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硅压阻式传感器的温度特性及其补偿

外文标题	Temperature properties and compensation for silicon piezoresistive sensors
文献类型	期刊
作者	樊尚春[1];彭春荣[2]
机构	[1]北京航空航天大学自动化学院,北京航空航天大学自动化学院 北京100083,北京100083 [2]北京航空航天大学自动化学院,北京航空航天大学自动化学院 北京100083,北京100083 ↓
来源信息	年:2003卷:40期:7页码范围:484-488
期刊信息	微纳电子技术ISSN:1671-4776
关键词	压阻式传感器;硅传感器;温度补偿
摘要	基于硅压阻式传感器的工艺过程与后续电路设计,讨论了减小其温度影响的措施.文中对在相同的硅基底上,采用诸如扩散、离子注入、薄膜淀积以及溅射等不同加工工艺制作实现的不同的压敏电阻特性,特别是温度特性进行了探讨和比较.针对一种具体的硅杯结构的压阻式传感器,设计、选择了加工工艺,给出了压敏电阻的近似温度补偿公式,讨论了传感器补偿电路的实现方案.
所属部门	自动化科学与电气工程学院
链接地址	http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_wndzjs200307143.aspx
DOI	10.3969/j.issn.1671-4776.2003.07.143
人气指数	1
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基金	国家自然科学基金; 航空科研项目

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dc:title:硅压阻式传感器的温度特性及其补偿
dc:creator:樊尚春;彭春荣
dc:date: publishDate:2003-08-25
dc:type:期刊
dc:format: Media：微纳电子技术
dc:identifier: LnterrelatedLiterature：微纳电子技术.2003,40(7),484-488.
dc:identifier:DOI：10.3969/j.issn.1671-4776.2003.07.143
dc: identifier:ISBN:1671-4776