1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
于丽娟 女 硕导 中国科学院半导体研究所
电子邮件： ylj@red.semi.ac.cn
通信地址： 半导体所家属院宿舍11号楼
邮政编码： 100083
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向半导体光放大器的研究

教育背景1996-09--2000-01 西安交通大学 博士
1986-09--1989-06 吉林大学 硕士
1982-09--1986-06 吉林大学 学士学位


学历

学位
工作经历

工作简历2007-03~2014-07,中科院半导体研究所, 副研究员
2006-03~2007-03,英国帝国理工大学, 高级访问学者
2002-05~现在, 中科院半导体所, 副研究员
1996-09~2000-01,西安交通大学, 博士
1989-07~1999-12,西安建筑科技大学, 副教授
1986-09~1989-06,吉林大学, 硕士
1982-09~1986-06,吉林大学, 学士学位


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果（ 1 ）晶片直接键合过程中实验参数的优化,2005,第 2 作者,专利号: **0.9
（ 2 ）Z字形自准直半导体光放大器热沉,2014,第 1 作者,专利号: **2.1
（ 3 ）一种测量半导体光放大器偏振灵敏度的装置,2014,第 2 作者,专利号:CN**0.X
（ 4 ）斜腔半导体光放大器的耦合方法 ,2014,第 1 作者,专利号:CN**8.1

出版信息

发表论文（1） 用阶梯变化金属纳米光栅增加介质中的光吸收, 太阳能, 2013, 第 1 作者
（2） CW InP-InGaAsP Quantum-Well Lasers on Si Fabricated by Wafer Bonding, Chin. J. Semicon., 2007, 第 1 作者
（3） Thermal stress analysis for GaInAsP multiple quantum well wafer chemically bonded to Si (100), J. Appl. Phys., 2006, 第 2 作者
（4） Strain analysis of InP/InGaAsP wafer bonded on Si by X-ray double crystalline diffraction, Material Science and Engineering B, 2006, 第 2 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）模式产生、转换与复用机制及控制, 参与, 国家级, 2014-01--2019-01


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生