个人简介
姓名：张纪才
职称：教授
职务：物理学部副主任
联系方式：jczhang@mail.buct.edu.cn
教育背景
2005年07月，中国科学院半导体研究所，获博士学位
工作经历
2005年12月-2006年10月，以色列理工大学，博士后
2006年11月-2010年3月，日本名古屋工业大学，讲师（研究机构研究员）
2010年4月-2010年7月，日本三重大学，研究员
2010年7月-2017年6月，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，研究员
2017年7月-至今, 北京化工大学, 教授
研究领域
1.非极性AlN材料的高温CVD生长及材料特性研究
2.BN材料的高温CVD生长及材料特性研究
3.AlGaN基深紫外LED研究
4.BN基中子探测器研究
5.可穿戴技术研究
科研成果
代表性文章
1.Jinfeng Li, Xu li, Yong Lu*, Weiguo Hu*and Jicai Zhang*, “Effect of oxygen plasma modification on Pd/Al/Au Ohmic contacts on undoped AlN”, J. Phy. D: Appl. Phys. Accepted.
2.Shuxin Tan, Jicai Zhang*, Takashi Egawa*，and Gang Chen, “Influence of quantum-well number and AlN electron blocking layer on the electroluminescence properties of AlGaN deep ultraviolet light-emitting diodes”, Appl. Sci. 8, 2402 (2018).
3.Shuxin Tan, Jicai Zhang*, Takashi Egawa*, Gang Chen, Xiangdong Luo, Ling Sun and Youhua Zhu, “Influence of Quantum-Well Width on the Electroluminescence Properties of AlGaN Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes at Different Temperatures”, Nanoscale Research Letters 13, 334 (2018)
4.Xuewei Li, Jicai Zhang*, Maosong Sun, Binbin Ye，Jun Huang, Zhenyi Xu, Wenxiu Dong, Jianfeng Wang, and Ke Xu, “Effect of annealing temperature on Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts on undoped AlN films” Journal of Semiconductor, 38, 116002-1-4 (2017).
5.Ting Liu，Jicai Zhang*, Xujun Su, Jun Huang, Jianfeng Wang, and Ke Xu*, “ Nucleation and growth of (10-11) semi-polar AlN on (0001) AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy”, Sci. Rep. 6, 26040 (2016).
6.M. S. Sun, J. C. Zhang *, J. Huang, J. F. Wang, and K. Xu*, “AlN thin film grown on different substrates by hydride vapor phase epitaxy”, J. Cryst. Growth, 436 (2016) 62–67.
专利
1.张纪才，王建峰，徐科，“III族氮化物/异质衬底复合模板”，CNU。
2.张纪才，王建峰，徐科，“III族氮化物/异质衬底复合模板及其制备方法”，CN A。
3.张纪才，刘婷，王建峰，徐科，“一种半极性AlN模板”，CN B。
4.张纪才，刘婷，王建峰，徐科，“一种制备半极性AlN模板的方法”，CN A。
5.张纪才，李雪威，王建峰，徐科，“AlN上的欧姆接触电极结构及其制作方法”， CN A。
6.李雪威，张纪才，王建峰，徐科, “衬底、半导体器件及衬底制作方法”。CN A。
7.陈刚，张纪才，王建峰，徐科，“一种深紫外半导体器件及其制作方法”，CN A。
8.张纪才，陈刚，李雪威，王建峰，徐科，“基于图形化模板的半导体器件及其制作方法”，CN A。
9.张纪才，高温CVD设备，ZL7.6。
10.张纪才，李金峰，氮化铝模板及其制备方法，0.9。
科研项目
1.国家自然基金面上项目，“异质衬底上h-BN单晶外延材料的高温CVD制备及生长机理研究”，2019.1-2022.12。
2.北京市自然基金面上项目，“非极性AlN材料的高温化学气相外延生长机理研究”， 2018.1-2020.12。
3.横向课题，“2英寸氮化硼薄膜材料研制”， 2018.6-2020.6。
招生要求
每年招收硕士生3名，博士生1名。