进同步辐射探测技术, 参与, 部委级, 2013-01--2016-12
( 6 )用于同步辐射的硅像素探测器关键技术研究, 参与, 国家级, 2014-01--2018-12


参与会议(1)Diamond Like Carbon Thin Films with Extremely High Compressive Stress 8-12GPa for Advanced CMOS Strain Engineering 国际材料大会(春季) Xiaolong Ma 2013-04-09
(2)CMPless Planarization Technology with SOG/LTO Etchback for Low Cost 70nm Gate-Last Process 中国国际半导体技术大会 Huaxiang Yin, Lingkuan Men, Tao Yang, Gaobo Xu, Qiuxia Xu, Chao Zhao and 2011-03-13
(3)High performance low voltage amorphous oxide TFT Enhancement/Depletion inverter through uni-/bi-layer channel hybrid integration 国际电子器件大会 Huaxiang Yin, Sunil Kim, Jaechul Park, Ihun Song, Sang-Wook Kim, Jihyun Hur, Sungho Park, Sanghun Jeon, Chang Jung Kim 2009-12-07
(4)Bootstrapped ring oscillator with propagation delay time below 1.0 nsec/stage by standard 0.5μm bottom-gate amorphous Ga2O3-In2O3-ZnO TFT technology 国际电子器件大会 Huaxiang Yin, Sunil Kim, Chang Jung Kim, Jae Chul Park, Ihun Song, Sang-Wook Kim, Sung-Hoon Lee, Youngsoo Park, 2008-12-15

合作情况

项目协作单位
指导学生

相关话题/微电子研究所 中国科学院 制造 技术 集成电路