一种等离子化学气相沉积镀膜方法和设备
| 文献类型 | 专利 |
| 发明人 | 陶冶[1] |
| 机构 | 北京航空航天大学 ↓ |
| 申请人 | 北京航空航天大学 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 年度 | 2000 |
| 专利申请日期 | 2000-12-15 |
| 专利公开日期 | 2001-08-15 |
| 专利公开号 | CN1308147 |
| 专利申请号 | CN00128293.X |
| 国家或地区 | 北京 |
| 摘要 | 本发明等离子化学气相沉积镀膜方法和设备包括：传统的可抽成真空的炉体；将汽化的、含有金属氯化物的和其它工作气体通入所述真空炉体内的装置；放置在真空炉体中的被镀工件与电极阴极相连，将炉体与阳极相连，阳极接地，阴极施加负电压，将电压升高到一定程度后，阴、阳级之间产生辉光等离子场；在所述炉内设置一个能喷出等离子炬的电弧喷枪，电弧喷枪喷出的等离子炬直接进入到辉光等离子场中。 |
影响因子：
dc:title:一种等离子化学气相沉积镀膜方法和设备
dc:creator:陶冶
dc:date: publishDate:2000-12-15
dc:type:专利
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dc:identifier: LnterrelatedLiterature：2000.
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