马通达

导师姓名
马通达

性别
男
出生年月
1973年7月



所在室所
国家有色金属及电子材料分析测试中心
技术职称
教授
招生专业
材料科学与工程
联系电话
010-82241342

E-mail
matongda@grinm.com
研究方向
1.材料辐照损伤机理研究
2.无损探伤技术与材料失效分析
个人简况
1999年毕业于中国科学院金属研究所获硕士学位，2006年获北京有色金属研究总院博士学位，2011年晋升为教授级高级工程师。现任北京有色金属研究总院分析测试技术研究所副所长。
中国有色金属学会理化检验专业委员会秘书长，中国表面工程协会转化膜专业委员会副理事长，中国工程机械学会理化检验分会委员。
长期从事半导体材料、金属材料的组织结构表征及性能评价工作，在半导体外延生长、缺陷工程以及材料失效机理研究方面积累了丰富经验。主要研究领域包括：硅基半导体材料及化合物半导体材料的制备与表征、半导体材料应变弛豫机制与缺陷行为、半导体异质结界面扩散与微结构特征、极端条件下（电子辐照、高低温）半导体材料与器件性能关系、核反应堆用金属结构材料的辐照损伤行为以及材料失效机理的无损检测方法研究等。在应变异质材料微结构研究工作中，形成了具有自主知识产权的微结构表征技术，填补了国内相关领域的空白，达到国际先进水平。目前主持的研究课题包括：国家科技部国际热核聚变堆（ITER）计划专项、国家科技部创新方法工作项目“材料无损检测与评价新方法研究”等。
主持完成了国家自然科学基金项目“绝缘体上应变硅的应变弛豫机制”和“GaN异质结的电子辐照损伤与回复”，在国内外学术刊物上发表学术论文30余篇，参加编译出版著作1部，获中国有色金属工业科技进步一等奖1项、二等奖3项，欧洲材料学会青年科学家奖1项，授权国家发明专利、实用新型及外观专利各3项。
Update2013.8