晶界显微结构及其对晶界腐蚀和晶界内耗的影响
文献类型 | 学位 |
作者 | 汤晓虎[1] |
机构 | 北京航空航天大学 ↓ |
授予学位 | 硕士 |
年度 | 2000 |
学位授予单位 | 北京航空航天大学 |
语言 | 中文 |
关键词 | 晶界内耗;位错密度;铝双晶;晶界腐蚀 |
摘要 | 利用透射电子显微镜(TEM)对八种具有不同取向差的[110]对称倾测晶界的纯铝双晶试样进行观察,测得了晶界两侧位错线密度与晶界取向差之间的关系曲线,研究了晶界两侧位错密度对纯铝的晶界腐蚀行为的影响.还研究了纯铝双晶的内耗行为与晶界取向差θ的关系.发现晶界取向差θ对纯铝双晶的昌界内耗有影响.对应不同的晶界取向差θ,内耗峰温和内耗峰值均不相同.随着晶界取向差的增加,内耗值呈增大趋势,内耗峰温也增大.但对应于符合CSL关系的晶界,内耗值较小,晶界内耗峰的出现可以用晶界的粘滞性滑动来解释, 多晶体的晶界内耗峰值和内耗峰温均比双晶体的大,晶界面积相对比例和杂质含量对其有很大的影响. |
影响因子:
dc:title:晶界显微结构及其对晶界腐蚀和晶界内耗的影响
dc:creator:汤晓虎
dc:date: publishDate:1753-01-01
dc:type:学位
dc:format: Media:北京航空航天大学
dc:identifier: LnterrelatedLiterature:北京航空航天大学.2000.
dc:identifier:DOI:
dc: identifier:ISBN: