薄膜技术研究进展--PVD沉积技术及其发展,多弧离子镀类金刚石碳膜,调制块体材料制备新方法
| 文献类型 | 学位 |
| 作者 | 李刘合[1] |
| 机构 | 北京航空航天大学 ↓ |
| 授予学位 | 博士后 |
| 年度 | 2001 |
| 学位授予单位 | 北京航空航天大学 |
| 语言 | 中文 |
| 关键词 | PVD;多弧离子镀;类金刚石碳膜;Raman光谱;块体材料;纳米组装 |
| 摘要 | 报告首先讨论了表面薄膜技术的分类及发展,针对物理气相沉积近年来的状况,论述了PVD技术主要的发展方向.指出了脉冲手段和多种粒子源组合是传统PVD最新发展的主要趋势,闭环磁场结构是提高磁控溅射的效率的行之有效的手段,全方位离子注入技术是现代PVD技术的一大进展.接着对多弧离子镀技术这种有效镀膜手段的发展进行了论述,研究了多弧离子子镀存在有镀膜不稳定和宏观粒子团污染问题.磁过滤的方法是解决污染的最有效手段,镀膜过程不稳定可以通过快速引弧系统解决.并指出阳极电弧技术也是一种有潜力的真空电弧沉积技术.采用多弧离子镀方法和全方位离子注入的方法制备了类金刚石碳膜.不同工艺下多弧离镀类金刚石碳膜结构差异很大,Raman光谱具有相似高强度D峰的DLC膜,内部结构差异可能很大,需要采用XPS等手段进一步验证.磁过滤器的加入,可以提高sp3杂化键在DLC膜中的形成.多弧离子镀类金刚石碳膜形核从不洁处开始,生长向外扩散.全方位离注入类金刚石碳膜在膜的表面多处成核,多处同时长大.报告最后提出了对块体材料进行曲成分调制、和纳米组装的材料制备方法. |
影响因子：
dc:title:薄膜技术研究进展--PVD沉积技术及其发展,多弧离子镀类金刚石碳膜,调制块体材料制备新方法
dc:creator:李刘合
dc:date: publishDate:1753-01-01
dc:type:学位
dc:format: Media：北京航空航天大学
dc:identifier: LnterrelatedLiterature：北京航空航天大学.2001.
dc:identifier:DOI：
dc: identifier:ISBN:
