X射线光刻掩模后烘过程的瞬态热分析
| 外文标题 | Transient Thermal Analysis of X-ray Lithography Mask During Post-exposure baking |
| 文献类型 | 期刊 |
| 作者 | 王永坤[1];余建祖[2];余雷[3];陈大鹏[4] |
| 机构 | [1]北京航空航天大学,北京航空航天大学,北京航空航天大学,中国科学院微电子中心 北京100083,北京100083,北京100083,北京100010 [2]北京航空航天大学,北京航空航天大学,北京航空航天大学,中国科学院微电子中心 北京100083,北京100083,北京100083,北京100010 [3]北京航空航天大学,北京航空航天大学,北京航空航天大学,中国科学院微电子中心 北京100083,北京100083,北京100083,北京100010 [4]北京航空航天大学,北京航空航天大学,北京航空航天大学,中国科学院微电子中心 北京100083,北京100083,北京100083,北京100010 ↓ |
| 来源信息 | 年:2003期:2页码范围:34-39 |
| 期刊信息 | 微细加工技术ISSN:1003-8213 |
| 关键词 | 有限元;掩模;X射线光刻;后烘烤;温度分布 |
| 摘要 | X射线光刻掩模是下一代光刻技术(NGL)中的X射线光刻技术的关键技术难点。在电子束直写后的掩模后烘过程中，掩模表面的温度场分布及温升的均匀性是影响掩模关键尺寸(CD)控制的重要因素，如果控制不当，会造成掩模表面的光刻胶烘烤不均匀，使掩模吸收体CD分布变坏。针对电子束直写后X射线光刻掩模的后烘过程建立了热模型，并采用有限元技术进行了瞬态温度场的计算。计算结果表明：采用背面后烘方式，在达到稳态时出现高温区和低温区，最大温差为10．19℃，容易造成光刻胶局部烘烤过度，而采用正面后烘方式，掩模达到稳态的时间短，温度分布均匀，烘烤效果好。 |
| 收录情况 | ISTIC |
| 所属部门 | 电子信息工程学院 |
| 链接地址 | http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_wxjgjs200302007.aspx |
| 基金 | 国家自然科学基金 |
全文
影响因子：
dc:title:X射线光刻掩模后烘过程的瞬态热分析
dc:creator:王永坤;余建祖;余雷,等
dc:date: publishDate:2003-06-30
dc:type:期刊
dc:format: Media：微细加工技术
dc:identifier: LnterrelatedLiterature：微细加工技术.2003,34-39.
dc:identifier:DOI：
dc: identifier:ISBN:1003-8213
