高含量贵金属基非晶态合金
| 文献类型 | 专利 |
| 发明人 | 张涛[1];刘丽[2];章安玉[3];门华[4] |
| 机构 | 北京航空航天大学 ↓ |
| 申请人 | 北京航空航天大学 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 年度 | 2004 |
| 专利申请日期 | 2004-08-30 |
| 专利公开日期 | 2006-03-08 |
| 专利公开号 | CN1743492 |
| 专利申请号 | CN200410009498.4 |
| 国家或地区 | 北京 |
| 人气指数 | 2 |
| 浏览次数 | 2 |
| 摘要 | 本发明为非晶态合金领域。它提供了一种高含量贵金属基非晶态合金，其化学成分(原子个数％)为：TM1(a)TM2(b)M(c).TM1＝Pd，Pt，Au中的一个或多个；TM2＝Fe，Co，Ni，Cu，Zr，Ti，Ag中的一个或多个；M＝Si，P，Al，Sn，B，Ga中的一个或多个；a：45-85，b：5-40，c：10-25。本发明的生产方法是先用真空炉熔炼母合金，然后将母合金置于快速凝固装置的感应炉中熔化，熔化后喷溅到铜模上浇铸成非晶态合金棒。这些合金不仅具有较高的非晶形成能力，高含量的贵金属，表面光泽亮度好，而且又同时具有高强度和高韧性，易于生产，可广泛应用于制作首饰和医疗器件。 |
影响因子：
dc:title:高含量贵金属基非晶态合金
dc:creator:张涛;刘丽;章安玉,等
dc:date: publishDate:2004-08-30
dc:type:专利
dc:format: Media：
dc:identifier: LnterrelatedLiterature：2004.
dc:identifier:DOI：
dc: identifier:ISBN:
