MEMS CAD/CAE系统中单晶硅各向异性腐蚀的模拟
| 文献类型 | 学位 |
| 作者 | 韩秋菊[1] |
| 机构 | 北京航空航天大学 ↓ |
| 授予学位 | 硕士 |
| 年度 | 2000 |
| 学位授予单位 | 北京航空航天大学 |
| 语言 | 中文 |
| 关键词 | 微型机电系统;各向异性腐蚀;原子方法;可视化 |
| 摘要 | 该论文比较了MEMS加工与常规机械和微电子加工的区别,提出了MEMS加工过程模拟的 必要性和重要意义.同时,突出了MEMS加工中单晶硅各向异性腐蚀加工模拟的重要意义,并提出了该论文加工过程模拟的处理流程.其次,分析了单晶硅各向异性腐蚀过程的物理化学机制,以及当前单晶硅各向异性腐蚀工艺模拟中使用的两种主要方法--几何方法和原子方法.由于原子方法具有模型输入参数少、模拟精确度高等优点,该系统采用了原子方法.然后,为了解决原子方法对存储的限制,该论文提出了一种新颖的基于晶格结构表示的腐蚀过程模型实现方法,通过设计良好的数据结构和腐蚀模拟算法,取得了较好的效果.论文中将该系统与国外同类软件的时空效率进行了比较,结果是该论文给出的实现方法具有更好的时空效率.最后,讨论了科学计算可算可视化在该系统中的应用.一方面使用可视化技术验证了该论文模型的正确性,另一方面方便了用户直接观测腐蚀加工结果.由于加工尺寸增大时,三维图形交互过程产生延迟,该文设计了良好的显示算法,提高了三维图形的显示效率. |
影响因子：
dc:title:MEMS CAD/CAE系统中单晶硅各向异性腐蚀的模拟
dc:creator:韩秋菊
dc:date: publishDate:1753-01-01
dc:type:学位
dc:format: Media：北京航空航天大学
dc:identifier: LnterrelatedLiterature：北京航空航天大学.2000.
dc:identifier:DOI：
dc: identifier:ISBN:
